ICS 31.080.30 L42 SJ 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T1832——2016 代替SJ/T1832-1981 半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管 详细规范 Semiconductordiscretedevices Detail specification for silicon NPN lowpower switching transistor type 3DK102 2016-04-05发布 2016-09-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 SJ/T1832—2016 言 本规范按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本规范代替SJ/T1832一1981。与SJ/T1832一1981相比，本规范主要技术变化如下： 本规范外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。 原标准开关参数t（载流子贮存时间）和t（下降时间）在本规范中合并为tof（关断时间）， 即tof=tg+fo 请注意本文件的某些内容可能涉及专利D本布机 机构不承担识别这些专利的责任。 本规范由全国半导体器件标推化技术委员会归口 石家生大林石无二电子有限公司。 本规范起草单位： 本规范主要起草 思滨 宋凤领吕瑞芹。 本规范于198 发布， 本次为第一次修订。 S D 1 SJ/T1832—2016 引言 本规范适用于3DK102型NPN硅小功率开关晶体管。本规范按照GB/T6218一1996《开关用双极型晶体 管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1-2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规 范》I类和GB/T12560—1999《半导体器件 分立器件分规范》的规定。 II SJ/T1832—2016 半导体分立器件3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 中华人民共和国工业和信息化部 评定器件质量的根据： GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分： SJ/T1832—2016 分立器件和集成电路总规范》 GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》 半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开 外形尺寸 外形符合GB/T758 导体分立器件外形尺 型晶体管 寸》中A3-01B型的规 半导体材料： 在 封装：金星封装 al 路中作开关及高 应用：名 额放大与振荡用。 3 质量评定类别 Ⅱ类 考数据 =25℃) Po-300mW VcB0=20V（3DK102） VcBO=30V(3DK102B、D) VcEO=15V DK02B/D) CE 300MH 1.发射极2.基极3.集电极 h25~180 单位为毫米 尺寸数值 符号 最小 标称 最大 A 4. 32 5. 33 da 2. 54 b 1, 01 db 0. 40 0. 51 QD 5. 31 5. 84 OD 4. 53 4. 95 j 0. 92 1. 04 1. 16 K 0. 51 1. 21 L 12.5 25. 0 L, 1. 27 SJ/T1832—2016 4规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T2423.23一2013环境试验第2部分：试验方法试验Q：密封 GB/T4587一1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4589.1一2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T4937一1995半导体器件机械和气候试验方法 GB/T6218一1996开关用双极型晶体管空白详细规范 GB/T7581一1987半导体分立器件外形尺寸 GB/T12560一1999半导体器件分立器件分规范 5 极限值（绝对最大额定值） 极限值见表1。除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。 表1# 极限值 数值 章条号 参 数 符号 单位 最小值 最大值 4. 1 Tase -55 125 工作环境温度 ℃ 4.2 贮存温度 Tats 55 175 ℃ 4.3 最大集电极-基极直流电压 VCeo 3DK102A 20 3DK102B 30 3DK102C 20 3DK102D 30 4. 4 最大集电极-发射极直流电压 Veo A 3DK102A 15 3DK102B 25 3DK102C 15 3DK102D 25 4.5 最大发射极-基极直流电压 Veso 4 V 4. 6 最大直流集电极电流 Ia 50 mA 4. 9 T=25℃，不加散热片时的最大额定功率 Puot 300 MU 4. 10 最高结温 Tm 175 ℃ 6电特性 电特性见表2。检验要求见本标准的第9章。 N SJ/T1832——2016 表 2 电特性 特性和条件 数值 章条号 除非另有规定，Tm=25℃ 符号 单位 试验分组 最小值 最大值 (见GB/T4589.1—2006的4.1) 5. 1 正向电流传输比 he A2b Va=1 V, I=30 mA 色标：橙 25 40 黄 40 55 绿 55 80 蓝 80 120 120 180 5.2 集电极-发射极饱和电压 0. 3 A2b I=3 mA,I=30 5. 4 VKeast 0.9 A2b I=3 mA, 5.5 集电极 0. 1 A2b =0, 集电 封极截止电器 Iceo A . 1 A2b I= 发 寸板基机 截止电济 leso A A2b 0,NT4 5. 6 集 电极-基极截均电流 C2b 412 5℃,Vs 810 特往 频 5. 7 f MHz 300 A4、C2a Ve=10 mA,f=100MHz 导通时 40 A4 ton ns 1.-3070A V I=3 mA, 关断时间 tor A4 ns I=3mA,I=30 mA 3DK102A、B 50 3DK102C、D 35 5.8 共基极输出电容 pF 4 C2a Vs=10 V, I=0,f=5 MHz 7标志 7. 1 器件上的标志 器件上的标志包括以下几部分： 产品型号和分档标志，如3DK102A； -he分档色标； 一质量评定类别标志I，如3DK102AI； 制造厂商标； 3 SJ/T 1832—2016 检验批的识别代号。 7. 2 包装盒上的标志 包装盒上的标志包括： 一制造厂商标； 一制造厂联系方式。 8订货资料 订货单上应有下列内容： 产品型号和分档标志，如3DK102A； he分档色标； 一质量评定类别标志II，如3DK102AII； 本标准编号； 一其他。 试验条件和检验要求 9 试验条件和检验要求按表3～表5的规定。本章中，LTPD抽样引自GB/T12560—一1999。 4