中华人民共和国电子工业行业标准 电子元器件详细规范 3DD313型 硅NPN低频放大管壳额定的 双极型晶体管 SJ/T10053—91 Detail specification for electronic components Case rated bipolartransistor for silicon NPN low-frequency amplification fortype3DD313 本标准适用于3DD313型硅NPN低频放大管壳额定的双极型晶体管，它是按照GB 7577《低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范》制订的。符合GB4936.1《半导体分立 器件总规范》I类的要求。 中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准 1991-07-01实施 SJ/T10053—91 中华人民共和国机械电子工业部 评定器件质量的根据： SJ/T10053—91 GB4936.1《半导体分立器件总规范》 3DD313型硅NPN低频放大管壳额定的双极型晶体管 订货资料：见本规范第7章 2简略说明 1机械说明 半导体材料：si 外形符合GB758187《半导体分立器件外形尺寸》中 封装：塑封(非空腔) F3—03A的要求 外形图如下： 应用：彩电中作伴音功放和顿输出等 3质量评定类别 1类 参考数据 Ptot=30W(Tease=25C) Plot=1.8W(Tamb=25C) Ie= 3A VcBo= 60V Vceo=60V ac Ve80 = 5V F303A hFE(1)=40~320 尺寸 minnommax min 符号 nom max 号 3. 5 4. 8 e 2.54 B 2. 4 F [1.1 1. 4 B 1.8 L 12.5 14. 5 b 0.6 Li 3. 5 1. 2 L 6. 3 c 0. 4 $P D 16.5 Q 2.5 3. 1 D; 5.9 6. 9 Qi 2.0 2. 8 E 10.7 3.0 引出端识别：3.发射极 2.集电极 1.基极 SJ/T10053-91 4极限值（绝对最大额定值） 除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。 数 值 条文号 参数名称 符号 单位 最小值 最大值 4. 1 管壳温度 Tease -40 150 4. 2 贮存温度 Tatg -40 150 4. 3 集电极—基极最大直流电压 VcBo 60 V 4. 4 集电极—发射极最大直流电压 VcEO 60 4. 5 发射极——基极最大直流电压 VEBO V 4. 6 集电极最大直流电流 Ie 3 A 4. 8.1 最大总功耗 Ptot 30 W (Tcase=25C) 1. 8 W (Tcasem25 C) 4. 8. 2 最高有效结温 T(vi) 150 c 4. 9 直流安全工作区 见本规范第10章的图 5电特性 数 特性和条件 值 试验 条文号 符号 单位 除非另有规定，Tamb=25℃ 组别 最小值 最大值 5.1 共发射极正向电流传输比静态值 hre(1) C 40 80 A2b Vcg=2V,lc=1A D 60 120 E 100 200 F 160 320 5. 3 共发射极正向电流传输比静态值 hrg(2) 40 C2b Vc=2V,lc=0.1A 5. 4 特征频率 fr 3 MHz C2a Vcg=5V,lc=0.5A,f=1MHz 5. 6 截止电流 集电极一基极截止电流 Ico (1) 100 A2b MA Vc=60V 集电极一发射极截止电流 Iceo 1 mA A2b Vce=60V 发射极一基极截止电流 Irno 1 mA A2b VgB=5V 5.7 高温下的截止电流 集电极一基极截止电流 Icno(2) 1 mA C2b Tamb=100C;Vcs=40V 集电极一发射极饱和电压 VcE(at) 5.8 1. 0 V A3 g=0.2A,lc=2A -3- SJ/T10053-91 续表 特性和条件 数 值 试验 条文号 符 号 单位 除非另有规定，Tamb=25℃ 最小值 组别 最大值 5. 9 基极一发射极电压 VBE 1. 5 V A2b Vcg=2V,lc=1A 5. 10 热阻 R th(j-case) c/w C2b 4 6标志 6.1器件上的标志 产品型号3DD313； b. hFE分档标志按hFE分档规定打上字母； 质量评定类别标志I，放在型号标志后面； c. d. 制造厂商标； 检验批的识别代号。 e. 6.2包装盒上的标志 a.重复器件上的标志； b. 标上“怕湿”等注意标记。 7订货资料 订货单上应有下列内容： a.准确的型号； b.hfe分档标志； c.本规范的编号； d.其他。 8试验条件和检验要求 本章中除非另有规定，引用的条文号对应于GB4936.1,GB4937《半导体分立器件机械和 气候试验方法》和GB4938《半导体分立器件接收和可靠性》的条文号，测试方法引自 GB4936.1的6.1.1。 SJ/T10053-91 A组逐批 全部试验都是非破坏性的。 检验要求 检验或试验 引用标准 极 限 除非另有规定，Tamb=25℃ 单位 IL AQL 最小值最大值 A1分组 0. 65 I 外部目检 GB 4936.1 5. 1.1 A2a分组 0. 15 不工作器件 Icao (1) T—001 VcB=60V 10 mA hre(1) T006 V=2V,lc=1A 5 A2b分组 0. 65 Ic8o(1) T001 Vcs=60V 100 μA Iceo T-009 Vce=60V 1 mA IgBo T-002 VgB=5V 1 mA hre(1) T006 Vcg=2V,lc=1A c 40 80 D 60 120 E 100 200 F 160 320 VBE T005 Vce=2Vlc=1A 1. 5 V A3分组 S4 1. 0 VcE(at) T003 Ig=0.2A;lc=2A 1. 0 V B组—逐批 标注(D)的试验为破坏性的。 检验 要求 条件 检验或试验 引用标准 极 限 单 除非另有规定Tamb=25℃ LTPD 最小值最大值 位 B1分组 15 尺寸 GB 4936.1 见外形图 5.2和附录C B3分组 15 引出端强度 GB 4937 签状引出线；方法2； 无损伤 弯曲(D) 2.1.2 受试引出端数：3；F=5N B4分组 15 可焊性 GB4937,2.2.1 试验b 润湿良好 受试引出端数：3 SJ/T10053—91 B组-—逐批（续） 检验 要求 条件 检验或试验 引用标准 极 限 单 除非另有规定Tamb=25℃ LTPD 最小值 最大值 位 B5分组 20 温度变化 GB 4937,3.1.2 温度变化：采用两槽法 TA=0℃;T=100℃ 循环次数：10次 严格度：1 继之以交变湿热 GB 2423. 4 试验Ds 严格度：55℃ 循环次数：6次 湿热方式：2 最后测试 Ico(1) T001 Vcg=60V 100 μA hre(1) T—006 Vce=2V;le=1A c 40 80 D 60 120 E 100 200 F 160 320 B8分组 10 电耐久性 GB 4938 时间：168h Vcg=40V; 最专测试 Pc=1.8W;(Tamb=25C) hpe(1) T--006 Vc=2V,lc=1A c 32 96 D 48 144 E 80 240 128 384 Icro(1) T001 VcB=60V 200 μA CRRL分组 B3、B4、B5和B8分组的属性资料 *有争议时，可采用GB2423.32《电工电子产品基本环境试验规程润湿称量法的可焊性试验方法》，润湿 过程，按使用非活性焊剂时，在3s内达到理论润湿力的35%。 SJ/T10053—91 C组—周期 标注(D)的试验是破坏性的。 检验 要 求 条件 检验或试验 引用标准 极 限 单 除非另有规定Tamb=25℃ LTPD 最小值最大值 位 C1分组 30 尺 寸 GB4936.1,5.2 全部尺寸 见外形图 和附录C C2a分组 5 fr T-041 Vcg=5V;lc=0.5A; MHz f=1MHz C2b分组 15 Ico(2) T001 Vc=40V;Tamb=100℃ mA hre(2) T-006 Vce=2V,le=0.1A 40 C2d分组 20 RthG+C) G—003 c/w C3分组 15 引出端强度： GB 4937;2.1 受试引出端数：3 无损伤 拉力(D) 外加力=10N C4分组 15 耐焊接热(D) GB4937,2.2.2 方法1A 每6个月一次 最后测试： 同B5分组 C7分组 20 稳态湿热(D) GB 4937,3.5 Tamb=35℃ 相对湿度=85%； VcB=48V时间=168h 最后测试 同B8分组 C8分组 10 电耐久性 GB 4938 1000h; Vce=40V 最后测试 Pc=1.8W(Tamb=25C) 同B8分组 C9分组 15 高温忙存(D) GB4937,3.2 时间=1000h； Tstg=150℃ 最后测试： 同B8分组