ICS 29.080.10 K 48 备案号：20838-—2007 中华人民共和国机械行业标准 JB/T10583-—2006 低压绝缘子瓷件技术条件 Technical specifications of porcelain element for low voltage insulators 2006-07-27发布 2006-10-11实施 中华人民共和国国家发展和改革委员会发布 JB/T10583—2006 目 次 前言.. 1 范围. 2规范性引用文件 3术语和定义 4材料和工艺， .2 5技术要求， 2 5.1尺寸偏差 2 5.2形位偏差. 3 5.3 瓷件的外观质量.. 5.4 干法成形瓷件的吸水率 5.5 湿法成形瓷件的孔隙性 5.6 温度循环试验要求.. 5.7 干法成形低压电器瓷件的电气和机械性能试验要求 6 试验方法 5 6.1 外观检查 5 6.2 尺寸检查. 5 6.3 形位公差检查 6 6.4 温度循环试验. 孔隙性试验. 6.5 6.6 吸水率试验... 6.7 工频耐受电压试验 绝缘电阻测量. 6.8 .8 6.9 冲击弯曲强度试验 8 6.10打击试验 7 试验分类和项目 7.1 试验分类 7.2 逐个试验. 7.3 抽样试验， 7.4型式试验... 8包装与标志 11 表1干法成形瓷件的尺寸偏差 表2湿法成形瓷件的尺寸偏差. 表3瓷件端面的平行度公差 表4瓷件安装支承面的平面度公差 表5瓷件表面缺陷最大允许值. 表61min工频试验电压. 表7瓷件逐个试验项目.. 表8批量与样本容量字码 10 1 JB/T10583—2006 表9抽样方案， ..10 表10抽样试验项目 表11 型式试验项目... IⅡI JB/T105832006 前言 本标准由GB/T773—1993《低压绝缘子瓷件技术条件》调整为机械行业标准。 本标准由中国机械工业联合会提出。 本标准由全国绝缘子标准化技术委员会 （SAC/TC80）归口。 本标准起草单位：西安电瓷研究所。 本标准主要起草人：李大楠、刘树横、王云鹏。 本标准为首次发布。 II JB/T10583—-2006 低压绝缘子瓷件技术条件 1范围 本标准规定了低压绝缘子瓷件的技术要求、试验、包装和标志的一般要求。 本标准适用于直流电压低于1000V的或交流电压低于1000V、频率不超过100Hz的架空电力线 路、电气装置和设备上使用的绝缘子瓷件。 本标准不适用于在有破坏瓷及釉的介质（气体或液体）中工作的瓷件。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的 是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T191-2000包装储运图示标志（eqvISO780：1997） GB/T1001.1-2003标称电压高于1000V的架空线路绝缘子第1部分：交流系统用瓷或玻璃绝 缘子元件--定义、试验方法和判定准则（IEC60383-1：1993，MOD） GB/T1182一1996形状和位置公差通则、定义、符号和图样表示法（eqvISO1101：1996） GB/T2900.8--1995电工术语绝缘子 GB/T16927.1一1997高电压试验技术第—部分：一般试验要求（eqvEC60060-1：1989） JB/T3384—1999高压绝缘子抽样方案 JB/T5896—1991常用绝缘子术语 IEC60672-1：1995陶瓷和玻璃绝缘材料第1部分：定义和分类 3术语和定义 GB/T2900.8、JB/T5896和GB/T1182中确立的以及下列术语和定义适用于本标准。 3.1 斑点freckles 熔化在瓷件表面上的杂物（如铁质、石膏等）所形成的异色斑点。 3.2 杂质inclusions 粘附在瓷件表面上的钵屑、砂粒、石英粉等颗粒。 3.3 烧缺imperfection 坏体内杂物烧去后所形成深人瓷件上的凹陷。 3.4 气泡bubbles 因杂物分解在瓷体表面所形成的泡。 3.5 粘釉glazestick 在熔烧时，由于瓷件相互之间或与外物粘连而损坏釉面或瓷体的缺陷。 3.6 碰损chippings 1 JB/T10583—2006 坏件或瓷件相互之间或与外物相碰击而伤及釉面或瓷体的缺陷。 3.7 缺釉 spotswithoutglaze 瓷件规定应上釉的表面上露出的瓷件无釉部分。 3.8 釉面针孔pinholesintheglaze 瓷件釉面上呈现的不深人瓷体的、直径在1mm以下的小孔。 3.9 堆釉 白stackedglaze 高出正常釉面的积釉部分。 3.10 折痕folds 坏泥折叠在坏件表面上面而未开裂的痕迹。 3.11 刀痕 scratches 由于坏件加工不当，在表面上造成的细条痕迹。 3.12 波纹 waviness 由于坏件加工不当，在表面上造成的不平痕迹。 4材料和工艺 低压绝缘子瓷件按材料和工艺可分为以下两类 符合EC60672-1：1995的C100硅质瓷，湿法成形制造；符合EC60672-1：1995的C111硅质瓷， 干法成形制造。 5技术要求 5.1尺寸偏差 5.1.1干法成形瓷件的尺寸偏差 除另有规定，干法成形瓷件的尺寸偏差应符合表1的规定。 表1干法成形瓷件的尺寸偏差 mm 允许偏差 尺寸 主要尺寸 非主要尺寸 d I级 ⅡI级 I级 IⅡI级 ±0.25 ±0.45 ±0.5 ±1.0 9>P 6<d≤10 ±0.3 ±0.5 ±0.6 ±1.2 10<d≤18 ±0.35 ±0.6 ±0.7 ±1.4 18<d≤30 ±0.45 ±0.7 ±0.8 ±1.6 30<d≤50 ±0.5 ±0.85 ±1.0 ±2.0 50<d≤80 ±0.6 ±1.0 ±1.2 ±2.4 80<d≤120 ±0.7 ± 1.2 ±1.4 ±2.8 120<d≤180 ±0.8 ±1.4 ±1.7 ±3.4 180<d≤250 ±0.95 ±1.5 ±2.0 ±4.0 d>250 ±0.4%d P%9'0 P%8'0干 ±1.6%d 注1：表中的“d”指被测部位的尺寸。 注2：表中的“主要尺寸”指影响瓷件装配、连 连接或电气性能部位的尺寸 注3：若未作规定，允许偏差可按等级II规定。瓷件非主要尺寸的偏差等级一般与主要尺寸的偏差等级相同。 2 JB/T10583—2006 瓷件爬电距离的负偏差，不应超过表1中非主要尺寸栏规定的下偏差值，对上偏差值不作规定。 5.1.2湿法成形瓷件的尺寸偏差 除另有规定，湿法成形瓷件的尺寸偏差应符合表2的规定。 表2 湿法成形瓷件的尺寸偏差 mm 允许偏差 尺 主要尺寸 d 非主要尺寸 I级 II级 d≤18 ± 1.0 ±1.35 ±2.0 18<d≤30 ±1.2 ±1.65 ±2.4 30<d≤40 ±1.3 ±1.8 ±2.6 40<d≤50 ± 1.5 ±2.0 ±3.0 S9>P>0S ±2.0 ±2.25 ±4.0 65<d≤80 ±2.3 ±3.0 ±4.6 80<d≤100 ±2.65 ±3.5 ±5.3 100<d≤140 ±2.9 ±4.5 ±5.8 140<d≤180 ±3.15 ±5.5 ±6.3 180<d≤250 ±3.6 ±6.5 ±7.2 d>250 ±1.5%d ±2.6%d ±3.0%d 注1：表中的“d”指被测部位的尺寸。 注2：表中的“主要尺寸”指影响瓷件装配、连接或电气性能部位的尺寸。 注3：若未作规定，允许偏差可按等级II规定。瓷件非主要尺寸的偏差等级一般与主要尺寸的偏差等级相同。 瓷件爬电距离的负偏差，不应超过表1中非主要尺寸栏规定的下偏差值，对上偏差值不作规定， 5.2形位偏差 5.2.1平行度 瓷件两平行平面（两装安装面或安装平面与端面）的平行度公差应符合表3的规定。 表3瓷件端面的平行度公差 mm 瓷件端面尺寸（长、宽、 平行度公差 直径的最大者） 干法成形瓷件 湿法成形瓷件 D 1级 II级 I级 IⅡI级 D≤30 0.3 0.6 0.5 0.9 1.7%D 2.6%D 65<D≤100 0.8 1.3 D>100 0.8%D 1.3%D 注：若未作规定，平行度公差可按等级II规定。 5.2.2 平面度 瓷件安装支承面的平面度公差应符合表4的规定。 3