ICS 31.080.30 SJ L42 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T1477—2016 代替SJ/T1477-1979 半导体分立器件 3CG120型硅PNP高频小功率晶体管 详细规范 Semiconductordiscretedevices Detail specificationfortype3CG120highfrequencylowpowerPNP silicon transistor 2016-04-05发布 2016-09-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T 14772016 前言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替SJ/T1477—1979。与SJ/T1477—1979相比，本标准主要技术变化如下： -本标准依据GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》。 本标准外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。 原标准3CG120型PNP硅外延平面三极管规范表中共基极输出电容测试条件5MHz，本标准表2 电特性5.15中共基极输出电容测试条件改为1MHz。 本标准增加了极限值参数VcBo（见4.3）和电特性参数高温下的截止电流IcB02（见5.8），IcBO1 （新版见5.7，旧版见3CG120型PNP硅外延平面三极管规范表）测试条件由VcB=-10V改为 VcB=VcBO，IcEO（新版见5.7，旧版见3CG120型PNP硅外延平面三极管规范表）测试条件由 VcE=-10V改为VcE=VcEO，IBO（新版见A2b分组，旧版见3CG120型PNP硅外延平面三极管规范 表）测试条件由VEB=-1.5V改为VEB=-2V，删掉了交流参数Kp和NF（见旧版3CG120型PNP硅外 延平面三极管规范表）。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口。 本标准起草单位：济南市半导体元件实验所。 本标准主要起草人：侯秀萍、下岩。 本标准于1979年首次发布，本次为第一次修订。 I SJ/T1477—2016 引 言 本标准适用于3CG120型硅PNP高频小功率晶体管。本标准按照GB/T6217一1998《半导体器件分 立器件第7部分：双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范》制定， 符合GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》II类和GB/T12560— 1999《半导体器件分立器件分规范》的要求。 AND S II SJ/T1477—2016 半导体分立器件 3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 中华人民共和国工业和信息化部 评定器件质量的根据： GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件 SJ/T1477—2016 和集成电路总规范》， GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》 半导体分立器件3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 外形尺寸 简略说明 外形符合GB/T7581-1987《半导体分立器件外形尺寸》 高频放大环境额定的双极型晶体管 中A3-02B型的要求。 半导体材料：硅 封装：金属封装（空腔） 应用：在各种电路中作开关及高频放大与振荡用。 @a 质量评定类别 + ⅡI类 工程数据 Ptor=500mW(TA=25℃) Ic=100mA VcBo=-20V~-50V VcEO=-15V~-45V VEBO=-4 V hFE:25~270 F≥200MHz Cob≤7pF @b 1. 发射极 2.基极3.集电极 单位为毫米 尺寸数值 符号 最小 标称 最大 A 6. 10 6. 60 - da 5. 08 db - 1. 01 @b 0. 40 0. 51 OD 8. 64 9. 39 D 8. 01 8.50 0. 71 0. 79 0. 87 J 0. 74 1. 14 12.5 25. 0 L 1. 27 SJ/T1477—2016 规范性引用文件 下列文件对于本标准的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本标准。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本标准。 GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4589.1一2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T4937—1995半导体器件机械和气候试验方法 GB/T6217一1998半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管第一篇高低频放大环境 额定的双极型晶体管空白详细规范 GB/T7581一1987半导体分立器件外形尺寸 GB/T12560—1999 半导体器件 N 极限值（绝对最大额定值） 5 IND 这些极限值在整个工作温度范围内适用 表 极限值 TES OF 值 章号 数 特号 单位 最值 4. 1 环境温度 ℃ 4. 2 贮存温度 ℃ 4. 3 最大集电极 电压 v 3CG120A 3CG120B 3CG120C 4. 4 最大集电极-发射极直 V 3CG120A S 3CG120B ST -30 3CG120C -45 最大发射极-基极直流电压 IRD 4.5 -4 V D 4.6 最大直流集电极电流 100 mA 4. 7 T=25℃，不加散热片时的最大额定功率 Pot 500 mW 4.8 最高结温 Tm 175 ℃ 6电特性 电特性见表2。检验要求见本标准的第9章。 2 SJ/T1477—2016 表 2 电特性 特性和条件 数值 章号 除非另有规定，Tm=25℃ 符号 单位 试验分组 最小值 最大值 （见GB/T4589.1—2006的4.1) 5. 1 正向电流传输比 ht Ve=-10 V, I=30 mA A2b、C2b 色标：橙 25 40 黄 40 55 绿 55 80 蓝 80 120 紫 120 180 灰 180 270 5. 5 特征频率 f MHz 200 一 A4、C2a Ve=10 V, I=30 mA, f=100 MHz 5.7 集电极-基极截止电流 leso μA 0. 1 A2b 一 Va= Keo 集电极-发射极截止电流 lLeo μA 0. 2 A2b Ke= Keo 5.8 高温下的集电极-基极截止电流 Lasoe μA 20 C2b 一 发射极-基极开路，T=150℃，Va=-10V 5. 9 发射极-基极截止电流 Leso μA 0. 1 A2b 集电极-基极开路，V=-2V 基极-发射极饱和电压 Ve(at) V - -1. 0 A2b I=5 mA, I=50 mA 集电极-发射极饱和电压 Ve(st) A 0. 5 A2b I=5 mA, I=50 mA 5. 15 共基极输出电容 Cos pF 7 C2a Ve=10 V, I=0, f=1 MHz 7标志 7. 1 器件上的标志 器件上的标志包括以下几部分： 产品型号和分档标志，如3CG120A； he分档色标； 一质量评定类别标志II，如3CG120AIⅡI； 一制造厂商标； 检验批的识别代号。 3 SJ/T1477—2016 7.2包装盒上的标志 包装盒上的标志包括： 一制造厂商标； 制造厂联系方式。 8订货资料 订货单上应有下列内容： -产品型号和分档标志； -he分档色标； 本标准编号； 其他。 试验条件和检验要 9 试验条件和检 表3 LTPD抽样引 第GB/T123 S