ICS31.080.30 L42 SJ 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T1826—2016 SJ/T1826—1981 半导体分立器件 3DK100型NPN硅小功率开关晶体管 详细规范 Semiconductordiscretedevices Detail specification for silicon NPN low power switching transistor type3DK100 2016-04-05发布 2016-09-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T1826—2016 前言 本规范按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本规范代替SJ/T1826—1981。与SJ/T1826—1981相比，本规范主要技术变化如下： 本规范外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。 原规范开关参数ts（载流子贮存时间）和t（下降时间）在本规范中合并为tofr（关断时间）， 即tof-t,+re 本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口 本规范起草单位： 本规范主要起草 未风领 吕瑞芹。 本规范于1981 本次为第一次修订。 S S SJ/T1826—2016 引言 本规范适用于3DK100型NPN硅小功率开关晶体管。本规范按照GB/T62181996《开关用双极型晶 体管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总 规范》IⅡI类和GB/T12560一1999《半导体器件分立器件分规范》的规定。 II SJ/T1826—2016 半导体分立器件 3DK100型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 中华人民共和国工业和信息化部 评定器件质量的根据： GB/T4589.12006《半导体器件第10部分： SJ/T1826—2016 分立器件和集成电路总规范》 GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范 外形尺寸 DUST 外形符合GB/T7581寸 中A3-01B型的规定。 半导体材料：矿 封装： 应用： 路中伟 频放大与振荡用。 质量评定类别 Ⅱ类 考数据 25℃) omw lc=30mA VCB0-20V（3DK100A B VcB0=15V(3DK)00C) VCE0=15V(3DK100A. @b VCE0-10y（(3DK00C) D 1.发射极2.基极3.集电极 ：25180 单位为高 尺寸数值 符号 最小 标称 最大 A 4.32 5.33 da 2. 54 1, 01 b 0. 40 0.51 OD 5. 31 5. 84 OD 4. 53 4. 95 0. 92 1. 04 j 1.16 K 0. 51 1. 21 12. 5 25.0 L 1. 27 SJ/T18262016 规范性引用文件 4 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T2423.23—2013环境试验第2部分：试验方法试验Q：密封 GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4589.1-2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T4937—1995 5半导体器件机械和气候试验方法 GB/T6218—1996 开关用双极型晶体管空白详细规范 GB/T 7581—1987 半导体分立器件外形尺寸 GB/T12560—1999半导体器件分立器件分规范 5极限值（绝对最大额定值） 5 极限值见表1。 除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。 表 1 极限值 数 章条号 参 数 符号 单位 最小值 最大值 4. 1 Tu 55 125 工作环境温度 4. 2 贮存温度 Tue 55 175 ℃ 4.3 最大集电极-基极直流电压 Voao A 3DK100A - 20 3DK100B 一 20 3DK100C 15 一 4. 4 最大集电极-发射极直流电压 Veo A 3DK100A - 15 3DK100B 15 3DK100C 10 4.5 最大发射极-基极直流电压 Vao 4 v 4. 6 最大直流集电极电流 30 mA 4.9 T=25℃，不加散热片时的最大额定功率 Prot 100 mw 4. 10 最高结温 Tm 175 ℃ - 电特性 6 电特性见表2。检验要求见本规范的第9章。 2 SJ/T1826—2016 表 2 电特性 特性和条件 数值 章条号 除非另有规定，Tm=25℃ 符号 单位 试验分组 最小值 最大值 (见GB/T4589.1—2006的4.1) 5.1 正向电流传输比 hr A2b V=1 V, I=10 mA 色标：橙 25 40 黄 40 55 绿 55 80 蓝 80 120 120 180 5. 2 集电极-发射极饱和电压 0. 3 A2b I=1 mA, I=10 5. 4 Ve(at) 0.9 A2b I=1 mA, 5.5 集电极 基极载上月 电流 ILcsot 0. 1 A2b L=0, 集电 发射板 截止电 aco A2b 发 截止电流 leso A2b A 瑞 集 5.6 高 电极-基极微电流 C2b -12 ℃, 频 5. 7 特征 MHz 300 A4、C2a Ke=6 SINT f=100MHz 2 导通时 to ns 20 A4 I=1 mA, 关断时间 A4 tort S I=1 mA,I=18 3DK100A 35 ARD 3DK100B、C 25 5.8 共基极输出电容 pF 3 C2a Va=6 V, I=0, f=5 MHz 7标志 7.1 器件上的标志 器件上的标志包括以下几部分： 产品型号和分档标志，如3DK100A； he分档色标； 一质量评定类别标志IⅡI，如3DK100AIⅡI； 制造厂商标； 3 SJ/T1826——2016 检验批的识别代号。 7. 2 包装盒上的标志 包装盒上的标志包括： 制造厂商标； 一制造厂联系方式。 订货资料 8 订货单上应有下列内容： 产品型号和分档标志，如3DK100A； hg分档色标； 一质量评定类别标志Ⅱ，如3DK100AII； 一本标准编号； 一其他。 试验条件和检验要求 6 试验条件和检验要求按表3～表5的规定。本章中，LTPD抽样引自GB/T12560—1999。 4