ICS27.010 CCSF 10 31 上 海 市 地 方 标 准 DB 31/ 792—2026 代替 DB31/ 792—2020 硅单晶棒及单晶硅片单位产品 能源消耗限额 The norm of energy consumption per unit products for monocrystalline silicon ingot and monocrystalline silicon wafer 2026 -02 - 14发布 2026 - 06-01实施 上海市市场监督管理局   发 布DB 31/ 792 —2026 1前 言 本文件按照GB/T 1.1—2020《标准化工作导则 第 1 部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草。 本文件代替DB31/ 792—2020《硅单晶及其硅片单位产品能源消耗限额》，与DB31/ 792—2020 相 比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下： ——更改了“标准名称”，由原《硅单晶及其硅片单位产品能源消耗限额》改为《硅单晶棒及单晶 硅片单位产品能源消耗限额》； ——更改了“范围”，删除了硅单晶研磨片的要求（见第 1 章和 2020 年版的第 1 章）； ——更改了“术语和定义”，删除了可比硅片产量、硅单晶、硅单晶研磨片、硅单晶抛光片、硅 单晶外延片的术语，增加了硅单晶棒、单晶硅抛光片、单晶硅外延片、产能利用率的术语（见 第 3 章和 2020 年版的第 3 章）； ——更改了能源消耗限额等级名称，由“先进值、准入值、限定值”更改为“1 级、2 级、3 级” ； 删除了硅单晶研磨片产品的能耗等级限额；增加了直径 200 mm、直径 300 mm硅单晶棒及单 晶硅抛光片和单晶硅外延片单位产品的能耗限额等级；重新规定了直径 150 mm 硅单晶棒、单 晶硅抛光片和单晶硅外延片单位产品的能耗等级（见第 4 章和 2020 年版的第 4 章）； ——更改了能耗统计范围的要求、产品综合能耗计算公式、及单位产品能源消耗修正值计算方法 （见第 6 章和 2020 年版的第 5 章）； ——删除了“节能降耗导向”章节内容（见 2020 年版第 6 章）； ——增加了常用能源品种折标准煤参考系数、电力和热力折标准参考系数、及耗能工质折标准煤 参考系统（见附录 A 和 2020 年版的附录 A）。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由上海市发展和改革委员会、上海市经济和信息化委员会共同提出；由上海市经济和信息化 委员会组织实施。 本文件由上海市能源标准化技术委员会归口。 本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为： ——2014 年首次发布为DB31/ 792—2014，2020 年第一次修订； ——本次为第二次修订。DB 31/ 792 —2026 1硅单晶棒及单晶硅片单位产品 能源消耗限额 1 范围 本文件规定了硅单晶棒及单晶硅片单位产品能源消耗限额的技术要求、统计范围、计算方法及节能 降耗导向。 本文件适用于半导体级硅单晶棒和单晶硅片（包括单晶硅抛光片、单晶硅外延片，以下统称“单晶 硅片”）生产企业单位产品能源消耗的计算、考核以及对新建项目单位产品能源消耗的控制。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。 其中， 注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T 2589 综合能耗计算通则 GB/T 12723 单位产品能源消耗限额编制通则 GB/T 14264 半导体材料术语 GB 17167 用能单位能源计量器具配备和管理通则 3 术语和定义 GB/T 2589、GB/T 12723、GB/T 14264 界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 硅单晶棒 monocrystalline silicon ingot 高纯度的多晶硅在单晶炉内用直拉法拉制的圆柱形硅单晶铸锭。 3.2 单晶硅抛光片 monocrystalline silicon polished wafer 硅单晶棒经切磨及抛光加工成的表面高平坦度的硅片。 3.3 单晶硅外延片 monocrystalline silicon epitaxial wafer 在单晶硅抛光片上生长一层或多层单晶硅薄膜（外延层）后制成的硅片。 3.4 产能利用率 capacity utilization rate 生产线统计期内的实际产出与设计生产能力之比。 4 能源消耗限额等级 4.1 硅单晶棒DB31/792—2026 2硅单晶棒生产企业单位产品能耗限额等级见表 1，其中 1 级能耗最低。 表 1 硅单晶单位产品能源消耗限额等级 单位为吨标煤每吨（tce/t） 产品直径 1 级 2 级 3 级 150 mm 8 8 12 200 mm 18 18 25 300 mm 25 25 35 4.2 单晶硅抛光片 硅单晶抛光片生产企业单位产品能源消耗限额等级见表 2，其中 1 级能耗最低。 表 2 单晶硅抛光片单位产品能源消耗限额等级 单位为千克标煤每千片（kgce/k） 产品直径 1 级 2 级 3 级 150 mm及以下 1200 1200 1500 200 mm 1700 1700 2600 300 mm 5000 5000 6000 4.3 单晶硅外延片 单晶硅外延片生产企业单位产品能源消耗限额等级见表 3，其中 1 级能耗最低。 表 3 单晶硅外延片单位产品能源消耗限额等级 单位为千克标煤每千片（kgce/k） 产品直径 1 级 2 级 3 级 直径 外延层厚度 150 mm及以下≤50 μm 1600 1600 2200 50 μm＜厚度≤100 μm 3000 3000 4000 ＞100μm 5300 5300 6000 200 mm≤50 μm 3000 3000 4100 ＞50 μm 6500 6500 7500 300 mm ≤50 μm 8000 8000 10500 5 技术要求 5.1 硅单晶棒 5.1.1现有生产企业硅单晶棒单位产品能源消耗限定值应符合表 1 中 3 级的规定。 5.1.2新建企业及改扩建项目硅单晶棒单位产品能源消耗准入值应符合表 1 中 2 级的规定。 5.2 单晶硅抛光片DB 31/ 792 —2026 35.2.1现有生产企业单晶硅抛光片单位产品能源消耗限定值应符合表 2 中 3 级的规定。 5.2.2新建企业及改扩建项目单晶硅抛光片单位产品能源消耗准入值应符合表 2 中 2 级的规定。 5.3 单晶硅外延片 5.3.1现有生产企业单晶硅外延抛光片单位产品能源消耗限定值应符合表 3 中 3 级的规定。 5.3.2新建企业及改扩建目单晶硅外延片单位产品能源消耗准入值应符合表 3 中 2 级的规定。 6 能耗统计范围及计算方法 6.1 统计范围 6.1.1各类产品能源消耗统计范围应包括产品生产系统、辅助系统和附属系统消耗的各种能源量。 6.1.2硅单晶棒生产系统包括从原料多晶硅放入石英坩埚内熔化开始到产出合格硅单晶棒为止的各生 产系统，包括配料系统，熔化及拉晶系统，切断、开方、滚磨、参考面加工等整形系统。 6.1.3单晶硅抛光片生产系统包括从硅单晶棒切割开始到产出合格单晶硅抛光片并进入成品库为止的 各生产系统，包括晶棒切片系统，研磨系统，腐蚀系统，抛光系统和包装系统。 6.1.4单晶硅外延片生产系统包括从单晶硅抛光片放入外延炉长晶开始到产出合格外延片并进入成品 库为止的各生产系统，包括外延生长系统，清洗系统，包装系统。 6.1.5辅助系统主要为辅助正常生产完成所需的设备设施。包括生产所需的风、油、水、气（压缩空 气、氢气、氧气、氮气等）等系统，环保系统，仪器仪表等。 6.1.6附属系统主要为生产过程提供服务所需的设备设施。包括检测、汽车倒运、维修、厂区食堂、 行政管理等。 6.1.7各系统使用的耗能工质消耗的能源应纳入综合能耗计算范围，制造该工质的原料不计入计算范 围。 6.1.8能源消耗的原始数据应符合 GB/T 2589 的要求；能源计量器具的配备应符合 GB 17167 的要求。 6.2 计算方法 6.2.1 产品综合能耗 产品综合能耗按公式（1）计算： 𝐸𝑍=𝑖=1𝑛𝑀𝑖×𝑘𝑖+𝐸𝐹𝑍+𝐸𝐹𝑆 ∑··········································(1) 式中： 𝐸𝑍——某种产品综合能耗，单位为千克标准煤（kgce）或吨标准煤（tce）； i——第i类能源； 𝑀𝑖——统计报告期内生产系统消耗的第i类能源实物量， 单位为千克 （kg） 、 吨 （t） 、 千瓦时 （kW·h） 、 立方米（m3） ； 𝑘𝑖——第i种能源的折标准煤系数； 𝐸𝐹𝑍——统计报告期内分摊的辅助系统能耗；单位为千克标准煤（kgce）或吨标准煤（tce） ； 𝐸𝐹𝑆——统计报告期内分摊的附属系统能耗；单位为千克标准煤（kgce）或吨标准煤（tce）。 6.2.2 硅单晶棒单位产品能源消耗DB31/792—2026 4硅单晶棒单位产品能源消耗按公式（２）计算： 𝑒＝𝐸 P····························································(1) 式中： 𝑒——统计报告期内硅单晶棒单位产品能源消耗，单位为吨标准煤每吨（tce/t）； E——统计报告期内硅单晶棒产品综合能耗，单位为吨标准煤（tce）； P——统计报告期内合格硅单晶棒产品产量，单位为吨（t）。 6.2.3 单晶硅