ICS 31.080.20 K 46 备案号：406552013 中华人民共和国机械行业标准 JB/T 8950.1--2013 代替JB/T8950.11999 普通晶闸管 第 1部分：螺栓形器件 Phase controlthyristors--Part1: Stud devices 2013-04-25发布 2013-09-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 JB/T8950.1—2013 目 次 前言 1范围 规范性引用文件 3型号和尺寸. 3.1型号 3.2图形符号和端（子）识别， 3.3尺寸. 4额定值和特性.. 4.1参数的级数 4.2额定值. 4.3特性值. 4.4特性曲线（不作为检验要求） 5检验规则 5.1逐批检验（A组检验） 5.2周期检验（B组和C组检验） 5.3鉴定试验（D组试验） 6质量评定类别 7标志、包装、贮存和订货单， 7.1标志. 7.2包装.. 7.3贮存 7.4订货单 附录A（规范性附录）抽样表. A.1AQL抽样表.. A.2追加抽样表.. 附录B（规范性附录）密封细检漏可接受的泄漏率 10 图1晶闸管的图形符号和端（子）识别标志 图2 晶闸管的尺寸.. 表1 晶闸管的尺寸 通态电流临界上升率（di/dt）的级数.. 表2 表3 断态电压临界上升率（dv/dt）的级数 表4 最大额定值. 表 5 特性值 表6 逐批（A组）检验， 表7 周期（B组）检验 表8 周期（C组）检验 表9 鉴定（D组）试验 表A.1 AQL抽样表.. 表A.2 追加抽样表. 表B.1 密封细检漏可接受的泄漏率 10 JB/T8950.1—2013 前 言 JB/T8950《普通晶闸管》已经或计划发布以下部分： -第1部分：螺栓形器件； 一第2部分：平板形器件； 一第3部分：塑料封装器件。 本部分为JB/T8950的第1部分。 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本部分代替JB/T8950.1—1999《电流小于100A普通晶闸管》，与JB/T8950.1—1999相比主要技术变 化如下： 一通态平均电流扩展为400A，对应的管壳型号相应调整； 修改了规范性引用文件（见第2章，1999年版的第2章）； 删除了断态/反向重复峰值电压的级数表（1999年版的表2）； 修改了通态电流临界上升率（di/dt）的级数（见表2，1999年版的表3）； 修改了断态电压临界上升率（dv/dt）的级数（见表3，1999年版的表4）； 修改了对额定值的规定（见表4，1999年版的表5）； 修改了对特性值的规定（见表5，1999年版的表6）； 修改了应在企业标准或产品使用说明书中给出的特性曲线种类（见4.4，1999年版的4.4)； 删除了逐批检验（A组）中的A2a分组（1999年版的表7）； 删除了周期检验（B组）中的尺寸项目（1999年版的表8）； 修改了周期检验（B组）中，B5分组密封检验的方法和合格判据（见表7，1999年版的表8）； 修改了周期检验（C组）中，Ri项目的抽样方案和di/dt项目的试验电流值（见表8，1999年版 的表9）； 质量评定类别单独作为一章（见第6章，1999年版的6.1）； 修改了附录A（见附录A，1999年版的附录A）； 增加了附录B（见附录B）。 本部分由中国机械工业联合会提出。 本部分由全国输配电用电力电子器件标准化技术委员会（SAC/TC413）归口。 本部分起草单位：湖北台基半导体股份有限公司、江苏威斯特整流器有限公司、江苏捷捷微电子股 份有限公司、浙江正邦电力电子有限公司、西安电力电子技术研究所。 本部分主要起草人：吴拥军、袁华、王成森、项卫光、郭永忠、徐志文、蔚红旗。 本部分所代替标准的历次版本发布情况为： JB1144—1971、JB1144—1975、JB/T8950.1--1999。 II JB/T8950.1--2013 普通晶闸管第1部分：螺栓形器件 1范围 JB/T8950的本部分规定了管壳额定通态平均电流5A～400A、阻断特性对称的螺栓形反向阻断三 极普通晶闸管（以下简称晶闸管）的型号和尺寸、额定值、特性、检验规则、质量评定类别、标志、包 装、贮存和订货单。 本部分适用于对称晶闸管。不对称晶闸管也可参照使用。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T49371995半导体器件机械和气候试验方法 GB/T15291半导体器件第6部分晶闸管 JB/T2423电力半导体器件型号编制方法 JB/T4277 电力半导体器件包装 JB/T7626—2013反向阻断三极晶闸管测试方法 3型号和尺寸 3.1型号 按JB/T2423规定，晶闸管的型号应符合如下规定： KP （数字） 阻断电压的级数（断态/反向重复峰值电压的1/100） （数字） 通态平均电流值［单位为安（A)] 器件系列为普通型 器件门类为晶闸管 示例：100A、1200V晶闸管的型号为KP100-12 3.2图形符号和端（子）识别 晶闸管的图形符号如图1所示。 端（子）识别标志如图1所示，或用颜色识别：红色标识阴极端子，如阳极端子和门极端子也用色 标时，则分别使用蓝色（或黑色）和黄色（或白色）。 Ao oK OG A阳极端（子）；K一阴极端（子）；G一门极端（子）。 图1晶闸管的图形符号和端（子）识别标志 1 JB/T8950.12013 3.3尺寸 晶闸管的尺寸应符合图2和表1的规定。 pd D a)KL06、KL08 pd2 b）KL10、KL12 pd M c）KE16A、KL20A、KL24A、KL30A 图2晶闸管的尺寸 表1 晶闸管的尺寸 单位为毫米 尺 寸 管壳型号 di d2 d3 D h J L KL06 M6 33 3.2~4.4 ≥1.2 11±1 KL08 M8 39 - KL10 M10 ≤26 11±1 55 3.2~4.3 由 M8 KL12 M12 ≤31 13±1 64 制 KL16A 造 M16X1.5 M8 3.2~5.0 ≤37 13±1 80 KL20A M20X1.5 M10 3~5 ≤42 16±1 83 商 KL24A M24×1.5 M10 3~5 ≤48 19±1 110 给 甲 KL30A M30X2.0 M12 3~5 ≤58 32±1 130 2 JB/T8950.1—2013 4额定值和特性 4.1参数的级数 4.1.1阻断电压的级数为断态重复峰值电压（VDRM）和反向重复峰值电压（VRRM）两者中的较低值［单 位为伏（V）的1/100（参见3.1）。 4.1.2通态电流临界上升率（di/dt）的级数应符合表2的规定。 表2通态电流临界上升率（dildt）的级数 单位为安每微秒 p/lp 25 50 100 150 200 级数 A B c D E 4.1.3 断态电压临界上升率（dv/dt）的级数应符合表3的规定。 表3断态电压临界上升率（dv/dt）的级数 单位为伏每微秒 tp/ap 25 50 100 200 500 800 1 000 级数 A B c D E F G 4.2 2额定值 最大额定值（极限值）应符合表4的规定，并适用于整个工作温度范围。 表4 最大额定值 断态 反向 断态 反向 通态 门极 门极 门极 管壳 重复 重复 不重复 不重复 工作 贮存 电流 反向 浪涌 紧固 峰值 平均 质量 器件 温度 电流 Pt 峰值 峰值 峰值 峰值 结温 温度 临界 峰值 力矩 功率 功率 m 型号 T. IrsM A?·s 电压 电压 电压 电压 T Tsg 上升率 电压 M PG(AV) PGM g ℃ ℃ P/lP VRGM A VDRM VRRM VDsM VRSM ℃ W.N w W V V V A/μs V KPS 64 20 KP10 130 85 5 KP20 200 200 5 由 由 由制 制 制 KP30 380 720 - 5 造厂商 造 造 VDSM=VDRM+100, -40~ 40~ 2.0×103 300~3000 0.5 给出， 厂 KP50 厂 640 A、B、 5 4 VRSM=VRRM+100 125 140 商 商 允差为 KP100 1.3×1038.5×103 c 5 2 给 给 ±10% 出 出 2.5×10 332×103 5 15 KP200 3 B、C、 KP300 3.8×103 74×103 5 15 3 D 5.0X10 1.3×105 5 15 3 KP400 4.3特性值 特性值应符合表5的规定。表中除VG和dv/dt为下限值外，其他均为上限值。 3