K 46 JB 中华人民共和国机械行业标准 JB/T 7061 - 1993 电力半导体器件用硅圆片 1993-10-08发布 1994-01-01实施 中华人民共和国机械工业部 发布 中华人民共和国机械行业标准 JB/T7061-1993 电力半导体器件用硅圆片 主题内容与适用范围 本标准规定了电力半导体器件用硅单晶切割片和研磨片（简称硅片）的产品分类、技术要求、试验 方法、检验规则和标志、包装、运输与贮存。 本标准适用于直拉单晶、悬浮区熔单晶、中子嬉变掺杂单晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片。 2引用标准 GB 1550 硅单晶导电类型测量方法 GB 1555 硅单晶晶向光图测量方法 GB 2828 逐批检查计数抽样程序及抽样表 GB 6615 硅片电阻率的直排四探针测试方法 GB 6618 硅片厚度和总厚度变化的测试方法 GB 6619 硅片弯曲度的接触式测试方法 GB 11073 硅片径向电阻率变化的测试方法 GB12962 硅单晶 硅片分类 3 3.1导电类型及硅片类别 硅片按导电类型分为N型和P型，按硅单晶类别分为直拉、悬浮区熔和中子嬉变掺杂三类硅片。 3.2牌号 硅单品切割片和研磨片的牌号为： -Msi — CS(LS) 电阻率范围(Q·cm） 硅片直径尺寸（mm） -CS表示切割片 LS表示研磨片 硅单晶导电类型 硅片类别 硅片类别中CZ表示直拉法，FZ表示悬浮区熔法，NTD表示中子嬉变掺杂法。 例如：FZ-MsiN-LS51~60-60~80表示悬浮区熔N型硅单晶研磨片，直径为51~60mm，电 阻率为60~80m.cm。 4技术要求 机械工业部1993-10-08批准 1994-01-01实施 1 JB/T7061-1993 硅片的导电类型、电阻率、少子寿命、位错、晶向偏离度等物理参数应符合GB12962的规定。 4.1 4. 2 2非等径硅片的技术参数应符合表1的规定，硅片厚度按用户要求。 表 1 mm 直径范围 产品名附 技术参数 N40 >40~50 >50~60 >60~80 >80~100 厚度偏差 ± 0. 015 ±0.020 ± 0. 020 ±0.025 ±0.025 总厚度变化 ≤0.015 0200 ≤0.025 ≤0.030 ≤0.035 切割片 弯曲度 S10'0> ≤0.020 0200 期边 ≤1.0 厚度偏差 ± 0. 010 ±0. 010 ± 0. 010 ± 0.010 ± 0. 010 总厚度变化 ≤0. 005 ≤0.007 ≤0.007 ≤0.010 ≤0.010 研磨片 弯曲度 ≤0.010 ≤0.012 ≤0.015 ≤0.018 ≤0.020 崩边 ≤1.0 4. 3 等径硅片的技术参数应符合表2规定，硅片厚度根据用户要求。 表 2 直径范围 产品名酬 技术参数 ≤40 >40~50. 8 >50.8~63.5 >63.5~76.2 >76.2~90 >90~100 值径偏差 ± 0. 3 ± 0. 4 ± 0. 4 ± 0. 5 ± 0. 5 ± 0. 5 厚度偏差 ±0. 015 ± 0. 020 ± 0.020 ± 0. 025 ±0.025 ± 0. 030 总厚度变化 切割片 ≤0.015 ≤0.020 ≤0.025 ≤0.030 弯曲度 ≤0. 020 ≤0.020 ≤0.025 隔边 ≤0.4 N0. 4 ≤0.5 ≤0.5 80 直径偏差 ± 0. 3 ± 0. 4 ± 0. 4 ± 0. 5 ± 0. 5 ± 0. 5 厚度偏差 ± 0.010 ± 0. 010 ± 0.010 ± 0. 010 0100F OTO'OF 总厚度变化 S000> ≤0.007 ≤0.007 010.0% ≤0.010 研磨片 弯曲度 ≤0.012 S100> ≤0.018 ≤0.020 ≤0.020 未倒角 ≤0.4 N0.5 ≤0.5 803 80V ≤0.8 期边 倒 角 套圆片的直径偏差：0~0.20mm。 +t 4.5 硅片的晶向偏离度：≤3°。 4.6表面质量 4. 6. 1 硅片崩边径向延伸符合表1、表2的规定，周边长不大于2mm，每片硅片崩边总数不超过二个。 4. 6. 2 套圆片的崩边只允许单面存在，深度不超过片厚的0.5倍，数量不得超过三个。 4. 6. 3 套圆片沿径向延伸的崩边长度不得大于0.3mm。 非等径硅片沿径向延伸的缺口长度不得大于1mm，每片硅片的缺口不得超过二个。 4. 6. 4 切割片允许其表面有呈正常弧状条纹的刀痕，刀痕深度不得大于0.01mm。 4.6.5 4.6.6研磨片应看不出划道。 4. 6.7 硅片不允许有裂缝。 4.6.8 研磨片表面应无沾污和异常色彩斑点。 2 JB/T 7061 -1993 5试验方法 硅片导电类型测量按GB1550的规定进行。 5.1 5.2硅片电阻率测量按GB6615的规定进行。 5.3硅片径向电阻率变化测量按GB11073的规定进行。 5. 4 硅片品向测量按GB1555的规定进行。 硅片直径用精度为0.02mm游标卡尺测量。 5. 5 5.6 硅片厚度和总厚度变化测量按GB6618的规定进行。 5. 7 硅片弯曲度测量按GB6619的规定进行。 5.8 裂纹：8W荧光灯下目测， 5. 9 缺口：8W荧光灯下目测。 刀痕：8W荧光灯下目测或用刀痕深度测试仪测量。 5. 10 5. 11 崩边：8W荧光灯下目测或用直尺测量。 5. 12 划道：8W荧光灯下目测。 对表面质量有争议时，用4～6倍放大镜目测。 5. 13 检验规则 6 6. 1 每批硅片按表3进行检验。 6.2抽样检验不合格批的硅片，可按加严方法检验，但只能追加一次。 表3 检验要求 序丹 检验项目 引用标准 检验方法 抽样方案【 单位 合格判据 AQL 物 电阻率范 GB 6615 直排四探针法 n·cm GB12962表2、表3、表4 1. 0 径向电阻率变化 GB 11073 直排四探针法 GB12962表2、表3、表4 2. 5 数 品向偏离度 GB 1555 度 激光定向仪法 1. 0 厚度偏差 GB 6618 0.01mm千分尺 mm 表1、丧2 1.0 总厚度变化 GB 6618 0.01mm千分尺 表1、表2 形 mm 1. 5 弯曲度 GB 6619 三球面支座夸曲度测试仪 mm 表1、表2 1. 0 直径偏差 0.02mm游标卡尺 表2、4.4.条 mm 2. 5 在8W荧光灯下目测 mm、个表1、表2、4.6.1,4.6.2,4.6.3 1. 0 缺口 在8W荧光灯下目测 个 4. 6. 4 1. 0 表 裂纹 在8W荧光灯下目测 4. 6.7 1. 0 面 划道 在8W荧光灯下目测 4. 6. 6 2. 5 量 刀痕 在8W荧光灯下目测深度测试仪 mm 4. 6. 5 1. 0 沾污 在8W荧光灯下目测 4.6.8 1. 0 标志、包装、运输与贮存 7.1标志 3 JB/T7061-1993 硅片名称； a. b. 硅片重量： c. 供方名称、地址及邮政编码。 7. 1. 2 包装盒上应注明： 供方名称； a. b. 硅片名称及牌号； c. 硅片数量、重量； d. 包装日期。 7. 1. 3 包装盒内应附有硅片合格证，合格证上应注明： 供方名称； 8. b. 硅片名称及牌号； c. 掺杂元索， d. 是向； 晶体编号； e. f. 炉号； 少子寿命； g. h. 位错； i. 厚度； j. 片数或重量； k. 检验员及厂检验部门印记， 1. 本标准编号； m. 检验日期。 7. 2 2包装 硅片先装入洁净的塑料袋中，再装入相应规格的盒子中，然后将盒子装入包装箱。包装应具有防碎、 防损伤、防沾污措施。特殊的包装要求由供需双方商定。 7.3运输 硅片在运输过程中应轻装轻卸，严禁抛掷，采取防震、防潮措施。 7. 4 贮存 硅片应贮存在洁净、干燥环境中。 4 JB/T 7061 - 1993 附录A 术 语 （补充件） 晶向：晶体结晶方向。 A1 晶向偏离度：硅片法线与晶体结晶方向编离角度。 A2 A3 硅片厚度：硅片中心厚度值。 A4 厚度偏差：硅片中心点厚度的测量值与公称值之差。 A5 直径偏差：硅片直径的测量值与直径的公称值之差。 总厚度变化：硅片五点厚度（中心一点和距边缘6mm处问隔90°的四点）间的最大值与最小值之差。 A6 A7 弯曲度：硅片中线面的中心点处凸或凹形变的度量。 A8 缺口：硅片边缘穿透两面的缺损。 A9 崩边：硅片边缘不穿透两面的破损。 A10 裂纹：硅片表面或穿透两面的破损。 A11 刀痕：硅片在切割时进刀与退刀和刀刃片磨擦引起的痕迹。 A12 划道：硅片在研磨时，引起的表面划伤。 倒角：硅片圆周经加工倒出的圆弧状。 A13 A14 等径硅片：经滚磨或套圆加工有直径偏差的硅片。 A15 非等径硅片：不进行直径滚磨或套圆的硅片。 5 JB/T 7061 - 1993 附录B AQL抽样表 (补充件） 表B AQL 批量范围 样品量 0. 65 1. 0 1. 5 2. 5 N n Ac Re Ac Re Ac Re Ac Re 2~8 2 9~15 3 16~25 5 26~50 8 0 1 51~90 13 0 4 91~150 20 0 2 151~280 32 2 3 281~500 50 2 2 3 3 4 501~1200 80 I 2 2 3 5 1201~3200 125 2 3 3 4 5 6 7 8 3201~10000 200 3 4 5 6 10 11 表中：Ac：合格判定数；