ICS 31.080 L 54 备案号： 中华人民共和 硅光电晶 Technical specificatio 本规范按照GB/T1.1—2009给出的规则起 本规范代替SJ/T22171982《硅光敏三极 本规范与SJ/T2217—1982相比主要变化女 第1章，将原适用于3DU10～82改为 —增加了第2章“规范性引用文件”和 器件结构增加了“01.6mm”的外形 器件的设计参数增加了光谱响应范围 -增加了绝对最大额定值的规定（见4. -增加了“集电极-发射极饱和电压、发 删除参数水平较低的参数如：V(BR)CE: 1.0mA、1mA~2mA等。 增加了最低贮存温度的要求 （见表1） 高温测试的温度由原85℃提高到100 增加了“外观质量”的扭定（且44） 硅光电晶 1范围 本规范规定了硅光电晶体管（以下简称“！ 验方法和检验规则。 本规范适用于3DU系列硅光电晶体管。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本 （ GB/T2423.1电工电子产品环境试验第 GB/T2423.2电工电子产品环境试验第 GB/T2828.1-2003计数抽样检验程序 GB/T4589.1—2006半导体器件第10 SJ/T2217—2014 表1 乡 数值 特性 符号 最小 工作环境温度 Tamb -45 贮存温度 Tng -55 Vceo 集电极一发射极电压 一 耗散功率· Ptot 耗散功率的降额系数按相关文件的规定。 光电特性 4.3 器件的光电特性见表2 表2 测量条件：4 SJ/T2217—2014 表1 乡 数值 特性 符号 最小 工作环境温度 Tamb -45 贮存温度 Tng -55 Vceo 集电极一发射极电压 一 耗散功率· Ptot 耗散功率的降额系数按相关文件的规定。 光电特性 4.3 器件的光电特性见表2 表2 测量条件：4 SJ/T2217—2014 表1 乡 数值 特性 符号 最小 工作环境温度 Tamb -45 贮存温度 Tng -55 Vceo 集电极一发射极电压 一 耗散功率· Ptot 耗散功率的降额系数按相关文件的规定。 光电特性 4.3 器件的光电特性见表2 表2 测量条件：4