ICS 31.020 L 04 SJ 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11707-2018 硅通孔几何测量术语 Terminology for through silicon via geometrical metrology 2018-02- 09 发布 2018-04-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T117072018 前烘言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会归口。 本标准主要起草单位：中国电子科技集团公司第五十五研究所、天水华天科技股份有限公司、中国 电子科技集团公司第五十八研究所 本标准主要起草人：侯芳 元ND、 SJ/T117072018 硅通孔几何测量术语 1范围 本标准规定了硅通孔尺寸的几何测量术语和定义， 本标准适用于硅通孔尺寸的几何测量，其中硅通孔可完全贯穿硅晶圆，也可部分贯穿硅晶圆；硅通 孔内可含有金属导体及其他介质，也可不包含金属导体及其他介质。 玻璃通孔尺寸的几何测量也可参考 2术语和定义 2. 1 硅通孔(TS) 位于硅晶圆 月起始 孔或凹坑，其 a) 硅通 孔可以 完全贯 个晶圆深度 可部分贯穿整 深度； 孔内可填 b) 金属导 属导体； 孔壁在导 c) 与硅之 层等，也可不 缘层、 INOL Y 2.2 晶圆上 SES 硅通孔的初始位置即硅 该表面界定员 圆水平 位于晶圆 上衣面为硅通孔示意图， 直方向。图 重孔剖面示意图。 图2为位于晶圆 晶圆表面 硅通孔 硅通孔侧壁（ 图1昌 晶圆表面的硅通孔示意图 SJ/T117072018 晶上表面 硅通孔 贯穿深度 晶圆下表面 图2硅通孔面示意图 2. 3 晶圆下表面waferbottomsurface 与晶圆上表面相背的晶圆表面，如图2所示。 2.4 面积area 硅通孔在特定水平面截面处的几何面积。图1中硅通孔的面积为深色覆盖部分的面积。 2. 5 顶部面积，top-area 硅通孔在晶圆上表面的面积。 2. 6 深度depth 从晶圆上表面垂直向晶圆下表面方向测量，位于晶圆上表面到硅通孔最深点的垂直距离，如图2所 示。 2.7 中间深度intermediatedepth 晶圆上表面至某一选定层的距离，该距离小于硅通孔的深度，如图2所示。 2.8 贯穿深度 fulldepthTSV 硅通孔从晶圆上表面贯穿至晶圆下表面的深度，即晶圆上表面和晶圆下表面之间的垂直距离，如图 2所示。 2.9 孔径尺寸horizontaldimensions 硅通孔孔径尺寸。 注：本标准主要采用最大孔径和最小孔径（见2.12和2.14）来描述硅通孔在任一截面处的水平尺寸。其他标准可能 采用硅通孔开口处的圆形直径或方形边长来描述该尺寸。 2.10 中心center 硅通孔在任意水平面上的几何中心。 2. 11 弦chord 在指定水平面上，从硅通孔侧壁的一点到另一点的直线段，如图3所示。 2 SJ/T11707-2018 2.12 最大孔径majordiameter 在任意选定水平面上硅通孔的最长弦。 最大孔径的长度和硅通孔的面积之间无直接对应关系。图3给出了硅通孔最大孔径和最小孔径示意 图，尺寸单位通常为微米。 最大孔径的中心点 最小孔径 最大孔径 TION 硅通孔 孔径和最小子 意图 2.13 最大孔 diameter 位于硅 孔径上 2.14 最小孔 rdiam 穿过硅通 礼径中 如图3所 孔最大孔 最小孔径卖 的面积之间无直接 对应关系。其 位 微米。 2.15 顶部最大孔径 top majordiameter 位于晶圆上表面的硅通 最大孔径。 2.16 位于晶圆下表面的硅通孔最大孔径 注：使用该术语即表明该硅通孔的深度等于贯穿深度，该硅通孔贯穿整个晶圆上下表面。 2.17 90%深度的最大孔径90%depthmajordiameter 位于硅通孔从上表面测量90%深度位置处的硅通孔最大孔径。 2.18 顶部最小孔径topminordiameter 位于晶圆上表面的硅通孔最小孔径。 2.19 底部最小孔径bottomminordiameter 位于晶圆下表面的硅通孔最小孔径。 注：使用该术语即表明该硅通孔的深度等于贯穿深度，该硅通孔贯穿整个晶圆上下表面。 3