ICS 31.030 L 90 SJ 备案号：50573-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11516—2015 薄膜晶体管（TFT）用掩模版规范 Specification for thin film transistor(TFT) mask 2015-04-30发布 2015-10-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 SJ/T11516—2015 前言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准主要起草单位：深圳清溢光电股份有限公司、工业和信息化部电子I业标准化研究院。 本标准主要起草人：万承华、张沛、熊启龙、王香、张莹、朱文娟。 H SJ/T115162015 薄膜晶体管（TFT）用掩模版规范 1范围 本标准规定了薄膜晶体管（TFT）用掩模版产品的技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输 和储存。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB50073一2001净化厂房设计规范 GB191 包装储运图示标志 GB/T16880—1997 光掩模缺陷分类和尺寸定义的准则 GB/T2828.1—2003 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 SJ/T10584—1994 微电子学光掩蔽技术术语 SJ/T 10857---1996 铬版及其测试方法 SJ/T10858—1996 玻璃及铬版表面平整度的测试方法 SJ/T10859—1996 铬版铬膜和胶膜厚度的测试方法 SJ/T108601996 铬版铬膜表面反射率的测试方法 SJ/T10861—1996 铬版光密度的测试方法 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3. 1 薄膜晶体管（TFT） thinfilmtransistor(TFT) 在基板上采用半导体薄膜工艺制成的晶体管。 3. 2 薄膜晶体管用掩模版 thinfilmtransistor(TFT)mask 承载有薄膜晶体管设计版图的，可通过曝光工序进行图形转移复制TFT各层电极版所使用的母版。 3. 3 CD精度 criticaldimensionaccuracy 图形中特征线条制作宽度与设计值的偏差，用来表征整版特征线宽均匀性。 1 SJ/T11516—2015 3. 4 位置精度 度positionaccuracy 图形坐标位置、总长尺寸和套合实际值与设计值的偏差。 3. 5 最小线宽/间距 minimumline/space 设计版图中最小的线宽/间距的设计尺寸。 3. 6 最小缺陷 minimumdefect 掩模版有效图形区域的最大允许缺陷尺寸。 3. 7 斑痕缺陷 Mura 山产品的不均匀性等因素所显现，肉眼可觉察到的各种斑痕缺陷。 3. 8 保护膜 pelliclc 具有耐光性和高透光率的掩模版保护膜。 产品分类 4 薄膜品体管用模版分类如下： 按用途可区分为TFT-Array用掩模版和TFT-CF用掩模版； a) b) 按尺寸从小到人对应为不同世代，见表1。 注：分类与世代的划分，山用户要求的图形、精度和尺寸来决定。 表1 薄膜晶体管用掩模版世代与尺寸对应表 尺寸 ut 代 mmxmm 1G 330×400 2G 330×450 3G 390×610 4G 500×750、520×610 5G 520×800 6G 800×920、850×1200 7G 8G 1220×1400 9G 10G 1870×1620 2 SJ/T11516—2015 5技术要求 5.1材料 薄膜晶体管用掩模版由铬版基材和铬膜组成，其中铬版基材为合成石英玻璃，铬膜包括铬层和氧化 铬层。材料应符合以下要求： a) 铬版基材表面平整度：对于TFT-Array用掩模版，表面平整度为≤20um，对于TFT-CF用掩 模版，表面平整度为≤30um； 铬版基材表面不得有裂纹、异物、气泡、凹陷、凸痕、擦痕、划伤、雾点，边缘不得有崩边、 崩角； 铬膜厚度：100nm±10nm； d) 铬膜反射率：在入=436nm处，10%±5%； (a 铬膜光学密度：在入=450nm处，3.0±0.3。 5.2 外观质量 外观质量应符合以下要求： a) TFT-Array用掩模版使用的保护膜不得有破损、皱纹、站污现象，保护膜框架和铬版基材接触 面不得有脱落： 不得有图形丢失、错位和斑痕缺陷。 5.3 图形尺寸 图形尺寸和公差应符合以下要求： 长度、宽度公差：±0.30mm； a) 厚度公差：土0.2mm； 直角度公差：±5； d) 尺寸及其精度，包括最小线宽/间距、CD精度、位置精度，一般是根据用途来决定设计值，实 际制作的薄膜晶体管用掩模版图形尺寸设计值及其精度由供需双方商定。 5.4缺陷 薄膜晶体管用掩模版图形的最小缺陷一般由用途决定，以不影响视觉和功能为原则，实际制作的中 允许的最小缺陷尺寸及数量由供需双方商定。 6试验方法 6.1环境条件 除特殊规定外，所有试验均应在下述环境中进行： a) 温度：23℃±0.5℃； 相对湿度：45%RH～55%RH； b) 气压：86kPa～106kPa； 洁净度：符合GB50073一2001中J5级及以上。 6.2铬版基材表面平整度 按SJ/T10858一1996中规定的第2种方法进行检验。 3 SJ/T 115162015 6.3铬膜厚度 按SJ/T10859-1996中规定的方法进行检验， 6.4铬膜反射率 按SJ/T10860--1996中规定的方法进行检验。 6.5铬膜光学密度 按SJ/T10861一1996中规定的方法进行检验。 6.6长度、宽度、厚度 将待测薄膜晶体管用掩模版试样置于黄光下的平台或检板架上，采用精度不低于50μm（3α）的长 度测量仪进行长度、宽度、厚度的测量。 6.7直角度 将待测薄膜晶体管用掩模版试样置于黄光下的平台或检板架上，采用精度不低于0.2'的万能量角器 进行测量。 6.8最小线宽/间距、CD精度、位置精度 将待测薄膜晶体管用掩模版试样置于仪器的测量平台上，采用精度不低于10nm（3）的关键尺寸 测量仪器进行最小线宽/间距、CD精度参数测量。 将待测薄膜晶体管用掩模版试样置于仪器的测量平台上，采用精度不低于15nm（3c）的关键尺寸 测量仪器进行位置精度参数测量。 6.9外观质量 将待测薄膜晶体管用掩模版试样置于平台上，在暗房中采用白光光强不低于140KLux照度的强光 光源，距试样300mm处进行观测。 6.10缺陷 将待测薄膜晶体管用掩模版试样置于仪器的检版架上，采用检出限不低于1um的掩模缺陷自动检查 仪进行检测；按照GB/T16880规定的缺陷进行分类，缺陷尺寸标称为W，W=(X+Y)/2，其中X为缺陷的 宽度，Y为缺陷的高度。 7检验规则 薄膜晶体管用掩模版的检验分出厂检验和型式检验。 7.1 出厂检验 出厂检验应符合以下要求： a) 按5.2、5.3、5.4进行100%检验，若有一项不合格则判定该产品不合格； b) 产品出厂应附有合格证书和检查报告。 4 SJ/T115162015 7.2型式检验 7.2.1检验项目 型式检验项目为本标准所规定的全部技术要求。 7.2.2型式检验条件 有下列情况之一时应进行型式检验： a) 新产品或老产品转厂生产的试制定型鉴定时； 正式生产后，如结构、材料、工艺有较大的改变，可能影响产品的性能时； 正式生产时，应进行定期检验； d) 产品长期停产后，恢复生产时； e) 国家质量监督机构提出进行型式检验的要求时。 7.2.3组批 同一原材料、同一配方、同一工艺条件下，在规定时间内生产的产品为一批。 7.2.4抽样方案和判定规则 按照GB/T2828.12003抽样检验程序中特殊检验水平S-1确定样本量，接收质量限AQL按照0.01执 行。 8标志、包装、运输和储存 8.1标识 标识应满足以下要求： 产品上的应有牢固、清晰的标识； a) b) 产品上应有可追溯性代码； c) 外包装箱上应有明显的保持干燥、小心易碎物品及向上的字样和标志，应符合GB191的规定。 8.2包装 8.2.1内包装 内包装应满足以下要求： 产品的内包装箱或盒应用无腐蚀和无尘的材料制作，并具有足够的强度； b) 内包装箱或盒必须经过清洗、晾干和防静电处理，并在规定的使用范围与期限内使用； 产品的内包装，应在产品边缘的非图形区域或端面增加无腐蚀和无尘的柔性材料垫片，以防产 品在箱或盒内晃动； d) 应用不透光无尘胶带，将内包装箱或盒体与盖子之间的连接口密封； e) 在内包装箱或盒盖的外表面贴上合格证； f) 合格证上应注明：产品名称、可追溯代码、数量、规格尺寸、检验日期及检验员签章。 8.2.2外包装 外包装应满足以下要求： a) 外包装采用钙塑瓦楞纸或硬纸板制作的箱子包装；