SJ-T 11470-2014 发光二极管外延片

ICS29.045 H 83 SJ 备案号：中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11470—2014 发光二极管外延片 Epitaxialwafersoflight-emittingdiodes 2014-10-14发布 2015-04-01实施发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T11470—2014 前言本标准按照GB/T1.1一2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。请注意本标准的某些内容可能涉及专利。本标准的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院技术归口。本标准起草单位：上海蓝光科技有限公司本标准参加单位：见附录B 本标准主要起草人：潘尧波 1 SJ/T11470—2014 发光二极管外延片 1范围本标准规定了可见光发光二极管外延片（以下简称外延片）的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。本标准适用于镓砷磷系、镓铝砷系、铝镓钢磷系及铝镓铟氮系外延片。 2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，凡是不注日期的引用计数抽样检验程序1部分：按接收质量限 CAQL）检 GB/T 2828. 2003 索的逐批检验抽样计 6661 划（ISO2859- IDT) 2009 料术语 GB/T14264 半导半导体照明大语 SJ/T11395 2009 SJ/T 11396-2009 氮化缘基发光二极管监宝石衬底片发光二极管外延片测 SJ/T1147 3 术语和定义 GB/T14264 3.1 Yadiant power maintenance 辐射功率保持率 NDA 4分类 4.1 按有源层材料分类外延片按有源层材料分为： a) 镓砷磷系（GaAS1-xPx）； b) 镓铝砷系（Gai-AlxAs）； c) 铝镓铟磷系（AlGa,Ini-x-yP）； d) 铝镓铟氮系（AlGa,Ini-x-yN）。 4. 2 牌号与说明牌号表示为： SJ/T11470—2014 0000000-000xXX0XXx0 EW 派生外延片代号（以大写英文字母表示顺序）直径（mm) 峰值发射波长典型值（nm）衬底材料代号有源层材料代号外延片代号（以英文首字母表示）注：“口”表示字母；“x”表示数字。 ·有源层材料代号取材料化学元素符号的前七位字母，不足七位时由空格填充，详见表1。 ”衬底材料代号取材料化学元素符号的前三位字母，不足三位时由空格填充，详见表1。。直径取整数值，不足三位时用空格填充。。派生外延片代号需要时增设。示例：以直径为50.8mm，峰值发射波长典型值为460nm，在蓝宝石衬底上生长的有源层材料为A1GaInN材料的外延片为例，其牌号为： EW—A1GaInN—A10460Φ50 牌号中各要素的含义如下： EW -外延片代号； A1GaInN- 一有源层材料代号（有源层材料为A1GaInN）； A10 衬底材料代号（A120衬底，即蓝宝石衬底）； 460 峰值发射波长典型值（峰值发射波长典型值为460nm）； Φ50 一直径（直径为50.8mm）。 4.3外延片材料分类说明外延片材料分类说明见表1。表1 外延片材料分类说明色系衬底材料直径参黄分考有源层材料代号分类红黄绿蓝代厚绿子面光光光光号 mm 度光式晶向 GaAs GaA GaAsPu 镓砷磷系 x x GaAsi-Px GaP GaP 镓铝砷系 50 GaAs GaA x X Ga-xAl.As GaAlAsu 76 铝镓钢磷系 GaAs Al,-GaIni,P, GaA X X A1GaInP 100 Al:0s A10 150 Sic Sic 铝镓铟氮系 X Al,Gai-In,Nt-y A1GaInN X Si Siu GaN GaN 代表具体的晶向， “”代表空格。注：衬底材料厚度“x”代表具体数值，参考面晶向“x” 2 SJ/T11470—2014 5要求 5.1几何参数 5.1.1直径直径及偏差应符合SJ/T11396—2009的规定。 5.1.2 2翘曲度翘曲度规定上限值。 5.2表面质量表2 表面缺陷的最大允许值最大允许值目刮伤长度小于半径日每平方厘米3条刮狼每平大画米 25个点状缺陷小于每平方厘米注：此表数值适用于金属有机花学气相沉积方长的非表面粗化外斤。 NOLOG 物理结构外延片的物理结构参数应符合3规定结构与物理参数数值项单位最小最大光荧光峰值发射波长 nm x 波长光荧光峰值发射波长片内 RD ND x 准偏差厚度 x X P型层 cm P型电极接触层掺杂浓度 X x 有源层厚度 μm X N型电极接触层掺杂浓度 cm x X N型层厚度 μm X x 注：“x”代表具体数值。 5.4 主要参数主要参数应符合表4的规定。 3