ICS31.200 CCSL55 中华人民共和国国家标准 GB/T43538—2023 集成电路金属封装外壳质量技术要求 Qualityandtechnicalrequirementsformetalpackagesusedforintegratedcircuits 2023-12-28发布 2024-07-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布目 次 前言 Ⅲ ………………………………………………………………………………………………………… 1 范围 1 ……………………………………………………………………………………………………… 2 规范性引用文件 1 ………………………………………………………………………………………… 3 术语和定义 1 ……………………………………………………………………………………………… 4 技术要求 5 ………………………………………………………………………………………………… 4.1 材料 5 ………………………………………………………………………………………………… 4.2 镀覆 5 ………………………………………………………………………………………………… 4.3 设计和结构 5 ………………………………………………………………………………………… 4.4 电特性 5 ……………………………………………………………………………………………… 4.5 外观质量 6 …………………………………………………………………………………………… 4.6 环境适应性 6 ………………………………………………………………………………………… 附录A(规范性) 镀层质量试验方法 7 …………………………………………………………………… A.1 镀金层质量试验方法 7 ……………………………………………………………………………… A.2 镀镍层质量试验方法 7 ……………………………………………………………………………… 附录B(规范性) 金属外壳外观质量要求 9 ……………………………………………………………… B.1 质量要求 9 …………………………………………………………………………………………… B.2 检验条件 29 …………………………………………………………………………………………… ⅠGB/T43538—2023 前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。 本文件起草单位:中国电子技术标准化研究院、广东省高智新兴产业发展研究院、合肥圣达电子科 技实业有限公司、河北中瓷电子科技股份有限公司、青岛凯瑞电子有限公司、广东省中绍宣标准化技术 研究院有限公司、深圳市淐樾科技有限公司。 本文件主要起草人:安琪、黄志刚、胡海涛、赵静、陈祥波、崔从俊、常守生。 ⅢGB/T43538—2023 集成电路金属封装外壳质量技术要求 1 范围 本文件规定了集成电路金属封装外壳的材料、镀覆、设计和结构、电特性、外观质量及环境适应性等 方面的技术要求和检验方法。 本文件适用于集成电路金属封装外壳(以下简称“外壳”)的研制、生产、交付和使用。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于 本文件。 GB/T4937.11—2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分:快速温度变化 双液 槽法 GB/T4937.13—2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分:盐雾 GB/T4937.14—2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第14部分:引出端强度(引线牢固 性) GB/T4937.21—2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分:可焊性 GB/T4937.22—2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分:键合强度 GB/T16526 封装引线间电容和引线负载电容测试方法 GB/T19248 封装引线电阻测试方法 SJ20129 金属镀覆层厚度测量方法 IEC60749-8:2002 半导体器件 机械和气候试验方法 第8部分:密封(Semiconductor devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part8:Sealing) IEC60749-25:2003 半导体器件 机械和气候试验方法 第25部分:温度循环(Semiconductor devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part25:Temperaturecycling) IEC60749-36:2003 半导体器件 机械和气候试验方法 第36部分:稳态加速(Semiconductor devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part36:Acceleration,steadystate) 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 墙体 sidewall 构成密封腔的外壳内表面。 注:包含并保护连接延伸至外壳内部引线的产品电路。 3.2 底板 base 外壳底部的主要支撑区域。 1GB/T43538—2023 3.3 基底金属 basemetal 金属外壳、引线或焊料结构所使用的主要未镀金属材料。 3.4 安装面 mountingsurface 外壳上安装至印制电路板(PCB)、热沉等的外部区域。 3.5 密封区 sealingarea 底座或盖板上的封接面。 注1:采用缝焊、熔焊或储能焊等方式将底座和盖板的密封区焊接在一起形成密封结构。 注2:采用不同密封方式的金属外壳的关键密封区规定如下: a) 缝焊外壳:密封区外侧25%; b) 熔焊(激光焊)外壳:密封区内侧0.30mm以内; c) 储能焊外壳:三角形(Δ)熔焊筋。 3.6 芯片黏接区 dieattacharea 外壳上用于放置芯片的区域。 注:芯片黏接区通常位于外壳底板内表面的底部。 3.7 键合区 bondingarea 用于键合引线的引出端或外壳表面。 3.8 引线 lead 从外壳引出的用于电气和机械连接的柔性、半柔性或固态/刚性导体。 注:引线一般分为圆形(销、钉头销、端子等)和扁形(蚀刻或冲压平面等)。 3.9 盖板 cover 通过钎焊、缝焊和储能焊等方式焊接在底座上从而构成密封器件的盖子。 3.10 同轴 concentric 拥有一个共同的中心轴。 3.11 气泡 bubble 将材料从表面分离所产生的泡状形状。 3.12 圆弧状裂纹 circumferentialcrack 绝缘子表面出现的与引线孔形状类似的裂缝。 3.13 弯月区 meniscus 浸润引线密封区平均低点上方的引线以及引线和/或外壳界面处外壳(密封两边)的绝缘子区域。 2GB/T43538—2023