I C S2 7.1 2 0.9 9
C C SF5 1
团 体 标 准
T/C I R A6 7—2 0 2 4
中子发生器用氘 /氚靶
D e u t e r i u m /t r i t i u mt a r ge t sf o rn e u t r o n ge n e r a t o r s
2 0 2 4-1 2-1 9发布 2 0 2 5-0 2-2 8实施
中国同位素与辐射行业协会 发 布
中 国 标 准 出 版 社 出 版
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目 次
前言 Ⅲ …………………………………………………………………………………………………………
1范围 1 ………………………………………………………………………………………………………
2规范性引用文件 1 …………………………………………………………………………………………
3术语和定义 1 ………………………………………………………………………………………………
4产品代码及规格 1 …………………………………………………………………………………………
5技术要求 2 …………………………………………………………………………………………………
6检验方法 2 …………………………………………………………………………………………………
7出厂检验 3 …………………………………………………………………………………………………
8产品标志 、包装、贮存和运输 3 ……………………………………………………………………………
附录A(资料性) 产品规格表 5 ……………………………………………………………………………
附录B(规范性) 实际活度测量方法 6 ……………………………………………………………………
附录C(资料性) 合格证形式 8 ……………………………………………………………………………
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前 言
本文件按照 G B/T1. 1—2 0 2 0《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则 》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利 。本文件的发布机构不承担识别专利的责任 。
本文件由中国同位素与辐射行业协会提出并归口 。
本文件起草单位 :原子高科股份有限公司 、中国原子能科学研究院 、中国同位素与辐射行业协会 。
本文件主要起草人 :梁斌斌、宋应民、王子默、聂阳波、巴伟伟、吴丽丽、李晨菲。
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中子发生器用氘/氚靶
1 范围
本文件规定了氘/氚靶的产品代码及规格、技术要求、检验方法、出厂检验、产品标志、包装、贮存、运
输要求。
本文件适用于采用真空工艺制备的平面型氘/氚靶,主要用于石油、地质、矿物勘探、医疗等领域中
的中子发生器。其他形状靶参考使用。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
GB11806 放射性物品安全运输规程
GB/T14056.2 表面污染测定 第2部分:氚表面污染
GB/T15849 密封放射源的泄漏检验方法
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
氘/氚靶 deuterium/tritiumtarget
由一种作为基底的金属薄片和附着在此衬底上的金属氘/氚化物薄膜所组成的金属构件。
3.2
设计活度 designactivity
氚靶放射性活度的设计值。
3.3
推荐使用期限 recommendedusageperiod
正常使用条件下,能确保氘/氚靶安全使用的期限。
3.4
原子比 atomicratio
根据投料量和压力变化计算出的氘原子数与镀膜材质的原子数之比。
3.5
实际活度 actualactivity
根据投料量和压力变化计算出的放射性活度。
4 产品代码及规格
产品代码及规格编号规定为:□□□□□□-□。
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其中:
第1位:用途,N代表用于中子发生器 ;
第2位:放射性核素 ,D代表氘,T代表氚;
第3位~4位:表示为基底材质元素符号 ,如Mo、C u等;
第5位~6位:表示为镀膜材质元素符号 ,如T i、S c、Z r、E r等;
第7位: “-” ,隔离符;
第8位:产品规格代码 ,本文件推荐的产品规格代码参照附录 A。
5 技术要求
5.1 氘、氚原料
氘气原料纯度不小于 9 9. 9 9% ,氚气原料纯度不小于 9 9%。
5.2 基底
应对直径和厚度测量 ,测量值在标称值 ±0. 0 5mm 之内。
应去油去氧化处理 ,处理后的基片进行真空包装储存 。
5.3 镀膜
采用真空工艺将镀膜材质镀制在基底上 ,并对所镀金属膜的膜厚进行测量 ,膜厚偏差不超过 ±1 0%。
5.4 外观
氘/氚靶外观完好 ,镀膜区无氧化 、脱落现象 。
5.5表面污染限制
符合G B/T1 5 8 4 9 规定的要求 。
5.6 原子比
与设计原子比偏差在 1 0%范围内。
5.7 实际活度
与设计活度偏差在 1 0%范围内。
5.8 推荐使用期限
推荐使用期限不超过 2年。
6 检验方法
6.1 原料
氘气、氚气根据原料来料技术规格书进行查验 。
6.2 基底尺寸检验
采用精度为 0. 0 2mm 的游标卡尺检验 。
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6.3 镀膜检验
采用精度为0.1mg的设备测量镀膜材质质量;采用精度为0.1μm的设备测量镀膜材质厚度。
6.4 外观检验
目视检验氘/氚靶膜的外观,镀膜区呈均匀的银灰色或深灰色。
6.5 表面污染检验
氚靶按照GB/T14056.2中规定的方法检验。
6.6 原子比和实际活度测量
按照附录B的方法进行原子比和实际活度的计算。
7 出厂检验
出厂前,应对每个氘/氚靶进行外观检验,并对氚靶进行表面污染检验。
8 产品标志、包装、贮存和运输
8.1 产品标志
产品标志应标刻在基底本体上,包括如下内容:
a) 产品代码及规格编号;
b) 产品编号;
c) 生产单位;
d) 生产日期。
8.2 产品包装
8.2.1 产品包装要求
产品真空封存后置于包装盒内,包装盒宜采用硬质塑料、铝、玻璃等固体材料。技术文件随产品一
同发出,技术文件包括产品合格证书、产品说明书等。
8.2.2 产品合格证书
产品检验合格后,由质量检验部门核发产品合格证书,格式参照附录C其内容包括:
———产品名称、产品编号、产品代码及规格编号、核素及半衰期;
———射线类型、原子比(实际活度)及测量日期、包装材料;
———推荐使用期限;
———表面污染检验结果及日期;
———生产单位、出厂日期。
8.2.3 产品说明书
产品说明书的内容包括但不限于:
———使用范围、工作环境、主要用途;
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———氚的安全防护要求、操作注意事项。
8.3 贮存
氘/氚靶应贮存在室温、干燥、无腐蚀、无氧化性的环境中,并满足场所辐射防护要求。
8.4 运输
氚靶的包装及运输应按照GB11806执行。
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附 录 A
(资料性)
产品规格表
产品规格见表A.1。
表A.1 产品规格表
产品名称 规格外形尺寸
mm活性区尺寸
mm名义活度
Bq
氘靶
氚靶Ⅰ Ф16
Ⅱ Ф22
Ⅲ Ф25
Ⅳ Ф50
Ⅴ Ф200
Ⅵ Ф202
Ⅰ Ф16
Ⅱ Ф22
Ⅲ Ф25
Ⅳ Ф50
Ⅴ Ф200
Ⅵ Ф202根据用户
要求定制—
—
—
—
—
—
≤3.7E+11
≤3.7E+11
≤5.6E+11
≤1.85E+12
≤1.85E+13
≤1.85E+13
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