ICS31.080 SJ L 53 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2749—2016 代替SJ/T2749-1987 半导体激光二极管测试方法 Measuring methods forsemiconductor laserdiodes 2016-01-15发布 2016-06-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2749——2016 目 次 前言 III 1范围 2规范性引用文件， 3术语和定义 4一般要求， 3 4.1试验条件 4.2允许偏差. 4.3测量设备 5详细要求 5.1正向电压 5.2反向电 OF: 5.3正向电 5 5.4反向电 5.5微分电 5.6阅值电 5.7输出光 三向电池 9 5.8斜率效 10 5.9动态消 11 5.10外微分 12 5.11峰值发射 辐射带宽 13 5.12近场图 16 5.13发射源尺寸 16 5.14半强度角.. 18 5.15开通延迟时间、上升时 19 5.16相对强度噪声 20 5.17截止频率 22 5.18调制速率， 23 5.19边模抑制比. 24 5.20射频回波损耗 24 5.21输入1dB压缩点和动态范围 25 5.22工作频率范围和带内平坦度 27 5.23电压驻波比 28 5.24噪声系数 28 5.25输入三阶交调截止点和无杂散动态范围 29 1 SJ/T2749—2016 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替SJ/T2749—1987《半导体激光二极管测试方法》。 本标准与SJ/T2749—1987相比主要变化如下： a) 将辐射光谱宽度改为光谱辐射带宽（见3.1），将辐射图改为近场图（见3.2），增加了动态范围 （见3.3）、输入1dB压缩点（见3.4）、工作频率范围（见3.5）、带内平坦度（见3.6）、电压 驻波比（见3.7）、输入三阶交调截止点（见3.8）、调制速率（见3.9）、射频回波损耗（见3.10）、 动态消光比（见3.11）、无杂散动态范围（见3.13）的术语和定义； 增加了一般要求（见4）； b) 将反向击穿电压改为反向电压（见5.2）； c) 增加了调制速率（见5.18）、边模抑制比（见5.19）、射频回波损耗（见5.20）、输入1dB压缩 d) 点（见5.21）、动态范围（见5.21）、工作频率范围（见5.22）、带内平坦度测试（见5.22）、 电压驻波比（见5.23）、噪声系数（见5.24）、输入三阶交调截止点（见5.25）和无杂散动态范 围（见5.25）常用参数的测试方法。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。 本标准起草单位：中国科学院半导体研究所。 本标准主要起草人：王欣、谢亮、满江伟、王佳胜。 本次修订为首次修订。 II SJ/T2749—2016 半导体激光二极管测试方法 1范围 本标准规定了半导体激光二极管的光学、电学和热学参数的测试方法。 本标准适用于带或不带尾纤的半导体激光二极管（以下简称激光二极管”）。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可生 文件。凡是不注日期的引用文件其韩版 GB/T15651—1995 导体器件 分立器件和集成电路第5部 电子器件 GB/T11499—2001光号体 分立器件文字符号 CIE127发光 的测式方法（measurement of LEDs） TE 3术语和定义 a GB/T156 95和GB 001果定的以及下列术和定义适用 HNOLO 3.1 光谱辐身 spectrumwidth 3.1.1 均方根谱 meansquarespectrum Ith 在规定的工 光谱包络分布用高斯函数P（）来近似。均方根谱览 ms见公式（1） om=(a-) P(a)da/rp(da (1) 式中： S 光源波长： RD N 1o 光源中心波长。 D 3.1.2 -3dB谱宽-3dBspectralwidth 在规定的工作条件下，主纵模峰值波长的幅度下降3dB处光谱线两点间的波长间隔，称之为-3 dB谱宽，或称FWHM（thefullwidthathalfmaximum）谱宽。 3.1.3 -20dB谱宽-20dBspectralwidth 在规定的工作条件下，主纵模峰值波长的幅度下降20dB处光谱线两点间的波长间隔，称之为 -20dB谱宽。 4 SJ/T27492016 3.2 近场图 nearfieldpattern 表征激光二极管发射端面的光辐射强度的分布图。 3.3 动态范围 dynamic range 激光二极管送到饱和前的最大信号输出功率与本底噪声的比值。 3.4 输入1dB压缩点1dBinputcompressionpoint 激光二极管在某一调制频率下，经电-光-电转换后链路增益减少1dB时对应的微波输入功率点。 3.5 工作频率范围 workingfrequencyrange 激光二极管的频率响应变化量满足规定的范围（通常是上升或下降3dB）所对应的频率范围即 为该激光二极管的工作频率范围。 3.6 带内平坦度 flatnessinband 激光二极管在工作频率范围的幅频响应的平坦程度，通常通过带内最大频率响应和最小频率响 应与基准频率（通常选取起始频率）响应的幅度比值来表示。 3.7 电压驻波比 voltage standingwaveratio 电压最大值和电压最小值之比，定义为入射波和反射波的电压之和与入射波和反射波的电压之 差的比值。 3.8 输入三阶交调截止点inputthirdorderinterceptpoint 激光二极管在两个微波信号调制作用下，基频产物和三阶交调产物将随输入调制信号的功率增 加而增加，基频产物和三阶交调产物的功率相等时对应的微波信号输入功率点即定义为输入三阶交 调截止点。 3. 9 调制速率transmissionspeed 满足一定误码率条件下，激光二极管所能够传输的比特率。 3.10 射频回波损耗 radiofrequencyreturnloss 5 SJ/T2749—2016 激光二极管射频输入端，反射信号与入射信号的功率比值，通常以dB表示。 3.11 动态消光比dynamicextinctionratio 激光二极管在外加数字调制信号的情况下，经光电探测器探测后，高低电平的输出功率的比值 为激光二极管的动态消光比，通常以dB表示。 3.12 外微分量子效率externaldifferentialquantumefficiency 在阀值以上，单位时间内输出的光子数变化量与引起此变化的注入电子数变化量之比。 3.13 无杂散动态范围 激光二极管在两个 功率与未产生三阶交调产物 的最大输入功率的比 一般要求 4 4.1 试验条件 4.1.1 基准标 条件 基准标准 温度 a) b) 气压 Pa. 4.1.2 仲裁测量标准大气条件 仲裁测量标福 代应符合下列规定： 温度：25 a) S b) 相对湿度： 48% 气压：86kPa~106kPa c) ARD 4.1.3 试验测量用标准大气条件 试验测量标准大气条件应符合下列规定： 温度：15℃~35℃； a) b) 相对湿度：25%~75%： c) 气压：86kPa~106kPa。 4.1.4 其他环境条件 除另有规定外，其他环境条件应按下列规定： a) 测量环境应无影响测试准确度的机械振动、电磁和光照等干扰： b) 激光二极管全部光电参数均应在热平衡下进行（要有足够测试预热时间）： 测量系统应接地良好： 6 SJ/T2749—2016 d) 测量环境应做好防静电设施，如防静电手镯、防静电实验台等。 4.2允许偏差 除另有规定外，测量允许偏差应符合下列规定： a) 偏置条件应在规定值的±1%以内； b）输入脉冲频率和占空比的允许偏差应在±2%以内。 4.3测量设备 测量设备的准确度应符合相关文件的技术要求并检定合格。在检定周期内，按有关操作规程进 行测量。 测量设备外壳需接地，做好防静电措施。 5详细要求 5.1正向电压 5.1.1测量目的 在规定的正向工作电流下，测量激光二极管的正向电压。 5.1.2测量原理框图 测量原理框图见图1。 说明： 1激光二极管驱动电源，包括直流偏置和恒温控制； 2——电流表； 被测激光二极管； 电压表。 图1 测量步骤 5.1.3 正向电压的测量按下列步骤进行： a) 按图1连接测试系统，并使设备预热： 调节激光二极管驱动电源，施加正向电流，使电流表读数为规定值，这时在直流电压表上 的读数即为被测激光二极管的正向电压。 5.1.4规定条件 应在相关文件中规定下列条件： 环境或管壳温度： 7