ICS31.060.70 K 42 备案号：28742—2010 中华人民共和国机械行业标准 JB/T110512010 电力电容器用双轴定向聚丙烯薄膜 技术条件 Technical specificationofbiaxiallyoriented polypropylenefilmsforpowercapacitors 2010-07-01实施 2010-02-11发布 中华人民共和国工业和信息化部发布 JB/T11051—2010 目 次 前言. II 1范围. 2规范性引用文件 3分类与命名 3.1分类 3.2命名. 4一般要求 5尺寸.. 5.1.厚度， 5.2宽度 5.3.长度/直径 6性能.. 检验规则 7 8标志、包装、运输和贮存 附录A（规范性附录）介质损耗因数和相对电容率计算方法. 附录B（规范性附录）薄膜厚度批平均值、批个别值的计算方法 附录C（资料性附录）薄膜质量密度法标称厚度与叠层法标称厚度关系 表1 薄膜类型。 表2 可卷绕性， 表3 叠层法厚度允许偏差 表4 质量密度法厚度允许偏差 表5 宽度允许偏差 表6 薄膜理化电气性能 表7 介电强度(DC) 表8电气弱点数. 表C.1薄膜质量密度法标称厚度与叠层法标称厚度关系 JB/T110512010 前言 本标准的附录A和附录B为规范性附录，附录C为资料性附录。 本标准由中国机械工业联合会提出。 本标准由全国电力电容器标准化技术委员会（SAC/TC45）归口。 本标准主要起草单位：西安高压电器研究院有限责任公司、桂林电力电容器有限责任公司、安徽铜 峰电子股份有限公司、浙江南洋科技股份有限公司。 本标准主要起草人：李兆林、吴俊丽、陈松、章晓红、丁邦建。 本标准为首次发布。 I JB/T11051—2010 电力电容器用双轴定向聚丙烯薄膜技术条件 1范围 本标准规定了电力电容器介质用双轴定向聚丙烯薄膜的产品分类和命名、一般要求、尺寸、性能、 试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等。 本标准适用于电力电容器介质用双轴定向聚丙烯薄膜。 本标准不适用于金属化介质用薄膜。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的 更改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新的版本适用于本标准。 GB/T13542.2--2009电气绝缘用薄膜第2部分：试验方法（IEC60674-2：1988，MOD） GB/T13542.3—2006电气绝缘用薄膜第3部分：电容器用双轴定向聚丙烯薄膜（IEC60674-3-1： 1988，MOD) IEC/TR61074:1991 用差示扫描量热法对电气绝缘材料的结晶、熔化温度和热量的测定 3分类与命名 3.1分类 聚丙烯薄膜按生产工艺和空隙率进行分类，详见表1。 表1薄膜类型 类 型 型 代号（成型方式） SB（管膜法成型） 光膜 1a型（空隙率<5%） SP（平膜法成型） RB（管膜法成型） 单面粗化膜 RP（平膜法成型） 粗化膜 2a型（空隙率≥5%） RRB（管膜法成型） 双面粗化膜 RRP（平膜法成型） 注：带括号的文字是对型号和代号的说明。 3.2命名 聚丙烯薄膜及卷应按下述方法命名予以识别，本标准中，未加以说明的厚度均为叠层法厚度： PP一型号（代号）厚度（μm）一宽度（mm）一长度（m） JB/T11051—2010 示例： PP 2a(RRP) 15 350 3000 长度：3000m 宽度：350mm 厚度：15μm 平膜法成型的双面粗化薄膜 聚丙烯薄膜 4一般要求 4.1薄膜应主要由全同立构型聚丙烯均聚物制成，薄膜表面应光洁，没有褶皱、气泡、外来杂质等缺 陷。 4.2 薄膜的可卷绕性符合表2的规定。 表2 2可卷绕性 宽度<150mm的卷盘 宽度≥150mm的卷盘 试验方法 偏移/弧形<10mm 可卷绕性 偏移/弧形<10mm 凹陷（张力为5MPa）<2mm GB/T13542.2--2009 凹陷（张力为5MPa）<2mm 获得偏移/弧形和凹陷极限值所需的延伸应不大 中第7章 于0.1% 4.3薄膜应紧密卷绕，不应出现脱筒现象，并且卷绕均匀一致。 ±1mm以上。 4.5接头应不妨碍薄膜开卷，当从卷的端面观察时，接头应清楚可见。每卷接头数不超过一个。 4.6管芯在电力电容器元件卷制拉伸过程中不应掉屑、塌或歪扭，也不应损坏薄膜或者造成其他性 能降低。 5尺寸 5.1厚度 5.1.1叠层法厚度 试验按GB/T13542.2一2009中第4章进行，批平均值、批个别值计算按附录B进行，厚度允许偏 差见表3。 表3叠层法厚度允许偏差 厚度允许偏差（%） 标称厚度 成型方式 光膜 粗化膜 试验方法 μm 批平均值 批个别值 批平均值 批个别值 8~12 ±4 ±8 ±4 ±8 管膜法成型 12.1~17 ±3 ±8 ±3 ±8 17.1~20 ±3 ±6 ±3 ±6 GB/T13542.22009 8~12 ±3 ±7 ±3 ±6 中第4章 平膜法成型 12.1~17 ±2.5 ±6 ±2.5 ±5 17.1~20 ±2 ±5 ±2 ±5 2 JB/T11051—2010 5.1.2质量密度法厚度 试验按GB/T13542.2—2009中第4章进行，2a型膜质量密度法标称厚度值与叠层法标称厚度值的 关系见附录C。批平均值、批个别值计算按附录B进行，厚度允许偏差见表4。 表4质量密度法厚度允许偏差 质量密度法标称厚度 厚度允许偏差（%） 成型方式 试验方法 批平均值 Jum 批个别值 7.4~11.0 ±3 ±6 管膜法成型 11.1~15.2 ±3 ±6 15.3~17.8 ±3 ±5.5 GB/T13542.22009 中第4章 7.4~11.0 ±2 ±5 平膜法成型 11.1~15.2 ±2 ±4 15.3~17.8 ±2 ±4 5.2 宽度 采用钢直尺测量薄膜的宽度，宽度允许偏差见表5。 表5宽度允许偏差 标称宽度及允许偏差 试验方法 宽度偏差mm 标称宽度mm 50~150 ≤0.5 GB/T13542.22009中第6章 151~300 ≤1.0 >300 ≤1.0 5.3长度/直径 按供需双方合同规定。 6 性能 6.1 薄膜的理化电气性能应符合表6、表7、表8的规定。 表6薄膜理化电气性能 序号 性 能 单位 要 求 试验方法 GB/T13542.2—2009 1 密度 g/cm3 0.91±0.01 中第5章 2 熔点 165~175 IEC/TR61074:1991 纵向 ≥140（光膜） 3 拉伸强度 MPa 横向 ≥120（粗化膜） GB/T13542.2—2009 纵向 ≥40（光膜） 中第11章 断裂伸长率 % 横向 ≥30（粗化膜） 标称厚度≤12μm ≤5.0 纵向 GB/T13542.2—2009 标称厚度>12μm 5 断面收缩率 % ≤4.0 中第23章 横向 GB/T13542.2—2009 体积电阻率 6 Qm ≥1.0X1015 中第16章 3 JB/T11051—2010 表6薄膜理化电气性能（续） 序号 性能 单位 要求 试验方法 介质损耗因数 不接触电极≤2.0×10~ 7 - GB/T13542.2—2009 (48Hz~62Hz或1000kHz) 蒸发电极≤3.0×10- 中第17章 8 相对电容率（48Hz~62Hz或1000kHz） 2.2±0.2 - GB/T13542.2—2009中 9 介电强度（DC） V/μm 见表7 18.2 GB/T13542.2—2009中 10 个/m² 电气弱点数 见表8 第19章 标称厚度≤12jμm 0.20~0.60 GB/T13542.3—2006中 11 粗化膜表面粗糙度 μm 标称厚度>12μm 6.10 0.25~0.65 平均值 9.0±3 标称厚度≤12μm 最大值 ≤15.0 最小值 >5.0 GB/T13542.3—2006中 12 粗化膜空隙率 % 6.9 平均值 10.0±3 标称厚度>12μm 最大值 ≤15.0 最小值 ≥6.0 表7介电强度 (DC) 标称厚度 介电强度（中值） 21个结果中允许有1个低于下列值 V/μm um V/μm 8 ≥250 130 9 ≥>270 155 10 ≥290 175 11 ≥300 185 12 ≥310 200 14 ≥315 210 15~25 ≥320 220 表8电气弱点数 标称厚度 电气弱点数 个/m² μm 8 9 10 ≤0.4 11 ≤0.2 ≥12 ≤0.1 6.2 与浸渍剂的相容性： 加入一定量的薄膜浸渍后的浸渍剂在90℃、50Hz下的损耗因数应不大于未加入薄膜而同期做试 4