ICS 01.040.81 SJ Q33 备案号：52021-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11553—2015 93%氧化铝真空电子用陶瓷 93%A1203ceramicsforvacuumelectronicdevice 2015-10-10发布 2016-04-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T11553—2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会·（SAC/TC203）归口。 本标准主要起草单位：湖南新化县鑫星电子陶瓷有限责任公司、上海材料研究所、河南济源兄弟材 料有限公司、中国电子科技集团公司第十二研究所。 本标准起草人：谢建林、曹培福 SJ LOGY STA IND SJ/T11553—2015 93%氧化铝真空电子用陶瓷 1范围 本标准规定了真空电子器件专用93%氧化铝陶瓷的定义、性能要求、试验方法、检验规则、标志、 包装、运输和贮存等。 本标准适用于真空电子器件装置瓷体及装置零件等用的氧化铝质量分数为（93土0.5）%氧化铝陶 瓷（93%氧化铝瓷）。其他领域使用的结构 化铝陶瓷可参照使用。 ND 2规范性引用文件 TRY 下列文件对于本文性的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用友件， 其最新版本包活所有的修改单）适用家本文件 GB/T1031 品儿何规范（GPS）表面结构 廊法表面粗糙度 放及其数值 GB/T2421 2008 电工 产品环境试验 概述和指南 GB/T2828 数抽样检验 序第1部分：按接收质量限（L）检索的逐批检验抽样计划 GB/T5591 元器件结构陶容材料 元器件结构 气密性刻试方法 GB5594. 电子 GB5594.2 元器件结构瓷材料性能 杨氏弹 量、泊松 北测试方法 GB5594.4 洗器件维 质损糕 正切值的测证 GB5594.5 陶瓷材料性 体积电 摩测试方法 GB 5594.8 件结构陶瓷材料性能测试方法显微结构的测定 GB/T 5597 质微波复介电常数的测试方法 GB/T6569 精细陶滑湾的强度试验方法 GB/T6609.9 GB9530 电子陶瓷名调术 A类瓷件技术条件 AND GB9531.2 GB9531.3 B类瓷件技术条件 GB 9531.4 C类瓷件技术条件 GB 9531.5 D类瓷件技术条件 GB 9531.6 E类瓷件技术条件 GB9531.7 F类瓷件技术条件 GB/T16534 精细陶瓷室温硬度试验方法 GB/T16535 精细陶瓷线热膨胀系数试验方法 GB/T22588 闪光法测量热扩散系数或导热系数 GB/T25995 精细陶瓷密度和显气孔率试验方法 SJ/T10742 电子陶瓷零件公差 SJ/T11553—2015 术语和定义 GB9530界定的术语和定义适用于本文件。 性能要求 4 4.1 外观 4.1.1 瓷件应清洁。 4. 1. 2 瓷件应无裂纹、夹层、龟裂纹、融洞等缺陷。 4.1.3 瓷件允许缺陷应符合GB9531.4规定的技术条件。 4. 1. 4 瓷件色调一致性应符合GB9531.2~GB9531.7各类瓷件技术条件规定。 4.1.5 瓷件应无生烧和过烧。 4.2 结构尺寸 瓷件结构、尺寸应符合正式认可的设计文件，设计文件上没有公差的应按SJ/T10742的规定选用。 4.3 表面粗糙度 瓷件表面粗糙度应符合GB/T1031的要求。 4.4理化性能要求 93%氧化铝真空电子用陶瓷的理化性能等应符合表1的规定： 表1 93%氧化铝真空电子用陶瓷的理化性能 序号 项目 测试条件 单位及符号 项目指标 1 体积密度 g/cm² ≥>3.63 2 氧化铝含量 % 93±0.5 3 显气孔率 % ≤0.1 4 气密性 通过 5 弯曲强度 MPa ≥280 Hvi 6 维氏硬度 GPa ≥>12 7 弹性模数 GPa ≥290 8 泊松比 0.20~0.25 9 平均晶粒尺寸 ≤15 μm 10 抗热震性 通过 20℃~500℃ ×10~/℃ 6.5~7.5 II 线膨胀系数 20℃~800℃ ×10~/℃ 7.0~8.0 12 导热系数 20℃ W/m.K ≥18 4.5 电性能要求 93%氧化铝真空电子用陶瓷的电性能等应符合表2的规定： 2 SJ/T11553—2015 表2 93%氧化铝真空电子用陶瓷的电性能 序号 项目 测试条件 单位及符号 项目指标 1 MHz20℃ 9~10 1 介电常数 500℃ 9~10 10MHz20℃ 9~10 1MHz20℃ X104 ≤6 介质损耗角正切值 500℃ ×104 2 30~40 10MHz20℃ X104 ≤10 2.cm 20℃ ≥1014 体积电阻率 300℃ 2.cm ≥1010 3 500℃ 2.cm ≥108 4 击穿强度 D. C. kV/mm ≥18 5 试验方法 5.1如果本标准没有特殊规定时陶瓷材料测试时的试验温度、相对湿度以及气压应符合GB/T2421.1 —2008中5.3的规定。 5.2表面粗糙度应按GB/T1031要求进行。测量电性能时，样品两面应采用烧渗法覆上一层完整的银 层作为电极。 5.3 测量陶瓷材料的体积密度时，应按GB/T25995规定的方法进行。 5.4 测量陶瓷材料的氧化铝含量时，应按GB/T6609.9规定的方法进行。 5.5 测量陶瓷材料显气孔率时，应按GB/T1966规定的方法进行。 5.6 测量陶瓷材料的气密性时，应按GB5594.1规定的方法进行。 5.7 测量陶瓷材料弯曲强度时，应按GB/T6569规定的三点弯曲方法进行。 5.8 测量陶瓷材料的维氏硬度时，应按GB/T16534规定的方法进行。 5.9 测量陶瓷材料的弹性模数、泊松比时，应按GB5594.2规定的方法进行。 5.10 测量陶瓷材料的平均晶粒尺寸时，应按GB5594.8规定的方法进行或用扫描电镜方法进行。 测量抗热震性（热稳定性）时，先将试样放在110℃土10℃的烘箱中烘干，自然冷却至室温， 5.11 然后放入800℃温度的加热炉中，保温30min，迅速取出放置在200mm×200mm或Φ200mm的石英 陶瓷板上，自然冷却至室温；随后再将试样放入规定温度的加热炉中重复试验，直至10次为止。最后 在1%浓度的品红溶液中浸渍3min，取出洗净擦干在40W的白炽灯或9W的节能灯光下观察，样品应 不出现炸裂纹。 5.12 导热系数按GB/T22588规定的方法进行。 5.13 测量陶瓷材料的线膨胀系数，按GB/T16535进行。 5.14 测量陶瓷材料在1MHz介电常数和介质损耗角正切值的测量，按GB/T5593规定的方法进行。 5.15 测量陶瓷材料的高温介质损耗角正切值和介电常数时按GB5594.4在10MHz规定的方法进行。 5.16 测量陶瓷材料在10MHz介电常数、介质损耗角正切值时，按GB/T5597规定的方法进行。 5.17 测量陶瓷材料的体积电阻率时，按GB5594.5规定的方法进行。 5.18 测量陶瓷材料的击穿强度时，按GB/T5593的规定进行。 3 SJ/T11553—2015 6检验规则 6.1 出厂检验 93%氧化铝真空电子用陶瓷的每批出厂检验按GB/T2828.1规定的抽样方法进行，检验项目包含体 积密度、显气孔率、室温（20℃）体积电阻率、外观及其形状尺寸。检验批由同一配方在相同条件下连 续生产的陶瓷材料组成。具体抽样方法如表3所示： 表393%氧化铝真空电子用陶瓷材料出厂检验抽样方法 序号 检验项目 检查水平 检查级别 TOV 外观 S-3 0.65 1 0.65 2 结构尺寸 特殊 0.65 3 体秘麻度 特殊 0.65 4 特殊 0.65 208 5 室温 ）体程电图率 特殊 S-3 0.65 6.2 型式检验 OF 6.2.1 通则 有下列情况之 时应 进行型式检 正式生产 材料、艺有较大改变 品性食 a) b) 正常生产 十年或产 量达划20月货册 首次投产成俺后恢复生产时 c) d) 出厂检验结果与上次型式检验有较大差异时： e) 国家质量监督机构提出型式检验要求时。 6.2.2 型式检验项目 C 按表1、表2的规定进 行型式检验。 6.2.3型式检验抽样 型式检验样品从出厂检验合格产品中随机抽取。 6.2.4型式检验判定 各项检测结果符合本标准规定，则判定该次型式检验合格：若有不合格项，经双倍取样检测仍不合 格，则判定该次型式检验为不合格。 6.3判定规则 6.3.1 出厂检验对瓷件进行逐批检查，型式检验对陶瓷材料进行周期检查。 4 SJ/T11553—2015 6.3.2逐批检查按GB/T2828.1规定，采用正常一次抽样方案，出厂检验逐批检查不合格，该批瓷件 应进行百分之百挑选后再次提交验收，但必须使用加严检查，若加严检查仍不合格，则不得再次提交验 收。 7标志、包装、运输和存 7.1标志 93%氧化铝真空电子用陶瓷的外包装上应有牢固的标志，内容包括制造厂名称、产品名称、产品型 号、制造日期等。 7.2包装 真空电子器件专用93%Al20陶瓷内包装采用塑料自封袋和塑料真空包装袋，并附衬减震隔离材料； 外包装由纸箱或木箱等材料进行包装，每箱重量不超过25kg。 7.3运输 93%氧化铝真空电子用陶瓷可以用任何运输工具进行运输，运输中要防止剧烈震动和雨淋。 7.4购存 93%氧化铝真空电子用陶瓷应存在通风干燥的库房里。 5