ICS 29.045 YS H 82 中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T1167—2016 硅单晶腐蚀片 Monocrystallinesiliconetched wafers 2016-07-11发布 2017-01-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 中华人民共和国有色金属 行业标准 硅单晶腐蚀片 YS/T1167—2016 * 中国标准出版社出版发行 北京市朝阳区和平里西街甲2号（100029) 北京市西城区三里河北街16号（100045） 网址www.spc.net.cn 总编室：(010)68533533发行中心：(010)51780238 读者服务部：(010)68523946 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷 各地新华书店经销 * 开本880×12301/16 印张0.75 字数18千字 2018年9月第一版 2018年9月第一次印刷 * 书号：155066·2-44939 定价25.00 元 如有印装差错 由本社发行中心调换 版权专有 侵权必究 举报电话：（010)68510107 YS/T1167—2016 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243)提出并归口。 本标准起草单位：天津市环欧半导体材料技术有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、洛阳鸿 泰半导体有限公司、有研半导体材料有限公司、杭州海纳半导体有限公司。 本标准主要起草人：由佰玲、张雪因、蒋建国、孙燕、王飞尧、沈浩平。 I YS/T1167—2016 硅单晶腐蚀片 1范围 本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、 质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括区熔中子嬉变和气相掺杂）制备的硅单晶研磨片经化学腐 蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片（以下简称腐蚀片）。产品主要用于制作晶体管、整 流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。 规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828.1 计数抽样检验程序第1部分按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻率测试方法 非接触涡流法 GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T12962 硅单晶 GB/T12965 硅单晶切割片和研磨片 GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T14140 硅片直径测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T14844 半导体材料牌号表示方法 GB/T20503 铝及铝合金阳极氧化 阳极氧化膜镜面反射率和镜面光泽度的测定 20°45°、60° 85°角度方向 GB/T26067 硅片切口尺寸测试方法 GB/T29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 GB/T30453 硅材料原生缺陷图谱 YS/T26 硅片边缘轮廓检验方法 YS/T28 硅片包装 3术语和定义 GB/T14264和GB/T30453界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 YS/T1167—2016 3.1 表面光泽度surfaceglossiness 在规定的光源和接收器张角的条件下，样品在镜面反射方向的反射光光通量与标准陶瓷板样品在 该镜面反射方向的反射光通量之比。光泽度值通常以数值表示，单位是Gs（光泽单位）。 3.2 表面反射率 surfacereflectivity 在规定的光源和接收器张角的条件下，样品在镜面反射方向的反射光光通量与入射光光通量之比， 其数值通常以百分数表示。 3.3 表面腐蚀晶胞 包surfaceetchedunitcell 硅单晶片的不同晶面腐蚀速率不同，腐蚀过程中晶胞的三维形貌发生变化后在硅单晶片表面形成 的图形。通过显微镜能够观察硅单晶片表面腐蚀晶胞的形貌并测量腐蚀晶胞的长、宽等参数。 注：表面腐蚀品胞的形貌强烈依赖于硅单品片的晶向和掺杂剂浓度、化学腐蚀液性质、腐蚀工艺条件等。酸腐蚀和 碱腐蚀的硅单晶片表面腐蚀晶胞具有完全不同的形貌，参见附录A。 4牌号及分类 4.1 牌号 腐蚀片的牌号表示方法参照GB 4.2分类 腐蚀片按腐蚀液的种类分为酸腐蚀片碱腐蚀片两种 4.2.1 4.2.2 腐蚀片按导电类型分 为N型P型两种 4.2.3腐蚀片按硅单晶的生 三长方法分为百拉（CZ）法和悬浮区塔（FZ）法两大类。 4.2.4腐蚀片按直径一般分为g50.8mmg76.2吨100mm.g125mm150mm和g200mm六 种。非标准直径由供需双协商 5要求 5.1材料 腐蚀片生产用硅单晶的导电类型掺杂剂、电阻率及其径向变化、氧含量、碳含量、少数载流子寿命 及晶体完整性应符合GB/T12962的规定。 5.2 电学性能 腐蚀片的导电类型、电阻率及其径向变化应符合GB/T12962的规定。 5.3几何参数 腐蚀片的几何参数按表1的规定。表1中未列出的几何参数，可由供需双方协商。 2 YS/T1167—2016 表1几何参数 项目 要求 直径/mm 50.8 76.2 100 125 150 200 直径允许偏差/mm ±0.4 ±0.5 ±0.5 ±0.3 ±0.3 ±0.2 中心点厚度/μm ≥180 ≥180 ≥200 ≥250 ≥300 ≥500 ±10 ±10 ±10 ±10 ±10 厚度允许偏差/μm ±10 总厚度变化*/μm <5 ≤7 ≤7 <7 ≤7 9V 翘曲度/μm ≤25 <40 ≤40 <50 30 反射率要求比较高的酸腐蚀片的总厚度变化应不大于10m·或由供需双方协商确定。 5.4 晶向及晶向偏离度 5.4.1 腐蚀片的表面晶向为（100）、（111）。 5.4.2 腐蚀片的表面晶向的偏离度应符 5.5 基准标记 于或 等于150m亚的腐 向应符/T12965的规定。 5.5.1 直径小 主、副 面的 度和取 5.5.2 直径为 200 mm的腐蚀 分有 #口的腐 和有 而的腐饨 片两种 无副参 考面有参考面 的用主参考面 表征基准标记 切口大小和 考面的 、取向广符合GB/T12965的规定。 直径 5.5.3 腐蚀片 是否带 制作参考面供 双方协商确定并在 同中注 5.6 表面质量 5.6.1 腐蚀片崩边的怪向深度和周边边长应不天手 05mm.每片腐蚀片上前边总数应不超过3个。每 批产品中崩边腐蚀片数应不超过总片数的3%。 5.6.2 腐蚀片不允许有裂纹、 缺口。 5.6.3 腐蚀片表面应无刀痕、无划伤。 5.6.4 腐蚀片经清洗干燥质，表面应洁净、无亮点、无沾污。 5.6.5 电阻率不大于0.020αcm的腐蚀片表面允许有杂质条纹。 5.6.6 表面取向为（100）的酸腐蚀片，表面允许有轻微色泽不均，或由供需双方协商确定。 5.6.7 腐蚀片的表面粗糙度、表面光泽度、表面反射率的要求由供需双方协商确定。 5.6.8 碱腐蚀片的表面腐蚀晶胞最大边长由供需双方协商确定。 5.7 边缘轮廓 经边缘倒角后的腐蚀片圆周上所有点（有切口时，切口内的点除外）应处于使用YS/T26测量模板 的清晰区域内，且腐蚀片边缘轮廊的任何部位不允许有锐利点或凸起物，特殊要求可由供需双方协商 确定。 5.8其他 需方如对腐蚀片的技术指标有其他要求，应由供需双方协商并在合同中注明。 3 YS/T1167—2016 6试验方法 6.1 腐蚀片导电类型的检验按GB/T1550的规定进行。 6.2 腐蚀片电阻率的检验按GB/T6616的规定进行。 6.3 腐蚀片径向电阻率变化的检验按GB/T11073的规定进行。 6.4 腐蚀片直径及允许偏差测量按GB/T14140的规定进行。 6.5 腐蚀片中心点厚度、厚度允许偏差和总厚度变化的测量按GB/T6618的规定进行。 6.6 腐蚀片翘曲度的测量按GB/T6620的规定进行。 6.7 腐蚀片晶向及晶向偏离度检验按GB/T1555的规定进行。 6.8 腐蚀片参考面长度测量按GB/T13387的规定进行。 6.9 腐蚀片的主参考面直径测量由供需双方协商确定。 6.10 腐蚀片的主参考面取向检验按GB/T13388的规定进行。 6.11 腐蚀片的切口尺寸的测量按GB/T26067的规定进行。 6.12 腐蚀片的表面质量在4301x6501x的荧光灯或乳白灯下进行自视检查。 6.13 腐蚀片表面粗糙度的检验按GB/T29505的规定进行。 6.14 腐蚀片表面光泽度、表面反射率的检验参照GB/T20503规定的方法进行或由供需双方协商 确定。 6.15 碱腐片表面腐蚀晶胞最大边长的检测方法由供需双方协商。 6.16 腐蚀片的边缘轮廊检验按YS/T26的规定进行。 7检验规则 7.1检查和验收 7.1.1产品应由供方质量监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准和订货单的规定，并填写产品 质量证明书。 应在收到产品之日起3个月内向供方提出，由供需双方协商解决。 7.2 2组批 产品应成批提交验收，每批应由同一牌号、同一规格的腐蚀片组成。 7.3检验项目 7.3.1每批产品应对腐蚀片的导电类型、