ICS 31.080.30 L42 SJ 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T1838—2016 代替SJ1838-1981 半导体分立器件 3DK29型NPN硅小功率开关晶体管 详细规范 Semiconductordiscretedevices Detail specification for silicon NPN low power switching transistor type 3DK29 2016-04-05发布 2016-09-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 SJ/T1838—2016 本规范按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本规范代替SJ/T1838一1981。与SJ/T1838一1981相比，本规范主要技术变化如下： 本规范外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。 原标准开关参数ts（载流子贮存时间）和t（下降时间）在本规范中合并为tofr（关断时间）， 即toffts+tfo 机构不承担识别这些专利的责任。 本规范由全国半导体器件标耀化技术委员会归 本规范起草单位： 本规范主要起草 人烟滨 未凤领吕瑞芹。 本规范规范 INE S RD SJ/T18382016 引言 本规范适用于3DK29型NPN硅小功率开关晶体管。本规范按照GB/T6218一1996《开关用双极型晶体 管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规 范》Ⅱ类和GB/T12560一1999《半导体器件分立器件分规范》的规定。 II SJ/T1838—2016 半导体分立器件： 3DK29型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 中华人民共和国工业和信息化部 评定器件质量的根据： GB/T4589.12006《半导体器件第10部分： 分立器件和集成电路总规范》 SJ/T1838—2016 GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》 半导体分立器件3DK29型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 INOR 外形尺寸 外形符合GB/T7581—1987 ATIO 中A3—02C型的要求。 半导体材料 金属封装（空腔 应用： 开美及高顿放大与振荡用。 路中作 3质量评定类别 45 IⅡI类 考数据 -25℃） =P.350m Ps00w -500mA (3DK29A VcBO=40V（3DK29B VCEO=15V（3DK29A、 VcEO=30V BDK B D) dbl VEBO 1.发射极2.基极’ 3.集电极 单位为毫米 尺寸数值 符号 最小 标称 最大 A 6. 70 9. 90 da 5. 08 db 1. 01 db 0. 40 0.51 OD 8. 64 9. 39 OD 8. 01 8. 50 0. 71 0. 79 0. 87 j K 0. 74 1. 14 12.5 一 25. 0 17 1. 27 SJ/T1838—2016 规范性引用文件 4 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T2423.23一2013环境试验第2部分：试验方法试验Q：密封 GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4589.1一2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T4937—1995半导体器件机械和气候试验方法 GB/T6218—1996开关用双极型晶体管空白详细规范 GB/T7581-1987半导体分立器件外形尺寸 GB/T12560—1999半导体器件分立器件分规范 极限值（绝对最大额定值） 5 极限值见表1。除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。 表1 极限值 条款 数 值 参 数 符号 单位 号 最小值 最大值 4. 1 工作环境温度 Tas 55 125 ℃ 4. 2 贮存温度 Tsts -55 175 ℃ 4. 3 最大集电极-基极直流电压 Vceo V 3DK29A 25 3DK29B 40 3DK29C 25 3DK29D 40 4. 4 最大集电极一发射极直流电压 Veo A 3DK29A 15 3DK29B 30 3DK29C 15 3DK29D 30 4.5 最大发射极一基极直流电压 Veso 4 V 4. 6 最大直流集电极电流 Ia 500 mA 4. 9 T=25℃，不加散热片时的最大额定功率 Ptot 1000 一 MIT 4.10 最高结温 Tiu 175 ℃ 电特性 6 电特性见表2。检验要求见本标准的第9章。 2 SJ/T1838—2016 表2电特性 特性和条件 数值 条款号 除非另有规定，T=25℃ 符号 单位 试验分组 最小值 最大值 (见GB/T4589.1—2006的4.1) 5. 1 正向电流传输比 hee A2b Va=1 V, I=300 mA 色标：橙 25 40 黄 40 55 绿 55 80 蓝 80 120 120 180 5. 2 集电极一发射极饱和电压 AND 0. 5 A2b I=30mA，I=300m 5. 4 VeEsst 1. 2 A2b I=30 mA, 5.5 集电极 Icol A2b 1 I=0, 集电极一 极截止 Iceo A2b I= CHN 发具 极截止电 Leso A2b 5.6 的 电极一 一基极萝电流 C2b ℃,a 5.7 MH 400 A4、C2a Ve=-10 mA,f-100MHz 导通时 ton 15 A4 ns I=30 关断时间 toff A4 1-300m S I=30 mA, 3DK29A、B 90 ND RD 3DK29C、D 40 5.8 共基极输出电容 pF 12 C2a Va=10 V, I=0, f=5 MHz 标志 7. 1 器件上的标志 器件上的标志包括以下几部分： 产品型号和分档标志，如3DK29A； he分档色标； 质量评定类别标志II，如3DK29AII； 制造厂商标； 3 SJ/T1838—2016 检验批的识别代号。 7. 2 包装盒上的标志 包装盒上的标志包括： 制造厂商标； 制造厂联系方式。 8 订货资料 订货单上应有下列内容： 一产品型号和分档标志，如3DK29A； -he分档色标； 一质量评定类别标志II，如3DK29AII； 本标准编号； -其他。 9 试验条件和检验要求 试验条件和检验要求按表3～表5的规定。本章中，LTPD抽样引自GB/T12560--1999。 4