ICS 29.045 H82 SJ 备案号：50552-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T114952015 硅中间隙氧的转换因子指南 Guideto conversion factors for interstitial oxygen in silicon 2015-04-30发布 2015-10-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T11495—2015 前言 本标准按照GB/T1.1—2009制定的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口。 本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司 本标准主要起草人：李静、 SJ S STA IND RDS SJ/T11495—2015 硅中间隙氧的转换因子指南 1 范围 本标准规定了硅中间隙氧的转换因子指南。 本标准适用于在室温下测试电阻率大于0.1Q2·cm的n型硅单晶和电阻率大于0.5Q·cm的p型硅单晶 中间隙氧含量。 规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T1557—2006硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 各标准之间进行换算的转换因子 3. 1 表1给出使用不同版本的校正系数计算硅中间隙氧含量数值。目前，氧含量用两种单位表示，分 别为ppma或at·cm表示。 表1 校正系数及计算结果 采用atcm 采用ppma单位 标准名称 单位的校正系数 的校正系数 ASTMF121:1983 2.45 × 1017 4.90 3.05 × 10/7 JEIDA61:1983 6.10 GB/T1557—2006 3.14 × 10/7 6.28 DIN50438-1或IOC-1988 3.14 × 1017 6.28 ASTMF121:1979 4.815 × 1017 9.63 注：间隙氧含量由at.cm换算到ppma时，除以5×10(at.cm/ppma]。 3.2表2给出氧含量从一种标准到另一种标准之间进行换算的转换因子。 表2标准之间进行换算的转换因子 至 DIN 50438-1 ASTMF121:1983 JEIDA61:1983 GB/T1557-2006 ASTMF121:1979 转换自 或IOC-1988 ASTMF121:1983 1 1.245 1.282 1.282 1.965 JEIDA61:1983 0.803 - 1.030 1.030 1.579 GB/T15572006 0.780 0.971 - 1 1.533 1 SJ/T11495—2015 表2（续） DIN50438-1或 0.780 0.971 1.533 IOC-1988 ASTMF121:1979 0.509 0.633 0.652 0.652 3.3计算实例 N[O]ASTM=N[O]ioC-1988×1.533 式中： WIS[OIN N[O]ioc-1988- 由“IOC-1988”校正系数计算的间酬氧含量（at.cm"）。 S