ICS29.049 H 83 SJ 备案号：50546-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11489—2015 低位错密度磷化钢抛光片蚀坑密度的 测量方法 Test methodformeasuringetchpit density(EPD)inlowdislocationdensity indium phosphide wafers 2015-04-30发布 2015-10-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T11489—2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会（SAC/TC203)归口。 本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司 本标准主要起草人：章安辉 S TA N D SJ/T11489—2015 低位错密度磷化钢抛光片蚀坑密度的 测量方法 1范围 本标准规定了低位错密度磷化（InP）抛光片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法 本标准适用于直径2英寸且EPD小于5000/cm的圆形InP晶片的EPD的测量。 规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T14264半导体材料术语 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4 方法原理 对磷化铟抛光片进行磷酸(H,PO4)和氢溴酸(HBr)混合液腐蚀后，用显微镜观察并记录腐蚀坑数量。 5 仪器设备 显微镜：测量视场面积应为0.01cm或更大。 6 化学试剂 6.1 磷酸（p=1.685g/mL），浓度≥85%，分析纯。 6.2 氢溴酸（p=1.38g/mL），分析纯。 7样品制备 7.1 确定晶锭的晶向使得样品前表面的法线方向与<100>平行，偏差小于5°，然后再切片。 7.2 抛光晶片，使之呈镜面，然后清洗、干燥。 8 测量步骤 8.1 将H,PO4和HBr混合于烧杯中，比例（体积比）为H,PO.：HBr=2：1。 I SJ/T11489—2015 8.2将晶片浸泡在混酸中，室温放置3min。 8.3取出晶片，用去离子水冲洗干净然后干燥。 8.4计数位置示于图1。计数点位于每个网格的中心。网格边长为5mm，计数点总数为69个，第35 点位于晶片中心。 8.5计数并记录其中心在测量视场内的腐蚀坑个数。如果腐蚀坑太密集而难以计数，那么提高放大倍 数。然后，计数腐蚀坑数并记录结果以及显微镜放大倍数。 8.6对所有其它计数点重复8.5所述操作，即第2点到第69点。 26 27 28 39 尚的计数位置 9计算 每个测量视场的 PD 该视场腐蚀坑数除以视场面积，如公式（1)所示： EPD-WIS... ()... 式中： S W 腐蚀坑数，个； S视场面积，cm。 示例：某测量视场尺寸是0.1cm×0.1cml， 10报告 报告EPD的测试结果可有几种形式，例如，所有计数点的平均EPD、小于某一指定值的面积上的EPD 平均值、或整个晶片的EPD的分布图等等。应由供需双方共同商定一个适当的报告形式。