中华人民共和国电子工业行业标准 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT54LS195/CT74LS195 SJ/T10047-91 型4位移位寄存器（并行存取） Detail Specification for electronic components Semiconductor integrated circuit CT54LS195/CT74LS1954-bit parallel -access shift register 本规范规定了半导体集成电路CT54LS195/CT74LS195型4位移位寄存器（并行存取） 质量评定的全部内容。 本标准符合GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB/T12750《半导 体集成电路分规范（不包括混合电路）》的要求。 中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准 1991-07-01实施 ?1 SJ/T1004791 中华人民共和国机械电子工业部 评定器件质量的依据： GB4589.1《半导体器件分立器件和 集成电路总规范》 SJ/T10047-91 GB/T12750《半导体集成电路分规范 （不包括混合电路）》 CT54LS195/CT74LS195型4位移位寄存器（并行存取）详细规范 订货资料：见本规范第7章。 1机械说明 2简要说明 外形依据：GB7092《半导体集成电 双极型寄存器电路 路外形尺寸》。 半导体材料：硅 外形图：GB7092 封装：空封、非空封 逻辑图、功能表：见本规范第11章。 D型 5.3.条及5.3.1条 品种： J型 5.4条及5.4.1条 型 环境温度 P型 5.5条及5.5.1条 0~70℃ -55~125℃ (C) (M) F型 5.1条及5.1.1条 封装形式 陶瓷直插(D) CT54LS195MD 引出端排列： 黑瓷直插(J) CT74LS195CJCT54LS195MJ 塑料直插(P) CT74LS195CH CRC 多层陶瓷扁平(F) CT54LS195MF pr 150 kd 14bo, D.C 13bQ: D.C 120Q3 D0 DO 10cP GND8 9DSH/LD 引出端符号名称见本规范第11.1 条。 质量评定类别 3 标志：按GB4589.1第2.5条及本 I,IA,IB,IC 规范第6章。 -2 SJ/T10047-91 极限值（绝对最大额定值） 若无其他规定，适用于全工作温度范围。 数 值 条款号 参 数 符 号 单 位 最小 最大 54 55 125 4. 1 工作环境温度 Tamb c 74 70 4. 2 贮存温度 T'stg 65 150 c Vec 4. 3 电源电压 7 V 4. 4 输入电压 Vi 7 V - 多发射极晶体管 4. 5 Vn 5. 5 V 输入端间的电压 5电工作条件和电特性 电特性的检验要求见本规范第8章。 5.1电工作条件 若无其他规定，适用于全工作温度范围。 数 值 条款号 参 数 符 号 单 位 最 小 最 大 54 4. 5 5. 5 5. 1.1 电源电压 Vec V 74 4. 75 5. 25 5. 1. 2 输入高电平电压 VH 2 54 0. 7 5. 1.3 输入低电平电压 Vu V 74 0. 8 5. 1. 4 输出高电平电流 loH -400 μA 54 4 5. 1. 5 输出低电平电流 loL mA 74 8 5. 1. 6 时钟频率 fcp 0 30 MHz CR 12 fw 5. 1.7 脉冲宽度 n s CP 16 SH/LD CR 25 5. 1. 8 建立时间 Iset n s JKD 15 5. 1. 9 撤离时间SH/LD tree 10 n s 5. 1.10 保持时间KD tH n s 5.2电特性 3 SJ/T 10047--91 若无其他规定，适用于全工作温度范围。 规范值 条款号 特性和条件" 符号 单位 试验 最小 最大 54 输出高电平电压 2.5 A3 5. 2.1 Vcc=最小Vm=2V VoH A3a 74 2. 7 VL=最大loH=-400μA A3b 输出低电平电压 54 lo.=4mA 0. 4 A3 Vec=最小 5. 2. 2 lo.=4mA Vor 0. 4 V A3a VW= 2V 74 A3b loL=8nA Vu=最大 0. 5 A3 输入钳位电压 5. 2.3 Vix 1. 5 V A3a Vec=最小Iik=—18mA A3b A3 输入高电平电流 5. 2. 4 ItH 20 μA A3a Vcc=最大VH=2.7V A3b A3 输入低电平电流 5.2.5 In. - 0. 4 mA A3a Vec=最大Vn=0.4V A3b A3 最大输入电压下的输入电流 5. 2. 6 1, 0. 1 mA A3a Vcc=最大V=7V A3b A3 输出短路电流 5. 2.7 los -20 100 mA A3a Vec=最大 A3b 电源电流 A3 5. 2. 8 Vcc=最大输出端开路 Icc 21 mA A3a SH/LD接地其余输入端接4.5V A3b 5. 2. 9 最高工作频率 fmax 30 MHz A4 CR-Q tpHI. 30 传输时间 5. 2.10 Ci=15pFR=2kn tPLH 22 CP→Q ns A4 Tamb=25℃Vcc=5V tpHI. 26 注：1）条件中"最大”或"最小”指的是5.1条规定的值。 6标志 SJ/T10047--91 器件上的标志示例： 认证合格标志(适用时) CT74LS195CP 型号 引出端识别标志 口 BA 质量评定类别 8916 制造单位商标 检验批识别代码 由于器件尺寸的限制，允许将“检验批识别代码”、“质量评定类别”标在器件背面。 订货资料 若无其他规定，订购器件至少需要下列资料： a.产品型号； 详细规范编号； b. 质量评定类别； 其他。 8 试验条件和检验要求 抽样要求：根据采用的质量评定类别，参照GB/T12750第9章的有关规定。 A组检验的抽样要求 AQL 分 组 I 类 1 类 IL AQL IL AQL A1 1 0. 65 0. 65 A2 I 0. 1 1 0. 1 A3 1 0. 15 1 0. 15 A3a S4 1. 0 S4 1. 0 A3b S4 1. 0 S4 1. 0 A4 S4 1. 0 S4 1. 0 SJ/T10047—91 B组、C组和D组检验的抽样要求 LTPD 分 组 1 类 I类 A B c B1 15 15 15 15 C1 20 20 20 20 C2b 15 15 15 15 B3C3 15 15 15 15 B4C4 10 10 10 10 B5C5 10 10 10 10 C6 20 20 20 20 C7 15 15 15 15 B8C8 10 5 7 10 C9 15 5 7 15 C11 20 20 20 20 B21 20 10 10 15 C23 20 10 15 20 C24 20 10 15 20 D8 10 5 7 10 A组—逐批 所有试验均为非破坏性的 条件 检验要求 检验或试验 引用标准 若无其他规定，Tamb=25℃ 规范值 （见GB4589.1第4.1条） A1分组 GB 4589.1 标志清晰，表面 GB4589.1第4.2.1.1条 外部目检 第4.2.1.1条 无损伤和气孔 .A2分组 按本规范5.2.1条、5.2.2条和 按本规范5.2.1条、 25℃下的功能验证 11.3条 5.2.2条和11.3条 GB3439《半导体集 A3分组 按本规范5.2.1条至5.2.8条和 按本规范5.2.1条至 成电路TTL电路测 25℃下的静态特性 10.1条 5.2.8条 试方法的基本原理》 SJ/T 10047--91 A组- 一逐批（续） 条件 检验要求 检验或试验 引用标准 若无其他规定Tamb=25℃ 规范值 （见GB4589.1第4.1条） A3a分组 Tamb按本规范4.1条规定的最 最高工作温度下的 GB3439 同A3分组 大值。条件：同A3分组 静态特性 A3b分组 Tamb按本规范4.1条规定的最 最低工作温度下的 GB3439 同A3分组 小值。条件：同A3分组 静态特性 A.4分组 GB 3439 按本规范5.2.9条和10.2条 按本规范5.2.9条 25℃下的动态特性 B组-逐批 标有(D)的试验是破坏性的 条件 检验要求 引用标准 检验或试验 若无其他规定，Tamb=25℃ 规范值 （见GB4589.1第4.1条） GB 4589.1 B1分组 第4.2.2条 按本规范第1章 尺寸 及附录B GB4590半导体集成电路 B4分组 机械和气候试验方法》 按方法b(槽焊法) 浸润良好 可焊性 第2.5条 B5分组 温度快速变化 a.空封器件 GB4590第3.1条 温度按本规范第4.2条规定 温度快速变化 循环次数：10次 随后进行： 电测量 同A2、A3分组 同A2、A3分组 密封：细检漏 GB4590第3.12条 按规定 粗检漏 GB4590第3.13条 按规定