ICS31.080.30 L42 SJ 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T1831—2016 代替SJ1831-1981 半导体分立器件 3DK28型NPN硅小功率开关晶体管 详细规范 Semiconductordiscretedevices Detail specificationfor silicon NPN lowpower switching transistor type3DK28 2016-04-05发布 2016-09-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T1831—2016 前言 本规范按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本规范代替SJ/T1831—1981。与SJ/T1831一1981相比，本规范主要技术变化如下： 一本规范外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。 原标准开关参数ts（载流子贮存时间）和t（下降时间）在本规范中合并为tofr（关断时间） 即ton-ts+tfo 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口。 本规范起草单位：石家庄天林石无二电子有限公司。 本规范主要起草人：赵滨宋凤领吕瑞芹。 本规范于1981年首次发布，本次为第一次修订。 SJ/T1831—2016 引 本规范适用于3DK28型NPN硅小功率开关晶体管。本规范按照GB/T6218一1996《开关用双极型晶体 管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规 范》ⅡI类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的规定。 AND S II SJ/T1831—2016 半导体分立器件 3DK28型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 中华人民共和国工业和信息化部 评定器件质量的根据： GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件 SJ/T1831—2016 和集成电路总规范》 GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》 半导体分立器件3DK28型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 外形尺寸 简略说明 外形符合GB/T75811987《半导体分立器件外形尺 开关用双极型晶体管 寸》中A3—01B型的规定。 半导体材料：硅 封装：金属封装（空腔） PD 中a 应用：各种电路中作开关及高频放大与振荡用。 质量评定类别 +0 ⅡI类 参考数据（T=25℃） Ptor=300mW le=50 mA VcBO=35V(3DK28A) VcBO=20V(3DK28B) VcB0=20V（3DK28C) VCEO=25V（3DK28A) VCEO=15V（3DK28B） VCEO=15V（3DK28C) VEBO=4V 1.发射极 2.基极 3.集电极 f≥500MH 单位为毫米 hFE:25~180 尺寸数值 符号 最小 标称 最大 4.32 5.33 A 一 da 2.54 b 1.01 db 0.40 0.51 QD 5. 31 5.84 一 D 4.53 4.95 0.92 1. 04 j 1.16 0.51 1.21 K 12.5 25.0 L 1.27 SJ/T1831—2016 4规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T2423.23—2013环境试验第2部分：试验方法试验Q：密封 GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4589.1—2006 半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T4937—1995 半导体器件机械和气候试验方法 GB/T6218—1996 开关用双极型晶体管空白详细规范 GB/T7581—1987 半导体分立器件外形尺寸 GB/T12560—1999 半导体器件 极限值（绝对最大额定值 极限值见表1。除非另 这些极限值在整个工作温度范围内适用 装 极限值 TE OF 数 值 章条号 符号 单位 最值 4.1 工作环域 4.2 贮存温度 4.3 最大集电 直流电用 v 3DK28A 3DK28B 20 3DK28C 4.4 最大集电极 发 电压 Van V 3DK28A 3DK28B S 15 3DK28C 15 4.5 最大发射极一基极直流电店 ND RD 4 4.6 最大直流集电极电流 50 mA 300 4.9 T=25C，不加散热片时的最大额定功率 mw 4.10 最高结温 Tu 175 电特性 电特性见表2。检验要求见本标准的第9章。 2 SJ/T1831—2016 表2 电特性 特性和条件 数值 章条号 除非另有规定，T=25℃ 符号 单位 试验分组 最小值 （见GB/T4589.1—2006的4.1） 最大值 5.1 正向电流传输比 he A2b Ve=1 V, I=30 mA 色标：橙 25 40 黄 40 55 绿 55 80 蓝 80 120 紫 120 180 5.2 集电极一发射极饱和电压 Vesst 0. 3 A2b I=3 mA, I=30 mA 5.4 基极一发射极饱和电压 Kiant A 一 0.9 A2b I=3 mA, I=30 mA 5.5 集电极一基极截止电流 leaor μA 0.1 A2b 一 I=0, K=10 V 集电极一发射极截止电流 Lao UA 0.1 A2b =0,=10 V 发射极一基极截止电流 leo μA 0.1 A2b 一 I=0, 临=4 V 5.6 高温下的集电极一基极截止电流 Lose HA 10 C2b 一 I=0,7m=125℃,K=10V 5.7 特征频率 ff MHz 500 A4、C2a 一 V=10 V,I=20 mA,f=100 Mz 导通时间 20 A4 ns 1=3 mA,I=30 mA 关断时间 torr ns A4 I,=3 mA, I =30 mA 3DK28A 30 3DK28B 25 3DK28C 20 5.8 共基极输出电容 Ca pF 3.5 C2a Vo=10 V,=0,f-5 MHz 7标志 7.1 器件上的标志 器件上的标志包括以下几部分： 一产品型号和分档标志，如3DK28A： -h分档色标； 一质量评定类别标志II，女 如3DK28AII： 3 SJ/T1831—2016 一制造厂商标： 一检验批的识别代号。 7.2包装盒上的标志 包装盒上的标志包括： 一制造厂商标； 一制造厂联系方式。 8 订货资料 订货单上应有下列内容： 产品型号和分档标志， 一he分档色标； 一质量评定类别标 30K28AII 本标准编号 其他。 9 试验条件和检验 试验条件和格 安表3~ LTPD抽样自GB/T125 S RD