ICS 31.080 L 53 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T 114582013 液晶显示背光组件用LED性能规范 LED for liquid crystal display backlight unit performance specification 2013-10-17发布 2013-12-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 SJ/T11458—2013 目 次 前言 II 1范围 1 2规范性引用文件 3术语、定义和符号 4要求 4.1分类 4.2外观质量.. 4.3外形尺寸， 4.4绝对最大额定值（极限值） 4.5光电特性 4.6静电放电敏感度 一致性（要求时） 4.7 5检验方法. 5 5. 1 检验条件 5 5.2 外观质量 5.3外形尺寸 5.4光电特性测量方法 5.5静电放电敏感度 5.6 一致性， 6 6检验规则 6. 1 通则， 6.2 检验分类 6 6.3结构相似LED. 6.4 鉴定检验 6.5 质量一致性检验 7 7 附加说明 12 附录A（规范性附录） 电耐久性试验， 14 16 附录B（资料性附录） 本规范参加单位 SJ/T114582013 本规范按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本规范由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。 本规范由深圳市淼浩高新科技开发有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院、厦门华联电 子有限公司、青岛海信电器股份有限公司、深圳帝光电子有限公司、飞利浦（中国）投资有限公司负责 起草，杭州浙大三色仪器有限公司、深圳雷曼光电科技股份有限公司、惠州TCL照明电器有限公司、中 电科技集团公司第13研究所、福建省光电行业协会、东莞市中半导体科技有限公司、上海蓝光科技有 限公司、中国计量科学研究院、友达光电（苏州）有限公司、深圳市百得力电子有限公司、南海奇美电 子有限公司、青岛海尔光电有限公司、TCL集团工业研究院、四川长虹电器股份有限公司、北京京东方 茶谷电子有限公司、彩虹集团公司、天马微电子股份有限公司、香港应用科技研究院参加起草。 本规范主要起草众李明远、陈兰、胡爱华、乔明胜、定毛山、余俊、牟同升。 HO RY HI SJ/T11458—2013 液晶显示背光组件用LED性能规范 1范围 本规范规定了液晶显示背光组件用发光二极管（以下简称“LED”）的性能要求、检验方法、检验 规则。 本规范适用于液晶显示背光组件用非空腔封装白光LED。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用手本文件。 电电字产品环境试验第2部分：试验方法，试验A：低温 GB/T2423.1 GB/T2423.2/电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温 GB/T2828. 2003计数抽样检验程序、第1部分：按接收质量限（AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4589./1卡2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T4937 1995半导体器件机械和气候试验方法 GB/T11499-2001半导体分立器件文字符号 GB/T125651990半导体器件光电子器件分规范 GB/T15651半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件 —2009半导体发光=极管测试方法 SJ/T11394 SJ/T11395- 2009半导体照明术语 3术语、定义和符号 GB/T11499—2001GB/T_15651和SJ/T11395—2009界定的以及下列术语、定义和符号适用于本文 件。 3. 1 小功率LEDlowpowerLED 输入功率小于300mW的LED。 注：改写SJ/T11395—2009，定义3.2.5。 3. 2 中功率LEDmediumpowerLED 输入功率大于或等于300mW、小于1000mW的LED。 注：改写SJ/T11395—2009，定义3.2.6。 3. 3 大功率LED highpowerLED SJ/T114582013 输入功率大于或等于1000mw的LED。 3. 4 光通量效能luminousefficacy nv LED发射的光通量Φ与LED的耗散功率的比值，单位为流明每瓦（1m/W）。 3.5 平均发光强度 -averageluminousIntensity LED在规定的立体角内发射的光通量与该立体角的比值。公式如下： Φ. 式中： I-平均发光强度； Q-LED和光探测器构成的立体角； Φ立体角2内的光通量。 注1：CIE127:1997推荐CIE标准条件A（探测器面积为1cm²，LED到探测器间距离为316mm，对应立体角为 0.001'sr），和CIE标准条件B（探测器面积为1cm²，LED到探测器间距离为100mm，对应立体角为0.01sr） 分别来测量远场和近场条件下的平均发光强度，可以分别用符号ILEDA和ILEDB来表示。例如：用符号ILEDAV 表示CIE标准条件A测量的平均发光强度，用符号ILEDBV表示CIE标准条件B测量的平均发光强度。 注2：改写SJ/T113952009,定义3.6.20。 4＇要求 4.1分类 LED按功率大小分为如下类别： a）L类：小功率LED； b）M类：中功率LED； c）H类：大功率LED。 4.2外观质量 LED在规定的加电条件和不加电条件下，表面应无明显机械缺陷，无明显气泡、划伤、裂纹及沾污。 引出端无脱落松动，无明显锈蚀、变色。 4.3外形尺寸 LED的外形尺寸应符合相关文件的规定。 4.4.绝对最大额定值（极限值） LED的绝对最大额定值见表1。除另有规定外，这些数值适用于整个工作温度范围。 2 SJ/T11458—2013 表1＇绝对最大额定值 数值 特性 符号 单位 最小 最大 工作环境温度 Tamb -30 85 ℃ 贮存温度 125 ℃ Tstg -40 最大直流正向电流 L类 30 mA M类 150 mA H类 700 mA 最大脉冲正向电流b IFPM L类 100 mA M类 500 mA H类 1000 mA 反向电压（适用时9 VR 5 V 耗散功率。 PM mw 450 M -685 mW H类 mW ：降额系数按相关文件的规定 b脉冲宽度为小于或等于10ms，占空比为1/10 4.5光电特性 LED的光电特性见表2。 表2光电特性 数值 、测量条件 参数名称 符号 单位 除另有规定外，Tamb=25°℃ 最小（T 最大 平均发光强度 -LEDV -1.5 L类 F=20mA po M类 I=120mA 9 一 cd H类 I=350mA 30 po 半强度角 012 L类 55 (° ) Ir=20 mA M类 I,=120mA 55 (°) H类 Ip=350mA 55 (°) 光通量 L类 If=20 mA 5 Im M类 l-=120mA 30 Im H类 Ir=350mA 80 Im 3 SJ/T114582013 表2（续） 测量条件 数值 参数名称 符号 单位 除另有规定外，Tamb=25℃ 最小 最大 正向电压 VF L类 If=20mA 3.6 v M类 If=120mA 3.6 v H类 Ir=350mA - 3.6 v 反向电流 VR=5V IR 5 μA 光通量效能 nv L类 Ir=20 mA 80 lm/W M类 I,=120mA 80 Im/W H类 I,=350mA 80 Im/W 色品坐标 X, L类 I,=20mA 0.22,0.20 0.32, 0.30 M类 If=120mA 0.22,0.20 0.32, 0.30 H类 I,=350mA 0.22, 0.20 0.32, 0.30 热阻 Rur(l-cC) L类 If=20 mA 80 ±/3. M类 IF=120mA 16 1/2. H类 I,=350mA 10 C/W 单芯片色品坐标分区按照相关文件的规定。 4.6静电放电敏感度 LED的静电放电耐受电压应符合下列规定： a）L类：人体模式（HBM）2000V，机器模式（MM）400V。 b）M类：人体模式（HBM）5000V，机器模式（MM）400V。 c）H类：人体模式（HBM）8000V，机器模式（MM）400V。 4.7一致性（要求时） 同一检验批中LED的一致性应符合本规范和相关文件的规定。正向电压、平均发光强度和色品坐标 的一致性应符合表3的规定。 表3一致性 测量条件 参数名称 变化范围 除另有规定外，Tamb=25℃ 正向电压 L类 Ir=20mA ≤0.1 V M类 I,=120mA ≤0.1V H类 I,=350mA ≤0.1 V