ICS29.100.10 L19 中华人民共和国国家标准化指导性技术文件 GB/Z28865—2012 抗 电磁干扰软磁铁氧体材料规范 Specificationforanti-EMIsoftferritematerials 2012-11-05发布 2013-02-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布前 言 本指导性技术文件依据GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本指导性技术文件仅供参考,有关对本指导性技术文件的建议和意见,向国务院标准化行政主管部 门反映。 本指导性技术文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本指导性技术文件由全国磁性元件与铁氧体材料标准化技术委员会(SAC/TC89)归口。 本指导性技术文件由西南应用磁学研究所负责起草。 本指导性技术文件主要起草人:张仕俊、彭清贵、胡滨、刘剑。 ⅠGB/Z28865—2012 抗电磁干扰软磁铁氧体材料规范 1 范围 本指导性技术文件规定了抗电磁干扰软磁铁氧体材料的分类、材料牌号、主要磁性能及其试验 方法。 本指导性技术文件适用于抗电磁干扰软磁铁氧体材料。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T2421.1—2008 电工电子产品环境试验 概述和指南(IEC60068-1:1988,IDT) GB/T2900.60—2002 电工术语 电磁学(IEC60050(121):1998,NEQ) GB/T9637—2001 电工术语 磁性材料与元件(eqvIEC60050(901):1973) GB/Z28870—2012 抗电磁干扰软磁铁氧体材料的测量方法 3 定义 GB/T2900.60—2002和GB/T9637—2001界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 标称阻抗 normalizedimpedance ZN 规定尺寸磁珠在规定测试条件下,单匝阻抗与磁心常数C1的乘积。 3.2 饱和磁通密度 saturationfluxdensity Bs 磁场强度最大值能使材料磁化到饱和时的磁通密度。 3.3 居里温度 Curietemperature TC 铁磁性材料或亚铁磁性材料由铁磁状态或亚铁磁状态转变为顺磁状态的临界温度。 4 分类 4.1 材料分类 4.1.1 本指导性技术文件规定的材料属软磁铁氧体材料。 4.1.2 抗电磁干扰软磁铁氧体材料按其化学组成主要分为NiZn系列、NiCuZn系列和MnZn系列。 4.1.3 每个系列有若干牌号,每个牌号的材料可根据所需要的形状和尺寸加工制成各种规格的抗电磁 干扰软磁铁氧体磁心。 1GB/Z28865—2012 4.2 材料牌号 4.2.1 抗电磁干扰软磁铁氧体材料的牌号由下列三部分组成: a) 第1部分:材料的主称:用汉语拼音字母表示。K表示抗电磁干扰材料; b) 第2部分:材料类别,用汉语拼音字母表示。N表示NiZn系列和NiCuZn系列;M表示MnZn 系列; c) 第3部分:材料的主要磁性能特征,用阿拉伯数字表示材料的起始磁导率。 4.2.2 材料牌号示例 抗电磁干扰软磁铁氧体材料牌号示例: K 表示抗电磁干扰N 表示NiZn系列、NiCuZn系列150 表示材料的起始磁导率标称值为150。起始磁导率<1000的 直接用数字表示,起始磁导率≥1000的用k代表1000 5 要求 主要抗电磁干扰软磁铁氧体材料的典型磁性能应分别符合表1、表2的规定。 表1 KN类NiZn/NiCuZn铁氧体材料典型磁性能 牌号起始磁导率a μi±20%频率b f MHz标称阻抗c ZN Ω/m饱和磁通密度d Bs T居里温度 TC ℃电阻率 ρ Ω·m KN2k5 2500 10 ≥20000 ≥0.28 ≥100 ≥104 KN1k5 1500 30 ≥30000 ≥0.30 ≥110 ≥105 KN900 900 30 ≥30000 ≥0.32 ≥125 ≥105 KN550 550 100 ≥40000 ≥0.35 ≥150 ≥105 KN250 250 100 ≥40000 ≥0.35 ≥200 ≥105 KN120 120 300 ≥50000 ≥0.32 ≥250 ≥105 KN45 45 300 ≥50000 ≥0.31 ≥300 ≥105 注:制造商可提供其他补充牌号的材料,如起始磁导率(μi)更高的抗电磁干扰软磁铁氧体材料。 a测试温度:25℃±3℃。 b与μi相关的标称阻抗的测试频率。 c用ϕ5×ϕ2×10mm的磁珠在温度为25℃±3℃的条件下测量,仅适用于标称阻抗的测量。 d在外加磁场强度Hm=1600A/m,25℃±3℃温度条件下测量。 2GB/Z28865—2012 表2 KM类MnZn铁氧体材料典型磁性能 牌号起始磁导率a μi±30%频率b f MHz标称阻抗c ZN Ω/m饱和磁通密度d Bs T居里温度 TC ℃电阻率 ρ Ω·m KM5k5 5500 3 ≥20000 ≥0.41 ≥140 ≥1 KM7k5 7500 1 ≥10000 ≥0.41 ≥130 ≥0.2 KM10k 10000 1 ≥10000 ≥0.38 ≥120 ≥0.2 KM12k 12000 0.5 ≥10000 ≥0.38 ≥100 ≥0.2 注:制造商可提供其他补充牌号的材料,如起始磁导率(μi)更高的抗电磁干扰软磁铁氧体材料。 a测试温度:25℃±3℃。 b与μi相关的标称阻抗的测试频率。 c用ϕ5×ϕ2×10mm的磁珠在温度为25℃±3℃的条件下测量,仅适用于标称阻抗的测量。 d在外加磁场强度Hm=1194A/m,25℃±3℃温度条件下测量。 6 试验方法 6.1 试验环境 除另有规定外,应按GB/T2421.1—2008所规定的标准大气条件进行所有检验。 6.2 试验样品 样品应由生产中通常使用的设备和工艺制造。试样标称尺寸按GB/Z28870—2012规定。 6.3 检验方法 抗电磁干扰软磁铁氧体材料的试验方法按GB/Z28870—2012规定。GB/Z28865—2012