ICS35.240.15 SJ L64 备案号：50603-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T115282015 信息技术移动存储 存储卡通用规范 Information technologyMobile storage- General specification of memory cards 2015-04-30发布 2015-10-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T11528—2015 前言 本标准依据GB/1.1一2009给出的规则起草。 本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准起草单位：普天信息技术研究院有限公司、普天硕达科技（上海）有限公司、爱国者数码科 技有限公司、联想（北京）有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院、方正科技集团股份有限公 司、深圳市朗科科技有限公司、深圳市芯邦微电子有限公司、北京纽曼理想数码科技有限公司、北京神 州龙芯集成电路设计有限公司、杭州华澜微科技有限公司、华中科技大学、广东新诚智软件科技有限公 司。 本标准主要起草人：陈庆方、杨青山、梁安昌、成刚、高健、杨宇光、张华龙、李晓华、骆建军、 冯丹、茹昭、张金凤、张峰、曹煜。 SJ/T11528—2015 信息技术移动存储存储卡通用规范 1范围 本标准规定了存储卡的基本术语、要求、试验方法、质量评定程序、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于存储卡的生产和检验。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件 GB/T 191 包装储运图示标志 GB/T2421.1 电工电子产品环境试验概述和指南 GB/T2422 电工电子产品环境试验术语 GB/T2423.1 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温 GB/T2423.2 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温 GB/T2423.3 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Cab：恒定湿热方法 GB/T2423.5 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ea和导则：冲击 GB/T2423.8 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ed：自由跌落 GB/T2423.17电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ka：盐雾 GB/T2828.1 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T9341 塑料弯曲性能的测定 GB/T17554.1—2006识别卡测试方法 第1部分：一般特性测试 GB/T17626.2电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验 GB/T18455 包装回收标志 3术语和定义 下列术语和定义适用手本文件。 3.1 存储卡memorycards 利用闪存技术存储的卡片式移动存储器。 注：包括SecureDigital（SD卡）、CompactFlash（CF卡）、MemoryStick（记忆棒）、MultiMediaCard（MMC卡） 等，主要用在需要存储资料的数字产品中作为存储媒体。 3.2 容量capacity 表示存储设备存储数据大小的能力。 SJ/T11528—2015 注：容量是存储设备的关键指标，可以采用以下两种表示方法中的一种进行表示。 表示方法一，以二进制为单位： 存储容量的单位为Byte、KB、MB或是GB、TB 1KB=1024Byte; 1MB=1024KB; 1GB=1024MB: 1TB=1024GB. 表示方法二，以十进制为单位： 存储容量的单位为Byte、KB（10）MB（10）或是GB（10）、TB（10） 1KB (10) =1000Byte: 1MB (10) =1000KB(10): 1GB(10) =1000MB（10）; 1TB(10) =1000GB（10） 3.3 宿主host 通过发送控制命令的方式，配合存储卡实现各项功能的移动通信终端或其他电子设备。 3.4 写入速度 writing speed 单位时间内写入媒体的数据量。 注：用等级来表示存储卡产品速度表现。 3.5 容量准确率 capacityaccuracy 产品实际可使用容量与标称容量的比率。 注：产品实际可使用容量和标称容量均应换算为以字节为单位计算。 3.6 层式存储单元levelcell 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储的位数量信息。 注：一个浮动栅存储的位数量越多，相对应的使用寿命就越短，写入速度也就越慢 表示方法，分三种： SLC单层式存储单元singlelevelcell， 一个浮动栅存储一个位信息： MLc两层式存储单元multilevelcell，一个浮动栅存储两个位信息： TLc三层式存储单元trinarylevelcell，一个浮动栅存储三个位信息。 4要求 4.1 外观和结构 4.1.1外观 存储卡外观应光洁、平整、不起层、不弯折，表面不应有划伤、裂缝、变形、毛刺、霉斑等缺陷。 2 SJ/T115282015 4.1.2尺寸 存储卡尺寸应符合相应标准的规定。 4.2物理接口 住现象。 4.3功能性能 4.3.1基本功能 存储卡应满足文件存储写入读出要求，内建写保护开关避免资料遗失，满足格式化、文件的读出、 写入、复制、删除、移动、压缩和解压缩等功能。 如具有其他扩展功能，应在产品标准中规定 4.3.2 2写入速度 不同存储卡数据写入速度应满足如下要求： a) 存储卡等级4写入速度应不低于4MB/s； b) 存储卡等级6写入速度应不低于6MB/s； c 存储卡等级10写入速度应不低于10MB/s。 4.3.3寿命 存储卡的插拔次数应不少于2000次。 4.3.4擦写次数 不同层式存储单元芯片的存储卡擦写次数应满足如下要求： a) SLC的芯片应在30000次以上； b) MLC的芯片应在5000次以上； TLC的芯片应在500次以上。 4.4存储容量 4.4.1标称容量 存储卡的标称容量应在产品包装、产品表面和说明书中标识。容量计量方式应在产品说明书中明示， 4.4.2容量准确率 存储卡产品容量准确率应大于92%，或在产品包装上明示实际可使用容量。 4.5 气候环境适应性 存储卡气候环境适应性应符合表1的规定。 3 SJ/T11528—2015 表 1 气候环境适应性 气候条件 工作 贮存运输 温度 0~60 -40~85 相对湿度 5%~95%（40℃) 20%~93%（40℃C） RH 大气压 86~106 kPa 4.6 盐雾适应性 在35c不超过3%盐含量的盐水中放置24h，卡片外观应无异常。 4.7 跌落适应性 存储卡裸片跌落适应性应符合表2的规定。 表2 裸片跌落适应性 落高度 1500 mm 次数 10 4.8 压力适应性 存储卡任意面承受压力不应大于10N。 4.9扭曲特性 存储卡在0.1N·m扭矩下弯曲应在±2.5°以内。 4.10 静电放电 存储卡接触放电试验等级测试电压应采用4KV，空气放电试验等级测试电压采用15KV。 5 试验方法 5.1 试验环境条件 除气候环境试验，其他试验均在下述试验用标准大气条件下进行。 温度：15℃~35℃； 相对湿度：25%~75%RH； 大气压：86kPa~106kPa 量值的默认允差为土5%，若测试方法要求预处理，在测试前应将待测试的存储卡在测试环境中放 置24h. 4 SJ/T115282015 5.2 外观和结构检查 5.2.1外观检查 采用目测法对产品进行外观检查。 5.2.2 尺寸检查 依据GB/T17554.1一2006的5.2进行检查 5.3 接口检查 将产品连接到具备相应接口的宿主，采用感官检查法进行检查。 5.4功能性能测试 5.4.1基本功能测试 按表3要求进行操作，逐一检验其功能。 表3功能检查 试验项目 试验条目 将产品格式化为单一分区 将测试文件写入到产品中并进行校验，测试文件的大小以产品标称容量的10%递增 功能检查 从产品中读出写入的测试文件并进行校验 删除产品上的文件 5.4.2 2写入速度测试 存储卡的写入速度采用相应的测试软件进行测试。 5.4.3 3耐用性测试 存储卡的耐用性测试采用相应的物理插拔方法，观测存储卡镀金导电触片的脱落现象。 5.4.4擦写次数测试 将具有相应接口的宿主和存储卡相连，把测试文件写入到产品直至被测产品容量已满，然后将被测 产品进行格式化，上述过程为一次擦写。 5.5 5存储容量测试 将具有相应接口的宿主和存储卡连接，安装相应的驱动软件后，在操作系统中读取产品的容量信息。 5.6环境试验 5.6.1 一般要求 本标准中，环境试验方法的总则和名词术语应符合GB/T2421.1、GB/T2422的有关规定 以下各项试验中规定的初始检测和最后检测统一按照5.4.2和5.5的规定进行。 5