ICS31.080 L54 SJ 备案号：50541-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T22142015 代替SJ/T2214.1~SJ/T2214.10—1982 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法 Measuring methods for semiconductorphotodiodeand phototransistor 2015-04-30发布 2015-10-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T22142015 目 次 前言 II 范围 1 2 规范性引用文件 3术语和定义 3.1半导体光电二极管 3.2半导体光电晶体管 3.3半导体光电二极管和光电晶体管 一般要求 4.1 总则 4.2 测试仪器/仪表 4.3 电源 4.4 测试环境条件 详细要求 5 半导体光电二极管正向电压 5.1 半导体光电二极管暗电流 5.2 5.3 半导体光电二极管反向击穿电压 半导体光电二极管结电容。 5.4 5.5 半导体光电二极管阵列串扰 5.6 半导体光电二极管反向击穿电压温度系数 5.7 半导体光电二极管响应度.. 12 5.8 半导体光电二极管阵列单元内响应度非均匀性 13 5.9 半导体光电二极管阵列单元间响应度非均匀性 14 5.10 半导体光电晶体管集电极-发射极击穿电压 15 5. 11 半导体光电晶体管饱和压降 16 5.12 半导体光电晶体管暗电流 17 5.13 半导体光电二极管/光电晶体管上升和下降时间 18 5.14 半导体光电二极管/光电晶体管光电流 SJ/T22142015 前言 本标准代替SJ/T2214.1~2214.10—1982。本标准在SJ/T2214.12214.10—1982的基础上除格式 修改外主要变化如下： 增加了术语和定义（见第3章）： -增加了半导体光电二极管阵列串扰（直流、交流）的测试方法（见5.5）： 增加了半导体光电二极管反向击穿电压温度系数的测试方法（见5.6）： 增加了半导体光中二极管阵列单元内响应度非均匀性的测试方法（见5.8）： 增加了半导体光电极管阵列单元间响应度非均匀性的测试方法 （见5.9）； 将原标准名称更改为半导体光电二极管和光电晶体管测试方法 本标准由工业和信总化部电子工业标准化研究院归口。 卓位中国电子科技集团公司第四十四研究所。 本标准起草单 本标准主要 起草人 郭萍 本标准的历次版本发布情况 SJ 2 0 982; SJ2214.2 1982; 1982; SJ2 982; 982; SJ221 SJ22 982; SJ221 SJ2214 SJ2214.9 1982 SJ2214.10 1982. RDS D II SJ/T22142015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法 1范围 本标准规定了半导体光电二极管和光电晶体管（以下简称“器件”）光电参数的测试方法。 本标准适用于半导体光电二极管和光电晶体管光电参数的测试。 本标准不适用PIN、雪崩光电二极管的测试。 2规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T2421.1—2008电工电子产品环境试验 概述和指南 GB/T11499—2001半导体分立器件文字符号 3 术语和定义 3.1半导体光电二极管 3. 1.1 正向电压 forward voltage VF 无光照并通过器件的正向电流为规定值时，正负极间产生的电压降。 3. 1. 2 暗电流 darkcurrent IR(D) 无光照并在器件两端施加的反向电压为规定值时，通过器件的电流。 3.1.3 反向击穿电压 reversebreakdownvoltage VBR 无光照并通过器件的反向电流为规定值时，在两极问产生的电压降。 3.1.4 结电容 capacitance Cj 无光照并在规定反向电压和频率下，器件两端的电容值。 SJ/T2214—2015 3.1.5 噪声等效功率 noiseequivalentpower NEP 在规定光波长、调制频率和反向电压下，信号产生的均方根电流等于单位带宽均方根噪声电流时的 入射光功率。 3.1.6 阵列直流串扰 tDCarraycrosstalk SL(DC) 在规定反向偏置电压、波长和光功率下，器件中光照单元的光电流与任意一个相邻单元光电流之比 中最大值。 3.1.7 阵列交流串扰 SL(AC) 号幅值与任意一个相 邻单元输出信号幅值之比中最大值。 3.1.8 反向击穿 宇电压温度系数 temperaturecoefficientofVBR av 无光照并在规定的温度范围内，温度改变1C对应反尚 向击穿电压的改变量 3.1.9 非均匀性 unifomityofresponsity a 在规定条件 器件 阵列单元内响应度标准偏差与平均响应度的百分比 3.1.10 S 阵列单元间响应度非始 uniformity-ofarray'sresponsi ND RDS gj 在规定条件下，器件中阵列单无响应度的标准偏 与阵列单元响应度平均值的百分比。 3.1.11 响应度 responsivity R. 在规定反向电压和波长下，单位光功率产生的光电流。 3.2半导体光电晶体管 3.2.1 集电极-发射极击穿电压 collector-emitterofreversebreakdown voltage V(BR)CEO 无光照并在集电极电流为规定值时，集电极与发射极间的电压降。 2 SJ/T22142015 3.2.2 饱和压降 saturationpressure VCE (sat) 在给定光照（基极开路）下，集电极电流达到规定值时，集电极与发射极间的电压降。 3. 2. 3 暗电流 darkcurrent I (D) 无光照（基极开路）并在集电极-发射极间的电压为规定值时，通过集电极的电流。 3.3半导体光电二极管和光电晶体管 3. 3.1 上升时间 risetime 在规定工作条件下，调节输入脉冲光使光电二极管/光电晶体管输入相应的脉冲电流至规定值，以 输出脉冲前沿幅度的10%至90%所需时间为脉冲上升时间。 3. 3.2 下降时间 falltime tr 在规定工作条件下，调节输入脉冲光使光电二极管/光电晶体管输入相应的脉冲电流至规定值，以 输出脉冲后沿幅度的90%至10%，所需时间为脉冲下降时间。 3. 3. 3 光电流 lightcurrent Ip 在规定光照和规定的工作电压（光电晶体管基极开路）下，通过光电二极管/光电晶体管的电流。 4一般要求 4.1总则 器件测试的具体要求应在相关文件中规定，若不指明出处时，本标准中使用“规定”一词时，指按 相关文件的规定。 4.2测试仪器/仪表 4.2.1通则 各有关参数的测试仪器应预先进行检定或校准。 4.2.2 2直流电表 电参数指示用电表的测量误差不大于0.5%。 SJ/T22142015 4.2.3 指示用电表 工作点指示用电表的测量误差不大于0.5%。 4.2.4示波器 示波器的响应时间应满足准确度的要求。 4.3 电源 测量设备中用交流整流作直流电源时，纹波系数不大于0.1%，电压稳定度优于0.1%。 测试环境条件 4.4 4.4.1 测量用标准大气条件 环境温度： a) 15 b) 相对湿度： 大气压强 c) 86kPa106kPax 仲裁测量用标准大气条件 4.4.2 除另有规 421.1—2008第5章及以下规定 温度 23C a) +1℃; b) 相对 显度： 48%~52% 大气 c) 86kPa~106kPa。 4.4.3 其他环 境条件 S 除另有规定外 其环境条件应按下列规定 测试环境应无影响测量准确度的机械振动、静电、电磁和光照等天 a) 器件全部光电参数应在热平衡下进行（要有足够测量预热时间） b) c) 测量系统应接地良好。 S 详细要求 IND A RDS 半导体光电二极管正向电压 5.1 5.1.1 测试目的 在规定条件下，测试半导体光电二极管的正向电压。 5.1.2 测试原理图 测试原理图见图1。