ICS 29. 045 H 83 SJ 备案号：50561-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11504—2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法 Testmethodformeasuring surfacequalityofpolishedmonocrystallinesilicon carbide 2015-04-30发布 2015-10-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T11504—2015 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口。 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、工业和信息化部电子工业标准化研究院。 本标准主要起草人：丁丽、周智慧 郝建民、 何秀坤、冯亚彬、裴会川。 STA IND SJ/T11504—2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法 1范围 本标准规定了碳化硅单晶抛光片（以下简称“抛光片”）表面质量的目视检验方法。 本标准适用于单面或者双面抛光的碳化硅单晶抛光片表面质量的检测。 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用标准，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T14264半导体材料术语 GB/T25915.1—2010 ）洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4方法原理 抛光片表面质量缺陷在一定光照条件下可产生光的漫反射，且可被目测观察到。据此可直接（或采 用5倍～10倍放大镜）目视检测抛光片的表面缺陷。 5测试设备 高强度汇聚光源：钨丝灯，离光源100mm处汇聚光斑直径（20～40）mm，照度不小于16000lx。 5.1 5.2大面积漫射光源：可调节光强度的荧光灯或乳白灯，使检测面上的光强度为（430650）cd。 5.3 净化台：洁净度应优于GB/T25915.1—2010规定的ISO5级要求。 5.4 真空吸笔：不可引入任何缺陷。 5.5 放大镜：放大倍数为（5～10）倍。 5.6 长度测量工具：分度值不大于1mm的钢板尺。 6环境条件 6.1 环境温度：（18～28）℃。 6.2环境湿度应不大于75%。 6.3 洁净室：洁净度应优于GB25915.1一2010规定的ISO6级要求。 SJ/T11504—2015 7 测试程序 7.1检测条件 在净化台内，用真空吸笔吸住抛光片背面，使抛光片面向上，正对光源。光源、抛光片与检测人员 位置如图1所示。光源离抛光片距离为（50～400）mm。α角为45°土10°，β角为90°土10°。 7.2检测步骤 7.2.1在净化台内，用真空吸笔吸住待测抛光片的背面，使高强度汇聚光束斑直射在待测抛光片抛光 面，光源、抛光片与测试人员位置关系如图1所示。晃动抛光片，改变入射光角度，目视观察抛光片表 面有无六方空洞、划痕、凹坑、颗粒、沾污、亮点缺陷等。 或用（510）倍放大镜进行观察。 TEC OF 王面 NISTRY 碳化硅片 7.2.2将光源换成大面种放射光源，目测检验抛光片表面有无裂纹、崩边等缺陷， 测量划痕的长度。 S 8 结果处理 8.1记录观察到的六方孔洞、凹坑、亮点、颗粒的数量。 8.2估算并记录沾污占抛光片总面积的百分数。 8.3计算并记录划痕根数及累计长度（精确到1mm)。 8.4记录所观察到的裂纹和崩边的数量。 9 报告 报告应包括如下内容： 样品来源： a) b) 样品编号、名称、规格： c) 测试环境： 2 SJ/T11504—2015 测试仪器型号； d) e) 测试结果； f) 测试者姓名、测试单位、测试日期。 3