ICS 31.080.30 CCS L42 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T 11973—2025 新能源汽车用绝缘栅双极型晶体管 （IGBT) 模块门类规范 Family specification for insulated gate bipolar transistors (IGBT) modules used of renewable energy vehicle applications （报批稿） 20XX-XX-XX实施 20XX-XX-XX发布 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T xXXxX-XXXX 次 前 言 1 2规范性引用文件.. 3术语和定义， 4要求.. 4.1总则.. 4.2电性能. 4.2.1 最大额定值 4.2.2主要电特性.. 4.3材料 4.4 设计和结构. 5检验规则. 5.1 检验分类， 5.2 检验批的构成. 重新提交批.. 5.3 鉴定检验 5.4 5.4.1 通则. 5.4.2 样品的抽取， 5.4.3 检验程序 5.4.4 样品的处理.. 5.5质量一致性检验. 5.5.1通则... 5.5.2样品的抽取， 5.5.3失效批处理 5.5.4检验程序， 6标志、包装、运输及贮存要求 13 6.1标志， 13 6.1.1产品上的标志， 13 6.1.2 包装盒上的标志.. 13 6.2订货资料 13 6.3 包装运输及试验要求 6.4 贮存 7其它. 8 说明事项 14 附 A （规范性） IGBT模块焊层检测方法 附 录 B （规范性） IGBT模块内部反并联二极管反向恢复参数测试方法 16 附 c （资料性） 材料对应试验项目... 18 2 XXXX-XXXXX1/rS 前 言 本规范按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起 草。 请注意本规范的某些内容可能涉及专利。本规范的发布机构不承担识别专利的责任。 本规范提出单位：工业和信息化部。 本规范归口单位：中国电子技术标准化研究院。 本规范起草单位：嘉兴斯达半导体股份有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、中国第一汽车 股份有限公司、江苏宏微科技股份有限公司、株洲中车时代半导体有限公司、西安永电电气有限责任公 司、南京新长征科技有限公司、全球能源互联网研究院、许继电气股份有限公司、湖南国芯半导体科技 有限公司、西安卫光科技有限公司、深圳比亚迪微电子有限公司、电子科技大学、北京工业大学、吉林 华微电子股份有限公司、南京南锐半导体有限公司。 本规范主要起草人：沈华、罗海辉、赵慧超、刘志红、毛国锋、刘志强、王晓宝、刘国友、吴磊、 朱阳军、金锐、胡学彬、杨胜松、张金平、吴郁、杨寿国、施俊。 3 xxxx-xxxxx 1/rs 新能源汽车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块门类规范 1范围 本规范规定了新能源汽车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块的型号、尺寸、额定值、器件特性、 检验规则、标志和订货的要求。 本规范适用于新能源汽车（含纯电动、混合动力和燃料电池等汽车）用IGBT模块，电路拓扑涵盖单 管、半桥电路及三相桥等，其它类似IGBT模块产品可参照执行。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本规范必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本规范；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 规范。 GB/T2423.1-2008日 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温（IEC60068-2-1： 2007，IDT) GB/T 2423.2-2008 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温（IEC60068-2-2： 2007，IDT) GB/T2423.5-2019环境实验第2部分：试验方法试验Ea和导则：冲击（IEC60068-2-27：2008， IDT) GB/T2423.6-1995电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Eb和导则：碰撞（IEC 68-2-29: 1987,IDT) GB/T2423.10-2019 环境实验第2部分：试验方法试验Fc：振动（正弦）（IEC60068-2-6：2007， IDT) GB/T2423.22-2012环境试验第2部分：试验方法试验N：温度变化（IEC60068-2-14：1984， IDT) GB/T4023-2015半导体器件分立器件和集成电路总规范第2部分：整流二极管（IEC60747-2： 2000，IDT) GB/T4937.3-2012半导体器件机械和气候试验方法第3部分：外部目检（IEC60749-3：2002， IDT) GB/T4937.4-2012半导体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST）（IEC 60749-4:2002，IDT) GB/T7354-2018 高电压试验技术局部放电测量（IEC60270：2000，MOD） GB/T12560-1999 半导体器件分立器件分规范（IEC60747-11-1985，IDT；IEC60747-11 AMD.1-1991，IDT;IEC 60747-11AMD.2-1996，IDT) GB/T29332-2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极型晶体管（IEC60747-9：2007， IDT) 3 术语和定义 GB/T4023-2015和GB/T29332-2012界定的以及下列术语和定义适用于本规范。 4 xxxX-xxxxx 1/rs 要求 4.1总则 新能源汽车用IGBT模块应符合GB/T12560-1999和本规范的规定，当本规范要求与GB/T 12560-1999不一致时，以本规范的技术内容为准。 4.2电性能 4.2.1最大额定值 新能源汽车用绝缘栅双极型晶体管模块特性参数的额定值（极限值）应符合表1的规定 表1 额定值(极限值) 序号 项目 符号 单位 1 最高结温 Tvjimax ℃ 2 工作结温 Trjop ℃ 3 贮存温度 T stg ℃ 4 电压（应规定条件，如时间、频率、温度等） 集电极-发射极电压（栅极-发射极短路时） VcEs 4.1 V 4.2 栅极-发射极电压（集电极-发射极短路时） VGES V 4.3 绝缘电压 Visol V 5 电流（应规定条件，如时间、频率、温度等） 5.1 集电极连续电流 Ic A 5.2 集电极重复峰值电流 IcRM A 5.3 二极管正向直流电流 A 5.4 二极管正向重复峰值电流 A 6 二极管It值 Pt A's 7 总耗散功率 Plot W 8 IGBT最大反偏安全工作区 RBSOA / 9 IGBT最大短路安全工作区 SCSOA / 10 二极管反向恢复安全工作区 RRSOA / 8 质量 m g 9 安装力矩 M Nm 10 爬电距离 d. mm 11 外壳相对漏电起痕指数 CTI / 4.2.2 主要电特性 新能源汽车用型绝缘栅双极型晶体管模块的主要电特性参数应符合表2的规定。 5 xxxX-xxxxx 1/rs 表2 2主要电特性参数 数值 序号 参数项目和条件 符号 单位 最小值 典型值 最大值 集电极-发射极饱和电压 1 VCEsat V - （Tvi=25°C时和Tvjmax时） 栅极-发射极阅值电压 2 VGE(h) V (Tvj=25°C时) 集电极截止电流 3 Ices mA - 一 （Tvi=25°C时和Tvjmax时） 栅极漏电流 4 IGES nA (Tvj=25°C时和7vjmax时） 二极管正向电压 5 VF V V （Tvj=25°C时和TVjmax时） 关断延迟时间 9 td(ofi) ns - （Tvj=25°C时和Tvjmax时） 下降时间 7 t ns - （Tvj=25°C时和Tvjmax时） 关断能量 8 Eoff mJ 一 （Tvj=25°C时和Tvjmax时） 开通延迟时间 9 Ta(on) ns （Tvj=25°C时和Tvjmax时） 上升时间 10 t ns - 一 （Tvj=25°C时和Tvjmax时） 开通能量 11 Eon mJ - （Tvj=25°C时和Tvjmax时） 二极管反向恢复电荷 uc 7 （Tvj=25°C时和Tvjmax时） 二极管反向恢复电流 13 Ir A （Tvj=25°C时和Tvjmax时） 反向恢复损耗 14 Eree mJ - （Tvj=25°C时和Tvjmax时） 15 IGBT结-壳热阻 RebJCIGBT K/W 16 IGBT结-液热阻 RtbJF IGBT K/W 7 V 17 二极管结-壳热阻 RtbJC diode K/W 18 二极管结-液热阻（Tr,Av/At成分） RthJF diode K/W 19 输入电容（Tvj=25°C时） Cies nF V 一 20 栅极电荷 Qs uc - 21 反向传输电容（Tvj=25℃C时） Cres nF 22 输出电容（Tvj=25°C时） Coes nF 6 SJ/TXXXXX-XXXX 表2(续） 数值 序号 符号 单位 参数项目和条件 最小值 典型值 最大值 23 寄生电感 Lp nH 7 - - 24 栅极内阻（Tvj=25°C时） rg μS? - 25 短路电流（最高工作结温时，VGE=15V） Isc A 26 爬电距离（设计值） ds mm V 一 27 相比电痕化指数（设计值） CTI - V 28 质量 g 一 29 安装力矩 M Nm 7 V 30 IGBT反向偏置安全工作区 RBSO