ICS 31. 260 L53 SJ 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2658.14—2016 半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温 Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode Part14:Junctiontemperature 2016-01-15发布 2016-06-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2658.14—2016 前言 SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》的预计结构如下： 第1部分：总则； 第2部分：正向电压； 第3部分：反向电压和反向电流： 第4部分：总电容； 第5部分： 串联电阳 AND 第6部分： 辐 第7部分： 第8部分 第9部 度 第10 制带 第 向应时 第 部分 峰值发 第 辐射功 第 结温； 第 热阻； 招分 第16 部 光电转换 本部分依据 GBAT 2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编 的规定编写。 请注意本文件的某整内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本部分由工业和信息化部 工业标准化研究院归口。 本部分起草单位： 和信息化部电子工业标准化研 D 本部分主要起草人：张戈 英 1 SJ/T2658.14—2016 半导体红外发射二极管测量方法第14部分：结温 1范围 本部分适用于半导体红外发射二极管。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则 SJ/T11394—2009半导体发光二极管测试方法 3一般要求 测量结温总的要求应符合SJ/T2658.1。 4测量方法 4.1测量原理 结温的测量原理见图1。本方法通过对被测器件施加不同电流，测量结电压增量和结温增量的关系， 从而确定结温。 说明： DUT-—被测器件； G—电流源； G2-电流源； Mv 一电压测量装置。 图1结温测量原理图 1 SJ/T2658.14—2016 4.2测量步骤 结温的测量按下列步骤进行： a) 按图1连接测量系统，并将开关置于位置1，给被测器件施加测量电流I，测量并记录此时的 结电压Vi; 注：I值采用被测器件PN结伏安特性曲线转折点的电流。 将开关快速置于位置2，用加热电流I快速替代I，要求电流I在持续时间内稳定，观察此 时的正向电压冶； 注：I值应大于I。 c) 待V稳定后，将开关快速置于位置1，即用测量电流快速替代I，测量结电压Vr。 (P 按SJ/T11394一2009中的方法5002测量K 按公式（1）～公式 e) 计算特温！ (1) VFf △T, =K×△VF (2) T =T: + AT, (3) 式中： K- 正电压增量的相美系 数， T 特温， Ti 始前器结温的刀始摄度 注：Ti一月 为被测器 件加电前 克电压波形见图2。 测量过程 1 N Vr VH Ve Vet 4V f) 12-H 图2 测量结温的电流电压波形图 2 SJ/T2658.14—2016 4.3规定条件 有关标准采用本方法时，应规定以下条件： a）环境或管壳温度； b) 测量电流工和加热电流。 3 SJ/T 2658.14—2016 中华人民共和国 电子行业标准 半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温 SJ/T2658.14—2016 * 中国电子技术标准化研究院 编制 中国电子技术标准化研究院 发行 电话：（010）64102612传真：（010）64102617 地址：北京市安定门东大街1号 邮编：100007 网址：www.cesi.cn * 1 开本：880×1230 01/16 印张： 字数：12千字 2 2016年6月第一版2016年6月第一次印刷 印数：200册定价：20元 版权专有 不得翻印 举报电话：（010）64102613 SJ/T 2658.14—2016 中华人民共和国 电子行业标准 半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温 SJ/T2658.14—2016 * 中国电子技术标准化研究院 编制 中国电子技术标准化研究院 发行 电话：（010）64102612传真：（010）64102617 地址：北京市安定门东大街1号 邮编：100007 网址：www.cesi.cn * 1 开本：880×1230 01/16 印张： 字数：12千字 2 2016年6月第一版2016年6月第一次印刷 印数：200册定价：20元 版权专有 不得翻印 举报电话：（010）64102613