K 46 JB 中华人民共和国机械行业标准 JB/T 4219 - 1999 电力半导体器件测试设备 型号命名方法 1999-08-06发布 2000-01-01实施 国家机械工业局 发布 JB/T4219-1999 前言 本标准是对JB4219-86《电力半导体器件测试设备型号命名方法》进行的修订。原技术内容无 变化，增加了双极型晶体管和绝缘栅双极型晶体管测试设备的型号。此外，本标准相对86年版本，还 有表述和编辑性的一些变化，如明确了为推荐性标准，增加了标准的英文名称、前言、“引用标准” 一 章等。 本标准编写规则按GB/T1.1一1993的规定。 本标准自实施之日起，代替JB4219一86。 本标准首次发布于1986年5月1日。 本标准由西安电力电子技术研究所提出并归口。 本标准由西安电力电子技术研究所负责起草。 本标准主要起草人：秦贤满。 1 中华人民共和国机械行业标准 JB/T 4219-1999 代替JB4219-85 电力半导体器件测试设备 型号命名方法 1范围 本标准规定了电力半导体器件测试设备型号的组成、各部分的意义和表示方法。 本标准适用于电力半导体器件电、热参数的测试设备（测试台、测试仪）和有关非标准卡、夹设 备的型号命名。 2引用标准 下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。在标准出版时，所示版本 均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。 GB/T2900.32—1994电工术语电力半导体器件（neqIEC60050（521）：1984） JB/T5844—1991 电力半导体器件参数符号（eqvDIN41785-3：1975） 3型号的组成及各部分的意义 电力半导体器件测试设备型号的组成如下图所示： 二 三 DBC ×××— 被测参数符号 设计序号（三位数） 表示电力半导体器件测试设备 型号由三部分组成，第一部分DBC是电力半导体器件测试设备的代号：第二部分为三位数字的 设计序号，前两位数字表示测试设备品种的代号，第3位数字表示测试设备产品代数或规格的代号： 第三部分是测试参数的符号，被测参数的名称和符号应分别符合GB/T2900.32和JB/T5844的规定。 4测试设备品种代号的意义 测试设备品种代号的意义应符合表1的规定： 国家机械工业局1999-08-06批准 2000-01-01实施 JB/T4219-1999 表 1 代号 意 义 01 通态及正向峰值电压测试仪（VrM、Var） 02 断态及反向伏安特性测试仪（VDM、VRMI、IDM、IRA） 门极触发特性、维持电流和擎住电流测试仪（VGr、IGr、In、IL） to 门极额定值参数测试仪（PGT、PGIAV、VRGNt） 05 指数电压上升率（dv/dt） 06 线性电压上升率（dv/dt） 07 门极控制开通时间测试设备（tg） 08 通态电流上升率测试设备（di/dt） 60 电路换向关断时间测试设备-（t。） 10 浪涌电流试验设备（ITSN、IFsM） 11 （备用综合电参数测试设备） 12 t测试设备（It） 13 恢复电荷和反向恢复时间测试设备（Q、t.） 14 热阻测试试备（R） 15 瞬态热阻抗测试设备（Za） 16~20 （备用电热参数测试设备） 21 控制温度和压力的辅助测试设备（T、F） 22 备用综合电参数测试设备 23 热循环负载试验设备（L,） 24 交流阻断或高温反偏耐久性试验设备（L,） 25 满负荷耐久性试验设备（L，） 26 门极功率耐久性试验设备（L.） 27 高温贮存耐久性试验设备（Ls） 28~30 （备用电、热耐久性试验设备） 31 换向电压上升率测试设备（dv/dtic：） 32 双向晶闸管浪涌电流测试设备（ITsM） 33 （备用综合电参数测试设备） 34. 中频电流测试设备（MIRAr） 35 少数载流子寿命测试仪（） 36~40 （备用派生品阐管和整流管的测试设备） GTR击穿电压、截止电流测试仪（V(BRICHO、V(BR）CEX、V(BRiCES、V(BRICEO、V(BRICER、V(BRIEBO 41 IcBO、IcEx、IcES、IcEO、IcER、IeBo) 42 GTR饱和电压测试仪（VcE（a）、VBE（at) 43 GTR放大倍数测试仪（h2le） 44 GTR维持电流测试仪（VCEO(SUS）、VCERTSUS）、VCEXISUS）） 45 GTR二次击穿测试设备 46 GTR开关时间测试设备（ton、tor） 47 GTR热阻测试设备（R） 48 GTR静态参数综合测试设备 49 GTR特性综合测试设备 50 （备用） 51 IGBT截止电压、截止电流测试设备（VcEsS、IcEs） IGBT集电极电流、饱和电压测试设备（Ic、Vce（m：） 52 53 IGBT栅极特性测试仪（VGES、IGES、VGE(TO）） 54 2 JB/T4219 -1999 表1（完） 代号 意 义 IGBT电容测试设备（Ciea、Coer、Crea） 55 56 IGBT热阻测试设备（R） 57 IGBT静态特性综合测试设备 IGBT综合测试设备（带模块夹具） 58 59~70 （各型晶体管的其它测试设备） 71~80 （新型电力半导体器件测试设备） 注：GTR为电流大于20A的双极型晶体管，通常称巨型晶体管。 IGBT是绝缘栅双极型晶体管的规范简称和缩写。 示例1：第一次设计的通态（正向）峰值电压测试设备的型号为： DBC011-VTM、VFM 当更新换代，第二次设计的该测试设备型号应为： DBC012—VTM、VFM 示例2：第一次设计的断态和反向伏安特性测试仪的型号为： DBC021-VDM/IpM、VRM/IRM 若此测试设备为第三代产品时，则其型号为： DBC023—VDM/IDM、VRM/IRM 5型号管理 5.1测试设备型号应清晰不易脱落地标志在测试设备面板或铭牌上。 5.2测试设备需经鉴定并符合有关测试方法国家标准或行业标准后，方可正式使用测试设备型号。 5.3使用表1备用代号的测试设备型号的单位，应向行业标准化归口单位申请备案和认可。 4219 -1999 JB/T 中华人民共和 机械行业标准 电力半导体器件测试设备 型号命名方法 JB/T 4219 -1999 * 机械科学研究院出版发行 机械科学研究院印刷 （北京首体南路2号 邮编100044） * 开本880×1230 1/16 /X 字数XXX.XXX 19XX年XX月第X版 19XX年XX月第X印刷 印数1-XXX 定价xXX.XX元 编号 XX-XXX 机械工业标准服务网：http://www.JB.ac.cn 4219 -1999 JB/T 中华人民共和 机械行业标准 电力半导体器件测试设备 型号命名方法 JB/T 4219 -1999 * 机械科学研究院出版发行 机械科学研究院印刷 （北京首体南路2号 邮编100044） * 开本880×1230 1/16 /X 字数XXX.XXX 19XX年XX月第X版 19XX年XX月第X印刷 印数1-XXX 定价xXX.XX元 编号 XX-XXX 机械工业标准服务网：http://www.JB.ac.cn