ICS 31.080.30 L42 SJ 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T1472—2016 代替SJ/T1472-1979 半导体分立器件 3CG110型硅PNP高频小功率晶体管 详细规范 Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3CG110 high frequency low power PNP silicon transistor 2016-04-05发布 2016-09-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T1472—2016 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替SJ/T1472—1979。与SJ/T1472一1979相比，本标准主要技术变化如下： 本标准依据GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》。 本标准外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。 原标准3CG110型PNP硅外延平面二极管规范表中共基极输出电容测试条件5MHz，本标准表2 电特性5.15中共基极输出电容测试条件改为1MH 本标准增加了极限值参 数VcBb （新版见5.7， 见3CG110型PNP硅外延平面三极管 VcB=VcBO, 三极管规范表）测试条件由 Vce=-10 VCEO， 数Kp利W见版3CG110型PNP硅 范表） 效V，删掉了交 试 数 极管规范 外延平 内容 些雯利的责任。 请注意本 件的某 涉及专利。本文件的发布机构小承担识别这 国 体器件 准化技大委员会归口。 本标准由 本标准起 真单位： 济南市 导体先件实验 本标准主 要起草 侯秀萍、 本标准于 次发布， 次为第一 S S RD I SJ/T14722016 引 言 本标准适用于3CG110型硅PNP高频小功率晶体管。本标准按照GB/T62171998《半导体器件 分 立器件第7部分：双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范》制定， 符合GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》I类和GB/T12560一 1999《半导体器件分立器件分规范》的要求。 II SJ/T1472—2016 半导体分立器件3CG110型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 中华人民共和国工业和信息化部 评定器件质量的根据： GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件 SJ/T1472—2016 和集成电路总规范》 GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》 半导体分立器件3CG110型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 ND 外形尺寸 外形符合GB/T7581- 高频放 寸》中A3-01B型的要求。 封装：金属封装 da 应用：在各种电路中 高频放大与振荡用。 质量评定 IⅡ类 工程数据 Pror=300 n A=25℃) 139 =50mA 020 oV 5V 25~270 中b Cob≤3.5pF S 发射极！2.集极 1. 3.集电极 单位为毫 尺寸数值 符号 最小 标称 最大 A 4. 32 5. 33 da 2.54 1. 01 @b 0. 40 0.51 OD 5. 31 5. 84 @D 4. 53 4.95 0. 92 1. 04 j 1. 16 K 0. 51 1.21 7 12.5 25. 0 L 1. 27 SJ/T1472—2016 4 规范性引用文件 下列文件对于本标准的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本标准。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本标准。 GB/T4587一1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4589.1一2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T4937-1995半导体器件机械和气候试验方法 GB/T6217一1998半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管第一篇高低频放大环境 额定的双极型晶体管空白详细规范 GB/T75811987半导体分立器件外形尺寸 GB/T12560——1999 9半导体器件分立器件分规范 极限值（绝对最大额定值） 5 极限值见表1。除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。 表1 极限值 数 值 章号 数 符号 单位 参 最小值 最大值 -55 150 4. 1 环境温度 ℃ 4. 2 贮存温度 Tats -55 175 ℃ 4. 3 最大集电极-基极直流电压 Veco v 3CG110A 20 3CG110B 35 3CG110C -50 4. 4 最大集电极-发射极直流电压 Veo v 3CG110A -15 3CG110B -30 3CG110C -45 4. 5 最大发射极-基极直流电压 Veno -4 v 4. 6 最大直流集电极电流 Ia 50 mA 一 4. 7 T=25℃，不加散热片时的最大额定功率 Pot 300 MUI 4.8 最高结温 Ts 175 ℃ 电特性 电特性见表2。检验要求见本标准的第9章。 2 SJ/T1472—2016 表2电特性 特性和条件 数值 章号 除非另有规定，Tm=25℃ 符号 单位 试验分组 最小值 最大值 （见GB/T4589.1—2006的4.1) 5. 1 正向电流传输比 he A2b、C2b Ve=-10 V, I=10m A 色标：橙 25 40 黄 40 55 绿 55 80 蓝 80 120 120 180 180 270 5.5 特征频率 100 A4、C2a Ve=-10 V, e-10 5. 7 集电极-基 Lcos μA 0. 1 A2b Va= Koo 集电极 射极 截止电话 Leo 0. 1 A2b Ve= I 5.8 高温 极-基极 Icse C2b 发身 H 干路， T 5. 9 发具 截止电流 极 A2b 集 开路， VE 射极 包和电压 A2b mA I=3 A 集电 包和电压 A2b .5 I=3 5. 15 共基极输出电 电容 pF 3. 5 Cob C2a Va=-10 V, f=1 MH2 D 7标志 7. 1 器件上的标志 器件上的标志包括以下几部分： 产品型号和分档标志，如3CG110A； he分档色标； 质量评定类别标志I，如3CG110AII； 制造厂商标； 检验批的识别代号。 7.2包装盒上的标志 包装盒上的标志包括： 制造厂商标； 3 SJ/T 1472—2016 制造厂联系方式。 8订货资料 订货单上应有下列内容： -产品型号和分档标志，如3CG110A； h分档色标； 一质量评定类别标志II，如3CG110AⅡI； -本标准编号； 一其他。 试验条件和检验要求 试验条件和检验要求按表3～表5的规定。本章中，LTPD抽样引自GB/T12560一1999。 4