ICS 31.140 SJ L21 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11199—2016 代替SJ/T11199—1999 压电石英晶体片 Piezoelectricquartzcrystalblank 2016-01-15发布 2016-06-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T11199—2016 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替SJ/T111991999《压电石英晶体片》，与SJ/T11199一1999相比，主要技术变化如下 石英晶体毛片改称为石英晶体毛坏片（见3.1，1999年版的3.1）； 石英晶体厚度片增加对应词（见3.2，1999年版的3.2）； 增加石英晶体方片的术语和定义（见3.3） 一石英晶体频率片改称为石英晶体和片增序调 （见3.4，1999年版的3.3）； 完善石英晶体成品片定义（项 1999-年版的 修改石英晶体条片的 1999年版的3.5）； .3 增加石英晶体圆身和矩形片的术语和定义（见3.5.2和3.5 增加边缘 破边、 破角 纹和划痕的术语和定 3.8，3.9，3.10）； 增加石 英晶体 严行度的术语和定义 见3.5.11） 删去对晶片制造厂 （见4.1，1999 返的4. 毛场片成边长度小 mm改为小于0.5mm，深度小 0mm改 5mm，破角处深 度小 改为 形缺摄的移数量应符合详细费范 或合同的 尖角形缺损及破角 规 处深度应小 于0.5m “破边和破 石英晶体 表面“不应有明显 有裂限 的切割 改为“应无裂纹和目 刺痕迹 见4.2.1 9年版的4.2.1）； 厚度 长度小 用改为小王 破角处探瘦 于1 mm 弧形缺损的尺寸和 数量应名 羊细规范 缺损及破角处 深度应小 于5”：“破边和破 客尚的规定 角处不应 2天裂纹和划痕”（见 ”：和不 4.2.2 版的4.2.2）； 增加方片的 要求（见4.2.3）： 研磨片和成品片的外观要求分条描述，成品片的外观缺陷增加图1 （见4.2.4和4.2.5，1999 年版的4.2.3 毛坏片长宽尺寸允 m；Z向尺寸允差为±0.2mm， 为 厚度允差为±0.015m 现范惑合 规定：×轴向平行度允差小于0.05mm改为 “小于0.015mm或符合详细规范或合 的规定”（见4.3.1）； 厚度片矩形片长宽尺寸允差为土0.03mm改为：X向尺寸允差为土0.1mm，Z向尺寸允差为土 0.2mm；厚度允差为土0.01mm改为土0.005mm；增加方片的要求并增加图2；增加圆片倒缺 口的轴向标识要求及缺口径向尺寸允差；增加厚度切变模式的石英晶体片不直接测量厚度而 测量频率的选择（见4.3.2，1999年版的4.3.2）； 研磨片和成品片增加条片的尺寸允差，增加圆片倒缺口的轴向标识要求，矩形片长宽尺寸允 差为±0.03mm改为0~-0.015mm；厚度允差为±0.01mm改为±0.005mm；增加厚度切变 模式的石英晶体片不直接测量厚度而测量频率的选择（见4.3.3，1999年版的4.3.3）； 晶片切角允差的Z轴角度允差五个级别为土0.5'±1'±2'±3土5'改为±15”，土30 "，土45”，±1'，土2'（见4.4，1999年版的4.4） 频率允差的要求增加石英晶体厚度片和方片（见4.5，1999年版的4.5）； 删去内部缺陷章条，籽晶和双晶合并到成品片的外观要求中（1999年版的4.6）； I SJ/T 11199—2016 在灯光下目检改为“灯光下目检或规定倍数放大镜或显微镜检查”；增加有争议时的测量方 法；增加“石英晶体片腐蚀后或抛光后在灯光下目检双晶和籽晶。”（见5.1，1999年版的 5.1) ; 厚度测量的工具由千分尺改为数字千分尺；平行度的测量方法与厚度测量分别规定；增加方 片倒角的测量方法，增加圆片倒缺口轴向的测量方法（见5.2，1999年版的5.2）； -X射线定向仪的精度由0.5'改为适用的精度（见5.3，1999年版的5.3）； 测量频率充差的仪器只提出测量原理和电极形式（见5.4，1999年版的5.4）： 删去内部缺陷（1999年版的5.5）； 检验批“由同一时间提交的用同一批原料加工的石英晶体片构成”改为“同一时间提交的同 一规格的石英晶体片构成”（见6.1，1999年版的6.1）； 抽样方案改为由详细规范规定（见6.2，1999年版的6.2）； 小包装的标志和合格证项目少量调整（见7.1，1999年版的7.1）。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国频率控制和选择用压电器件标准化技术委员会（SAC/TC182）归口。 本标准起草单位：中国电子元件行业协会压电晶体分会，成都泰美克晶体技术有限公司，北京石 晶光电科技股份有限公司，北京晨晶电子有限公司。 本标准主要起草人：章怡，叶竹之，郭卫民，高为茂。 本标准的历次版本发布情况为： SJ/T 11199—1999。 IⅡI SJ/T11199—2016 压电石英晶体片 1范围 本标准规定了压电石英晶体片的术语和定义、要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮 存。 本标准适用于供制造体波石英晶体元器件的石英晶体片。本标准不适用于音叉谐振器用石英晶体 片。 AND 2 规范性引用文件 STRY 下列文件对于 日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引 其最新贩木一（包插所有的修改单） GB/T2828. 抽样检验程序 第部分：按接收质 限（AQ）检索的逐批检验抽样计划 2012 GB/T3352 2012 人造 便用指南（IEC60758 2004, 拍体 规范 GB/T 122 石英 元件电子元器件质量评定体系规范 第1部 总规范 CHNOL RY 术语和定 2012 GB/T335 和GB/T 19963883 以及下刻不语和定义适用于 的 LSIN 3. 1 石英晶体毛环 uartzcrystalwafer 毛片 按规定的角度和尺寸将人造有英晶体制材切割成的石英晶体片。 S 3. 2 RD: 石英晶体厚度片 talthicknesswafer 厚度片 石英晶体毛坏片经过主平面和轮廊尺寸修磨，并标示了实际切型角度及晶轴方向的石英晶体片。 3. 3 石英晶体方片 quartzcrystalsmalllappingblank;quartzcrystalsmalllappedwafer 小方片 石英晶体厚度片用规定粒度的磨料进一步研磨、去除籽晶、外形加工及分选后，频率达到规定要求 并可明显识别晶轴方向，可供进一步加工用的石英晶体片。 3.4 石英晶体研磨片 quartzcrystallappingblank;quartzcrystallappedwafer 研磨片 SJ/T11199—2016 频率片quartzcrystalfrequencyblank 石英晶体厚度片或石英晶体方片用规定粒度的磨料进一步研磨、切割、外形加工、分选后，频率达 到规定要求，可供进一步加工用的石英晶体片。 3. 5 石英晶体成品片 quartzcrystalfinishedblank 成品片 石英晶体研磨片经腐蚀（刻蚀）或抛光及清洗后满足对应石英晶体元件制造要求的石英晶体片。 3.5.1 石英晶体条片 quartzcrystal stripblank 条片 窄条形石英晶体成品片。 注：通常用于制造低高度（即晶片主面与底座主面平行的安装方式）石英晶体元件或圆柱形石英晶体元件。 3.5.2 石英晶体圆片 quartzcrystal roundblank 圆片 圆形石英晶体成品片。 注：圆片多用于厚度切变振动模式的晶片。 3.5.3 石英晶体矩形片 quartz crystal rectangular blank 矩形片 矩形石英晶体成品片。 注：矩形片多用于弯曲振动模式、面切变振动模式及伸缩振动模式的晶片。 3. 6 边缘缺损 edgebreakage 晶片边缘（不含晶片的角部）贯穿晶片厚度方向的局部缺损区域。依缺损的形状，分为弧形缺损和 尖角形缺损。 3.7 破边 edgechip 晶片边缘未贯穿晶片厚度方向的局部缺损区域。 3. 8 cornerbreakage 破角 矩形片或条片的角部破损。 3. 9 裂纹crack 在晶片表面延伸的并穿透整个晶片厚度的破裂部分。 2 SJ/T11199—2016 3. 10 划痕scratch 加工过程中由大颗粒物质造成的低于晶片表面窄而浅的槽 3. 11 石英晶体片平行度 parallelismofquartzcrystalblank 平行度 石英晶体片两主面间厚度差的最大值。 4要求 4.1 原料 RM 用于制造压电石英晶 DUST 石英晶体应符合GB/T3352 4.2外观 4.2.1 石英晶体毛环片 毛坏片 破边处沿有 莱晶 方向长度应小于0.5mm，且深度应 小于0. 工形缺损的尺寸和数 同的规 角形缺摄及破角处深度应小0. 5mm；或者 边 量应符合详细 及破角处石英晶体 HNOL 小于成品 的保称留有规定的加工余量 片其余部分的 石英晶体 炭面应无裂纹和日视可见的切害痕迹 R 4.2.2 石英晶体厚度片 英晶体享度片边长方向长度应 破边处沿衣 且深度应小于0. 缺损的尺寸和数 0. 弧 量应符合详细规 的规定，尖角形缺损及破角处深度应小于0.5mm； 或破边及破角处石英晶体 片其余部分的尺 成品片的标称尺寸，且留有规定的加工余量。 石英晶体厚度片表面应无裂纹和划痕，研磨砂号符合详细规范或合同要求 4.2.3石英晶体方片 D 破边处沿石英晶体方片边长方