ICS31.200 L56 SJ 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11701—2018 通用NAND型快闪存储器接口 CommonNANDflash memoryinterface 2018-02-09发布 2018-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 bl ack SJ/T11701—2018 目 次 前言. 范围 2 规范性引用文件， 3 术语和定义 物理接口 4.1 信号描述 4.2 器件封装. 4.3 极限工作电压 4.4 推荐工作电压 4.5 直流参数 5阵列排布 5.1 通则 5.2 地址 5.3 出厂 5.4 器件 初始化 数据接 和时序 6.1 通贝 6.2 总线 测试条 6.3 6.4 时序参 6.5 接口时 12 7指令定义 7.1 指令集 14 7.2 页读功能 15 7.3 两平面读 16 7.4 页编程 16 7.5 回拷贝编程 17 7.6 两平面编程 18 7.7 两平面回拷贝， 19 7.8 区块擦除 .19 7.9 两平面区块擦除. .20 7.10 读状态 21 7.11 读识别码（ID） 7.12 器件信息查询表 23 7.13 读唯一识别码（UID） 25 7.14 重置 .25 附录A（资料性附录） 器件封装尺寸描述 26 bl ack SJ/T117012018 前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 请注意本标准的某些内容可能涉及专利，本标准的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会（SAC/TC78/SC2）提出并归口。 本标准主要起草单位：上海复旦微电子集团股份有限公司、北京兆易创新科技股份有限公司、深圳 市中兴微电子技术有限公司、深圳海思半导体有限公司。 本标准主要起草人：肖磊、沈磊、马庆容、楼冰泳、苏志强。 本标准为首次发布。 II bl ack SJ/T11701—2018 通用NAND型快闪存储器接口 1范围 本标准规定了通用NAND型快闪存储器的物理接口、阵列排布、数据接口和时序以及指令定义等。 本标准适用于“异步”接口，对于“同步”接口可参照执行。 本标准支持1.8V/3.3V两种电源电压类型的NAND型快闪存储器（以下简称器件），同时还支持双 列弯引线（SOP）封装和平面触点阵列 其他电源电压和封装形式的NAND型快闪存 储器产品也可参考执行。 A 2 规范性引用文件 本章无条 术语和定 下列术语 适用于 3.1 器件 NANDTarg NAND 在一个NAND封装片内 共享使能们的逻辑元英的心#组 S 3.2 逻辑单元块 可以独立执行指会 人及报告内部状态的最小单元。 每个NAND器件内人可以 个或者多个逻辑 单元块。 3.3 页缓存器Pagebuffer 可以通过发送列字节地址对页缓存 器进行访问。 当外部数据写入NAND时，页缓存器缓存外部数据，编程操作时，页缓存数据搬至阵列。 当数据从阵列读出时，阵列数据先搬到页缓存器。 3.4 平面地址plane 平面为一个逻辑单元块中区块的集合。一个逻辑单元块可以包含一个，两个或者四个平面。两平面 芯片将一个逻辑单元块划分为两个大的区域，可以同时进行编程、擦除、读操作的区块为2个，每个平 面中各一个区块。 1 bl ack SJ/T117012018 4物理接口 4.1 信号描述 信号描述见表1。 表1信号描述 信号名 输入输出 描述 准备/忙 R/B# 0 准备/忙信号指示目标芯片的状态。当信号为低时，表示一个或者多个逻辑单元块操作正 在进行。该输出为开漏输出，并需要外部上拉。 读使能 RE# I 读使能信号打开数据通路，数据口可以串行输出数据。 写使能 WE# 写使能信号控制了写入数据的锁存信号。指令，地址和数据在WE#的上升沿锁存至芯片。 芯片使能 CE# 芯片使能信号选中了目标芯片。当芯片使能为高时，目标芯片处于准备状态，并且进入低 功耗待机状态。当芯片使能为低时，目标芯片选中。 电源 Vcc I Vcc为器件的供电电源。 地 Vss Vss为地 命令锁存使能 CLE I 命令锁存使能信号指示输入周期的总线类型，CLE为高代表命令周期。 地址锁存使能 ALE I 地址锁存使能信号指示输入周期的总线类型，ALE为高代表地址周期 写保护 WP# 写保护信号禁止Flash阵列的编程以及擦除操作。 IO端口，bit0-7 100-107 10 IO端口为8位双向传输端口，可以用于输入地址、命令以及数据，也可以输出数据。 IO端口，bit8-15 I08-I015 10 16位模式时，该8比特为双向16比特端口的高8比特，可以用于数据的输入和输出。 厂商定义(vendorspecific) VSP 这些管脚由NAND厂商保留用于定义一些功能。器件内部可能有上拉或者下拉电阻。推荐 外部不接到主控。 保留 R 这些管脚不应该接到主控 4.2 器件封装 器件常用的封装类型及其物理尺寸参见附录A。 4.3 极限工作电压 最大极限工作电压见表2，大于极限值的偏压条件可能导致器件的永久损坏。 2 bl ack SJ/T11701—2018 表2 最大极限工作电压 参数 符号 数值 单位 Vcc 0.6~ +4.6 3.3V器件 VIN 0.6~+4.6 V Vcc 0.6 ~+4.6 Vcc 0.2~ +2.4 1.8V器件 VIN 0.2 ~ +2.4 V Vec 0.2~+2.4 4.4推荐工作电压条件 推荐工作电压条件见表3。 ND 符号 最小值 最大值 单位 墨件电源电压 3.3V Vcc 2.7 3.6 v 器件电源电压 1.8 1.7 1.8 1.95 V 资地电压 0 0 V ·对于军 器件电家电 工作范围为3至3.6V 对于 3.3V器件 电源电 工作范围为2.7V至 3.6V 4.5 直流参 所有的操电流参数都是操作的逻辑 发后， 元块赠量 逻车 会处于操作状态。 所有的电池测量都是在 全电源餐联0. 时，数换 海 年个时钟周期都会 OG 有0到1或者1到转 3.3V器件直流 我及测试条件见表4，1.8V器件见表5。 表4直流参数及测试条件（3.3V器件） 参数 测试条件 最小值典型值 最大值 单位 操作电流（页读操作 50 mA 以及数据输出) RD ICE 编程操作电流 50 mA 擦除操作电流 lcc3 50 mA CE#=Vm,WP#-0V 静态电流 IsBI WP#=0V - mA WP#=OV CE#=Vcc-0.2, 静态电流 IsB2 50 μA WP#=0V 输入漏电流 VIN-0VtoVcc ±10 MA 输出漏电流 ho Vour=0VtoVcc ±10 HA 直流输入高电平 Vcex0.8 Vcc+0.3 V Vi 直流输入低电平 Vi -0.3 Vccx0.2 输出高电平 VOH loF=-400μA Vccx0.67 V 输出低电平 VoL loL=2.1 mA 0.4 V R/B#管脚输出低电流 lOLRB) VoL=0.4V 8 10 mA 3 bl ack SJ/T11701—2018 表5 直流参数及测试条件 （1.8V器件） 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 操作电流（页读操作 Iccl CE#=VuL, - 50 mA 以及数据输出) tRc=fRc(最小), 编程操作电流 lcc2 50 mA lour=0 mA 擦除操作电流 Iccs 50 mA CE#=V,WP#=0V 静态电流 IsB1 WP#=0V - mA WP#=0V CE#=Vcc-0.2, 静态电流 IsB2 50 μA WP#=0V 输入漏电流 lu Vin=0V to Vcc ±10 μA 输出漏电流 lo Vour-0V to Vec ±10 μA 直流输入高电平 Vim 一 Vcc×0.8 Vcc + 0.3 V 直流输入低电平 Va -0.3 Vcex0.2 V 输出高电平 VoH lor--400 μA Vcc×0.67 V 一 输出低电平 VoL lot=2.1 mA 一 0.1 V - R/B#管脚输出低电流 loL(R/BI) VoL=0.4 V 3 4 mA 阵列排布 5.1 通则 图1给出了一个存储器中存储阵列排布的示例。在该阵列中，有两个逻辑单元块，每个单元逻辑块 有两个平面。 4 bl ack