ICS 31.080 SJ L 53 备案号：50540-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11486—2015 小功率LED芯片技术规范 Technical specification for low power lightemitting diode chips 2015-04-30发布 2015-10-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T11486—2015 目 次 前言 II 范围 规范性引用文件 术语和定义 4 要求， 检验方法 5 6 检验规则 7标志、包装、运输和储存 附录A（规范性附录） 人体模式和机器模式静电放电敏感度分级及标志 13 外观检验 附录B（规范性附录） 附录C（资料性附录） 本规范参加单位 SJ/T11486—2015 前言 本规范按照GB/T1.1一2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本规范由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。 本规范起草单位：上海蓝光科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、大连路美芯片科 技有限公司。 本规范主要起草人：丁晓民、齐胜利、崔波、张万生、张成山。 II SJ/T11486—2015 小功率LED芯片技术规范 1范围 本规范规定了小功率半导体发光二极管芯片（以下简称芯片）的技术要求、检验方法、检验规则和 标志、包装、运输和储存。 本规范适用于可见光芯片，紫外发射二极管芯片和红外发射二极管芯片可参照执行。 2规范性引用文件 下列文件对于本规范的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本规范。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本规范。 GB/T191-2008包装储运图示标志 GB/T4589.1-2006 半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T4937-1995 半导体器件机械和气候试验方法 GJB2438A-2002 混合集成电路通用规范 SJ/T11394-2009 半导体发光二极管测试方法 SJ/T11395—2009 半导体照明术语 SJ/T11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范 SJ/T11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法 SJ/T11400-2009 半导体光电子器件小功率发光二极管空白详细规范 3术语和定义 SJ/T11395一2009界定的以及下列术语和定义适用于本规范。 3.1 小功率半导体发光二极管芯片lowpowerlight二emittingdiodechips 输入功率小于300mW的半导体发光二极管芯片。 3.2 中功率半导体发光二极管芯片middlepowerlight一emittingdiodechips 输入功率大于300mW（含）、小于1000mW的半导体发光二极管芯片。 3.3 电光转换效率wall一plugefficiency 芯片在规定的输入电流下，光输出功率与输入电功率的比值。 1 SJ/T11486—2015 3.4 发光强度或光通量或光功率保持率luminousintensityorluminousfluxorlightpowermaintenance 芯片在规定工作条件下连续工作规定时间后的发光强度或光通量或光功率的值与其初始值之比。 3.5 蓝移blue-shift 芯片峰值发射波长向短波长方向偏移的现象。 3.6 red-shift 红移 芯片峰值发射波长向长波长方向偏移的现象。 3.7 晶片批waferlot 组成。每个批均应给出其特有的识别标志或代码，以便在整个制造过程中可以追溯和保持批的完整性。 只要充分维持工艺流程稳定及受控，确保按工艺规程对批中所有晶片进行完全相同的加工，则可按下列 程序之一完成同一组的晶片批加工： 通过同一设备和工序对晶片批中的所有晶片分批同时加工： b) 通过同一设备和工序对所有晶片连续或顺序加工（晶片批中逐片或分批加工）： 通过同一认证线上的多台设备对晶片批中的各分批同时加工，但需要采用统计质量控制（SQC） C) 保证并证实各设备与其所加工晶片之间的相互关系。 [GJB2438A2002，定义6.3.38] 4要求 4.1通则 芯片应符合本规范和详细规范的所有要求。本规范的要求与详细规范不一致时，应以详细规范为准。 4.2绝对最大额定值 芯片的绝对最大额定值见表1。 表1 绝对最大额定值 数 值 章条号 参数 单位 符 号 最小 最大 4.2.1 贮存温度 C X x 4.2.2 贮存相对湿度 Rht % x x 4.2.3 工作环境温度 Tamb 4.2.4 工作环境相对湿度 % Rhanb X x 2 SJ/T11486—2015 表1（续） 数 值 章条号 参 数 单 符 号 最小 最大 4.2.5 环境温度为25℃下的直流正向电流 mA 环境温度为25℃下的峰值正向电流（规定 4.2.6 mA lrp x 的脉冲条件下）（适用时） 4.2.7 反向电压 V VR x 4.2.8 耗散功率 mw P x 键合温度 ℃ Taa 一 x 4.2.9 键合时间 s tia 一 N Fa 键合压力 x 4.2.10 V VesD 静电敏感电压（适用时） X 注：“x"表示在详细规范中应给出具体值，“一”表示在详细规范中不需要给出具体值。 4.3材料、结构和工艺 4.3.1材料 应采用能使芯片符合本规范性能要求的半导体材料。 4.3.2外形尺寸 芯片的外形尺寸按详细规范规定。 4.3.3键合区 键合区的大小、位置按详细规范规定。 4.3.4芯片的背镀反射层材料 芯片的背镀反射层材料按详细规范规定（适用时）。 4.4外观 芯片整体 4.4.1 芯片整体应符合以下要求： 芯片不应有明显的缺角、裂纹、划伤或气泡： a) 芯片各区域尺寸、位置与设计值的偏差不超过10%： b) c) 芯片厚度偏差不应大于10%： d) 芯片污染面积不应大于10%。 4.4.2 芯片电极 芯片电极应符合以下要求： 3 SJ/T11486—2015 a) 金属电极表面应均匀，呈现原金属光泽： b) 金属电极缺损、划伤、污染面积不应大于10%，中央区域应无缺损； 金属电极边缘多余金属面积不应大于10%： d) 金属电极各部位不应有断开现象。 4.4.3 芯片镀层（金属镀层和介质镀层） 芯片正面或背面的镀层脱落不应超过镀层面积的10%。 4.4.4 芯片排列 芯片排列应符合以下要求： 芯片排列不应有连接、倾倒或翻转现象： b) 单颗芯片偏转角度不应超过15°； ( 相邻两个芯片错位应小于整个芯片宽度的三分之一，且错位尺寸不大于100um。 4.5光电特性 芯片的光电特性参数见表2。 表2 光电特性参数 条件 数值 章条号 特性参数 单位 符号 除另有规定外，Tamb=25℃ 最小 最大 4.5.1 V 1按详细规范规定 正向电压 4.5.2 小电流下电压 v Vr4 x 4.5.3 反向电流 HA IR VR按详细规范规定 - x 发光强度或 med 4.5.4 光通量或 Im I按详细规范规定 x 光功率 mw 4.5.5 电光转换效率（适用时） 一 按详细规范规定 一 发光强度或 4.5.6 光通量或 % 1按详细规范规定 光功率保持率 4.5.7 主波长 nm I按详细规范规定 x 4.5.8 峰值发射波长 nm 1按详细规范规定 x x 4.5.9 光谱辐射带宽 nm 1，按详细规范规定 x 蓝移（适用时） 1.和1.按详细规范规定 4.5.10 nm x 注： “×”表示在详细规范中应给出具体值， 表示在详细规范中不需要给出具体值。 芯片的光电特性分布和关系见表3。 4