ICS 31.080.01 CCS K 81 T/ZZB 3936━2025 中高压绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动器 Medium to high voltage insulated-gate bipolar transistor （IGBT） driver 2025 - 12 - 20发布 2025 - 12 - 31实施 浙江省质量协会 发布 团体标准 全国团体标准信息平台 全国团体标准信息平台 T/ZZB 3936—2025 I 目 次 前 言 ................................................................................II 1 范围 ................................................................................1 2 规范性引用文件 ......................................................................1 3 术语和定义 ..........................................................................1 4 缩略语 ..............................................................................3 5 工作条件 ............................................................................3 6 基本要求 ............................................................................3 7 技术要求 ............................................................................4 8 试验方法 ............................................................................8 9 检验规则 ...........................................................................13 10 标志、包装、运输 、贮存 ............................................................14 11 质量承诺 ..........................................................................15 全国团体标准信息平台 T/ZZB 3936—2025 II 前 言 本文件按照GB/T 1.1—2020《标准化工作导则 第1 部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由浙江省质量协会归口。 本文件主要起草单位：杭州飞仕得科技股份有限公司。 本文件参与起草单位： 杭州飞仕得半导体科技有限公司、 杭州飞仕得芯动科技有限公司、浙江省质 量科学研究院。 本文件主要起草人：李军、王文广 、陈哲、钱方平 、刘晓明、洪磊 、张杰、江丰裕。 本文件评审专家组长：陈萍。 全国团体标准信息平台 T/ZZB 3936—2025 1 中高压绝缘栅双极型晶体管（ IGBT）驱动器 1 范围 本文件规定了中高压绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）驱动器的工作条件、基本要求、技术要求、试验 方法、检验规则、标志 、包装、运输、贮存及质量承诺。 本文件适用于新能源、工业控制等领域应用的 1200 V、1700 V、3300V、4500V和6500V电压等级绝缘 栅双极型晶体管驱动器（以下简称“驱动器”）。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。 其中， 注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T 191 包装储运图示标志 GB/T 2423.1 —2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验A: 低温 GB/T 2423.2 —2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验B: 高温 GB/T 2423.17 电工电子产品环境试验 第2部分 :试验方法 试验 Ka:盐雾 GB/T 12668.501—2013 调速电气传动系统 第 5-1部分：安全要求 电气 、热和能量 GB/T 15651 —1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分 :光电子器件 GB/T 16439 —2024 交流伺服系统通用技术规范 GB/T 17574 —1998 半导体器件 集成电路 第 2部分:数字集成电路 GB/T 17626.2—2018 电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗 扰度试验 GB/T 17626.3—2023 电磁兼容 试验和测量技术 第3部分：射频电磁场辐射抗扰度试验 GB/T 17626.4—2018 电磁兼容 试验和测量技术 电快速瞬变脉冲群抗扰度试验 GB/T 17626.5—2019 电磁兼容 试验和测量技术 浪涌（冲击）抗扰度试验 GB/T 17626.6—2017 电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB/T 17626.8—2006 电磁兼容 试验和测量技术 工频磁场抗扰度试验 GB/T 17626.9—2011 电磁兼容 试验和测量技术 脉冲磁场抗扰度试验 GB/T 26572 电子电气产品中限用物质的限量要求 GB/T 29332 半导体器件 分立器件 第9部分: 绝缘栅双极晶体管（IGBT ） GB/T 39392 —2020 家用电器专用智能功率模块技术规范 GB/T 44802 —2024 柔性直流输电用绝缘栅双极晶体管（IGBT）驱动器技术规范 SJ 3212 电子产品运输包装总技术条件 UL 94-2023 设备和器具零件用塑料材料的可燃性测试（UL Standard for safety tests for flammability of plastic materials for parts in devices and appliances） 3 术语和定义 全国团体标准信息平台 T/ZZB 3936—2025 2 GB/T 29332 、GB/T 44802—2024界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 开通延时 turn-on delay 驱动器输入PWM 信号上升沿 10%传输至驱动器输出信号上升沿10%所需的时间。 3.2 关断延时 turn-off delay 驱动器输入PWM 信号下降沿90% 传输至驱动器输出信号下降沿90%所需的时间。 3.3 上升时间 rise time 驱动器输出信号的门极关断电压（-15 V/ -8 V）的10%至门极开通电压（+15 V)的90%的时间量。 3.4 下降时间 fall time 驱动器输出信号的门极开通电压（+15 V ）的90%至门极关断电压（-15 V/-8 V）的10% 的时间量。 3.5 空载电流 no -load current 在额定电源电压且每路驱动输出在空载条件下的电源电流。 3.6 工作电流 operating current 在额定电源电压且每路驱动输出达到满载条件下的电源电流。 3.7 开通峰值电流 peak turn-on current 控制绝缘栅双极晶体管开通的过程中， 驱动器输出到其栅极的正极性电流峰值。 3.8 关断峰值电流 peak turn-off current 控制绝缘栅双极晶体管关断的过程中， 驱动器输出到其栅极的负极性电流峰值。 3.9 VCE短路保护响应时间 V CE short-circuit protectio n response time 功率器件绝缘栅双极型晶体管短路发生到驱动器执行关断的时间。 4 缩略语 下列缩略语 适用于本文件： IGBT：绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor) PWM：脉冲宽度调制（ pulse width modulation ） 全国团体标准信息平台 T/ZZB 3936—2025 3 LCR：测试电感、电阻、电容的数字电桥（inductance capacitance resistance meter） VCE：集电极- 发射极电压（collector-emitter voltage） VGE