ICS 31.080.30 L42 SJ 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T1830—2016 代替SJ/T1830-1981 半导体分立器件 3DK101型NPN硅小功率开关晶体管 详细规范 Semiconductordiscretedevices Detail specification for silicon NPN low power switching transistor type3DK101 2016-04-05发布 2016-09-01实施 SU 中华人民共和国工业和信息化部 发布 SJ/T1830—2016 言 本规定按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本规定代替SJ/T1830—1981。与SJ/T1830—1981相比，本规定主要技术变化如下： 本规定外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。 原标准开关参数t，（载流子贮存时间）和t（下降时间）在本规定中合并为tofr（关断时间）， 即tof-ts+tfo 构不承担识别这些专利的责任。 本规定由全国半导体器件标准化技术委员会归口 本规定起草单位： 本规定主要起真 宋风领 吕瑞芹。 本规定于198 一次修订。 本次为第 SJ S N SJ/T18302016 引言 本规范适用于3DK101型NPN硅小功率开关晶体管。本规范按照GB/T6218一1996《开关用双极型晶体 管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规 范》II类和GB/T12560一1999《半导体器件分立器件分规范》的规定。 II SJ/T18302016 半导体分立器件3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 本规定适用于3DK101型NPN硅小功率开关晶体管。本规定按照GB/T6218一1996《开关用双极型 晶体管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电 路总规范》IⅡ类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的规定。 SJ/T1830—2016 中华人民共和国工业和信息化部 评定器件质量的根据： GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分： SJ/T1830—2016 分立器件和集成电路总规范》 GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》 半导体分立器件3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 外形尺寸 简略说明 外形符合GB/T7581—1987《半导体分立器件外形尺寸》 开关用环境额定的双极型晶体管 中A3-01B型的规定。 半导体材料：硅 封装：金属封装（空腔） OD bal 应用：在各种电路中作开关及高频放大与振荡用。 质量评定类别 Ⅱ类 35 参考数据（T=25℃） Ptor=200mW Ic=40 mA VcBo=30V(3DK101A、B) VcBO=20V (3DK101C) VcEO=20V(3DK101A) VCEO=25V (3DK101B) VcE0=15V(3DK101C) VEBo=4 V ≥300MH hrE:25~180 1.发射极 2.基极 3.集电极 单位为毫米 尺寸数值 符号 最小 标称 最大 4. 32 一 5. 33 A da 2.54 一 一 1. 01 0. 40 0. 51 一 OD 5. 31 5. 84 - 4. 53 4. 95 j 0. 92 1. 04 1, 16 K 0. 51 1. 21 7 12.5 - 25. 0 Li 1. 27 2 SJ/T1830—2016 4规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T2423.23—2013环境试验第2部分：试验方法试验Q：密封 GB/T4587一1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4589.1-2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T4937-1995 半导体器件机械和气候试验方法 GB/T6218—1996 开关用双极型晶体管空白详细规范 GB/T7581—1987 半导体分立器件外形尺寸 GB/T12560—1999 半导体器件 分立器件分规范 5 极限值 （绝对最大额定值 极限值见表1。 这些极限值在整个工作温度范围内 极限值 条款 数 参 符号 单位 号 小值 境狐度 4. 1 工作环 T. 4. 2 贮存温 ℃ 梦 4.3 最大货 电板 吸直流电 v 3DK10 3DK101 S 3DK101C 最大集电 4. 4 流电压 Vco 3DK101A 20 3DK101B 25 3DK101C 15 最大发射极-基极直流电压 4.5 ANI 4 A 4. 6 最大直流集电极电流 40 mA 4.9 T=25℃，不加散热片时的最大额定功率 200 MU Pot 4. 10 最高结温 Tx 175 ℃ 6 电特性 电特性见表2。检验要求见本标准的第9章。 3 SJ/T1830—2016 表2 电特性 特性和条件 数值 条款号 除非另有规定，Tm=25℃ 符号 单位 试验分组 最小值 最大值 (见GB/T4589.1——2006的4.1) 5. 1 正向电流传输比 he A2b - V=1 V, I=20 mA 色标：橙 25 40 黄 40 55 绿 55 80 蓝 80 120 紫 120 180 5. 2 集电极-发射极饱和电压 Vesst 0. 3 V A2b I=2 mA, I=20 mA 5. 4 基极-发射极饱和电压 Vetst 0. 9 A2b 一 I=2 mA, I=20 mA Lool μA / 5.5 集电极-基极截止电流 0. 1 A2b I=0, V=10 V 集电极-发射极截止电流 ao μA 0. 1 A2b - I=0, Ve=10 V 发射极-基极截止电流 Leo 0. 1 A2b μA - =0, K=4 V 5. 6 高温下的集电极-基极截止电流 Lose HA 10 C2b 一 I=0, T=125℃, K=10 V 5. 7 特征频率 ff MHz 300 一 A4、C2a V=10 V, I=10 mA, f=100 MHz 导通时间 ta ns 30 A4 - I=1 mA, I=10 mA 关断时间 terr ns A4 I=1 mA, I=10 mA 3DK101A 60 3DK101B 40 3DK101C - 35 5. 8 共基极输出电容 pF 4 C2a - Vs=10V,I=0,f=5 MHz 7标志 7. 1 器件上的标志 器件上的标志包括以下几部分： 一产品型号和分档标志，如3DK101A； —he分档色标； 质量评定类别标志IⅡ，如3DK101AIⅡI； 4