ICS 29.045 H 83 SJ 备案号：50547-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11490—2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的 测量方法 Testmethodformeasuringetchpit density(EPD)inlowdislocationdensitygallium arsenide wafers 2015-04-30发布 2015-10-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T11490—2015 前 本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口。 本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司 本标准主要起草人：章安辉 SJ STA AND SJ/T11490—2015 低位错密度砷化抛光片蚀坑密度的 测量方法 1范围 本标准规定了低位错密度砷化镓（GaAs）抛光片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法。 本标准适用于直径2英寸和3英寸且EPD小于5000/cm的圆形GaAs晶片的EPD的测量。 2规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T8760—2006碑化镓单晶位错密度的测量方法 3方法原理 对砷化镓抛光片进行熔融氢氧化钾腐蚀后，用显微镜观察并记录腐蚀坑数量。 4仪器设备 显微镜：测量视场面积应为0.01cm或更大。 5 化学试剂 5.1 硫酸（p=1.84g/mL），浓度95%~98%，优级纯。 5.2过氧化氢（p=1.00g/mL），浓度≥30%，优级纯。 5.3 氢氧化钾，浓度≥85%，优级纯。 6 试样制备 按照GB/T8760—2006要求制备试样。 7测量步骤 7.1直径2英寸晶片和3英寸晶片的计数位置分别示于图1和图2。计数点位于每个网格的中心。对 于直径2英寸晶片，网格边长为5mm，计数点总数为69个，第35点位于晶片中心。而对于直径3英 寸晶片，网格边长为10mm，计数点总数为37个，第19点位于晶片中心。 7.2计数并记录其中心在测量视场内的腐蚀坑个数。如果腐蚀坑太密集而难以计数，那么提高放大倍 数。然后，计数腐蚀坑数并记录结果以及显微镜放大倍数。 SJ/T11490—2015 7.3对所有其它计数点重复7.2所述操作，即直径2英寸晶片的第2点到第69点，直径3英寸晶片的 第2点到第37点。 2英寸晶片的计数 TION 20 29 图2直径3英寸晶片的计数位置 8计算 每个测量视场的EPD等无 蚀坑数除以视场面积 APN (1) 式中： W- 一腐蚀坑数，个： 视场面积，cm。 S 示例：某测量视场尺寸是0.1cm×0.1cm，那么其视场面积就是0.01cm² 9报告 报告EPD的测试结果可以有几种形式，例如，所有计数点的平均EPD、小于某一指定值的面积上的 EPD平均值、或整个晶片的EPD的分布图等等。应由供需双方共同商定一个适当的报告形式。