ICS31.080.30 L44 SJ 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T9014.8.22018 半导体器件分立器件 第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应 晶体管空白详细规范 Semiconductordevices Discrete devices Part 8-2: Blank detail specification for super junction metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistors 2018-04-30发布 2018-07-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 SJ/T9014.8.2—2018 前言 本规范是《半导体器件》系列国家标准之一。下面列出与本规范有关的已出版的《半导体器件》系 列标准： 半导体器件 分立器件和集成电路第1部分：总则（GB/T17573一1998）： 半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管（GB/T4586一1994）： 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第一篇1GHz、5W以下的单栅场效应晶体 管空白详细规范（GB/T62191998） 半导体器件 第10部分 （GBT4589.1—2006）： 半导体器件 本规范按照GB/T 009给出的规则起草。 请注意本文件 容有可能涉及专利。本文件的发布机构不应 这些专利的责任。 本规范由工 化部电子工业标准化研究院归口。 宏力半 导体制 本规范起 交鑫有限公司、上海 有限公司、华润上 华科技有限公 天水华天电子 份有限 微 OF 本规范 周宏伟、 肖魁、王新、 兵。 陈 S N RDS D SJ/T9014.8.2—2018 半导体器件分立器件 第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 1范围 本规范规定了超结金属氧化物半导体场效应晶体管详细规范的编写要求和编写格式。 本规范适用于采用超结原理设计生产的超结金属氧化物半导体场效应晶体管系列产品详细规范的 编制。 2规范性引用文件 TRY 下列文件对于 应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件 想的版本适用于本文件。 凡是不注日期的弓 其最新版本（包括所有的修改单）适用于 GB/T2423 第2部分：试 试验Cab： 定湿热试验 第2部分：试 试验b GB/T242 星热（12h+12h循 环） 和 GB/T24 008 法试验a 稳态加速度 GB/T24 012 验方法试验 度变化 GB/T24 013 环境试验 第2部分 试验 封 法试验T GB/T24 005 子产品环场 GB/T24 防法试验 出端及整体安装件 S 强度 GB/T2424 电工电子产品环境试验模拟贮存影响的环境试验 宝贝 GB/T4023 导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流 7车导体器件分立器件第8部分：场效应晶体售 GB/T4586 094 GB/T4589.1- 2006 体器件第10部分：分立器件和集成电路舰范 GB/T4937.3—2012 件机械和气候试验方法第3部外部自验 GB/T6219—1998 D 栅场效应晶体管空白详细规范 GB/T7581—1987半导体分立器件外形尺 GB/T12560—1999半导体器件分立器件分规范 GB/T29332—2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT） 3空白详细规范首页的说明 下列所要求的各项内容，应列入规定的相应空栏中。 详细规范的识别： [1]授权起草详细规范的行业标准机构名称。 [2]详细规范号。 1 SJ/T9014.8.2—2018 [3]总规范号和分规范号以及年代号。 [4]】详细规范号、发布日期和标准体系要求的任何更多的资料。 器件的识别： [5]器件型号。 [6]】典型结构和应用资料。如果设计一种器件满足若十应用，则应在详细规范中指出。这些应用的 特性、极限值和检验要求均应予以满足。如果器件对静电敏感或含有害物质，例如氧化铍，则 应在详细规范中附加注意事项。 [7]外形图和（或引用有关的外形标准。 [8]质量评定类别。 [9]能在各器件型号之间比较的最重要特性的参考数据。 注1：在方括号内给出的内容供指导规范制定者使用，而不包括在详细规范内。 注2：整个空白详细规范中，当特性或额定值适用时，×表示在详细规范中应填入的值。 发布详细规范的标准 [1] 详细规范号 [2] 机构名称 评定电子器件质量的根据： [3] 详细规范号、发布日期和标准体系要求的任何更多的资 GB/T4589.1—2006 料 GB/T12560—1999 [4] 详细规范： [5] [有关器件的型号] 订货资料：见本规范第7章 外形标准：根据GB/T7581-—1987 [7] 超结金属氧化物半导体场效应晶体管 外形图： 绝缘栅N沟增强型 [可在本规范的第10章给出详细外形图] 半导体材料：[硅、..] 引出端识别： 封装：[空腔或非空腔] [引出端排列图包括图示符号] 用途：反激电路、LLC半桥谐报电路、升压电路、降 标志：字母、数字、图形符号或色码 压电路 [如果可能，详细规范应规定在器件上需标志的内容] 注意：操作静电敏感器件时应遵守的预防措施（适用时） [见GB/T4589.1—2006的2.5和（或）本规范的第6章】 【根据GB/T4589.1-—2006的2.6] [8] 【如果采用特殊方法，需标明极性] 参考数据 [9] 按本详细规范鉴定合格的器件制造厂有效资料，见现行合格产品一览表。 极限值（绝对最大额定值） 极限值见表1，除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。 如需补充极限值参数的相关曲线，可在第10章给出。 2 SJ/T9014.8.2—2018 表1 极限值 章条号 参数名称 符号 最小值 最大值 单位 VDS 4.1 最高漏-源电压 v x 最大漏极电流（Tas=25℃） x A 4.2 (Tease-100℃) x A 4.3 最大峰值漏极电流 IM x A 4.4 最高棚一源电压 VGss x v x EAS 4.5 单脉冲雪前能量（初始T=25℃） mJ x 4.6 重复雪崩能量（初始T-25℃） EAR x mJ 4.7 重复雪前电流（初始T-25） LAR x A 4.8 耗散功率（Tes W X 4.9 工作温度 x 4.10 贮存温度 x 4.11 环境湖度武光温发 Tamb或Ta c x 4.12 正向电流 A 4.13 Is A 4.14 最大漏 d V/ns OF 电特性 检验要 电特性 邢分电特 在第10章绘 除非另 ml/Te 表2 电特性 章条号 参数名称 符号 最小 最大 单位 试验分组 静态特性 5.1 漏一 V(BR)DSS v A2b 5.2 栅一源岗 电压 GS(th) RDS 5.3 漏极截止电流 DA x μA 5.4 正向栅极漏泄电流 A2b,C2b nA 5.5 反向栅极漏泄电流 IGsSR x nA 5.6 正向跨导 s gfs x A3 5.7 漏一源通态电阻 Rps(on) x 2 A2b 5.8 栅极电阻 RG 2 x A4 动态特性 5.9 共源极短路输入电容 Ciss pF x Cos 5.10 共源极短路输出电容 x pF C2a 5.11 共源极短路反馈电容 Crs x pF 5.12 等效输山电容 Cos(eg) pF 3