ICS 77.040 YS H 21 中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T24-—2016 代替YS/T24—1992 外延钉缺陷的检验方法 Test methods for spike of epitaxial layers 2016-04-05发布 2016-09-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 YS/T242016 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替YS/T24一1992《外延钉缺陷的检验方法》。与YS/T24一1992相比，本标准主要变化 如下： 增加了“规范性引用文件”和“术语和定义”； 增加了“方法2无损测试”。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243)提出并归口。 本标准起草单位：南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、上海晶盟硅材料有限公司。 本标准主要起草人：马林宝、杨帆、孙燕、徐新华。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： YS/T24—1992。 I YS/T24—2016 外延钉缺陷的检验方法 1范围 本标准规定了外延钉缺陷的检验方法。 本标准适用于判断硅外延片上是否存在高度不小于4um的钉缺陷。如果钉缺陷数量比较少且彼 此不相连，可对钉缺陷进行计数。本标准不能测量钉缺陷的高度。 规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T14264半导体材料术语 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 钉缺陷spikes 外延生长过程中形成的表面突起物，通常是由于衬底表面颗粒导致外延后的硅突起物。 4方法1有损测试 4.1方法提要 有损测试是将一片聚酯塑料薄膜沿三个不同方向推过试验表面，在两个或两个以上方向碰到的表 面突起物被判定为钉缺陷。 4.2材料 4.2.1 真空吸片装置或镊子。 4.2.2 2聚酯塑料薄膜，厚度为25μm，面积为50mm×50mm。 4.3测试步骤 4.3.1用真空吸片装置吸住试样背面，或用镊子夹持住试样，对于仲裁检测，也可将试验外延面朝上置 于清洁表面上。 4.3.3在主参考面对面，将聚酯塑料薄膜与试样接触，如图1所示。 1 YS/T 24—2016 聚酯塑料薄膜 薄膜移动方向 试样 图1试样和聚酯塑料薄膜放置方向 4.3.4我 推动聚酯塑料薄膜至主参考面，即图2中方向1。 4.3.5 使聚酯塑料薄膜重复做一系列平行且互相叠加的移动。 4.3.6 记下聚酯塑料薄膜与突起物相碰的每一个位置。 4.3.7对其余两个方向（图2中方向2和方向3)重复4.3.5～4.3.6。三个方向大致互成120°角。 4.3.8夜 在两个或两个以上方向上，聚酯塑料薄膜与试样表面突起物相碰的每一个位置，作为一个钉 缺陷。 注：必要时，可用显微镜检查钉缺陷的存在及位置。 4.4精密度 本方法对单个实验室精密度为士5%，对多个实验室精密度为土10%。 图2移动方向 5方法2无损测试 5.1方法提要 无损测试采用光散射方法逐行扫描硅外延片表面，测量硅外延片表面的突起物。本方法采用表面 颗粒测试仪器。 5.2仪器 表面颗粒测试仪器通常由激光系统、扫描系统、检测系统、晶片运动系统以及软件系统等组成。 5.3干扰因素 5.3.1部分系列的表面颗粒测试仪器由于是直射法，受仪器工作原理限制，部分型号仪器可以测量硅 片表面异物，但是不能区别形貌，测试结果包括凹坑数量。这种情况下可将硅外延片在点光源下进行目 检区分，大粒径的钉缺陷能被有效识别。 2 YS/T 24—2016 5.3.2 未清洗的硅外延片测试结果会受到表面大颗粒的影响。 5.4测试环境 在测试仪器允许的洁净环境内测试，温湿度按照洁净级别相应的温湿度执行。 5.5试样 硅外延片应具有清洁、干燥的表面，必要时，测试之前需对硅外延片进行清洗， 5.6 测试步骤 5.6.1 选取待测硅外延片，正面朝上放入专用测试片架中，然后置于测试仪器待测硅片位置。 5.6.2 启动测试仪器，设置扫描下限为4μm。 5.6.3 测试仪自动对硅片进行表面扫描。 5.6.4 输出图形，获得数量和分布等测试结果。 5.6.5 记录粒径为4μm以上的颗粒数量，即为硅外延片表面的钉缺陷数量。 5.7 精密度 本方法单个实验室测试重复性为8%，对三个实验室测试再现性为11%。 5.8 试验报告 方法1和方法2的试验报告应包括下列内容： a）产品类型； b）样品编号； c） 有钉缺陷试样数与被检试样数； d）本标准编号； e) 检验单位、检验者和检验日期； (J 仲裁检验应包括标有钉缺陷大致位置的试样形貌图。