ICS17.240 CCSF81 中华人民共和国国家标准 GB/T43535—2023 高纯锗γ谱仪 High-puritygermaniumγspectrometer 2023-12-28发布 2024-07-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布目 次 前言 Ⅲ ………………………………………………………………………………………………………… 1 范围 1 ……………………………………………………………………………………………………… 2 规范性引用文件 1 ………………………………………………………………………………………… 3 术语和定义 1 ……………………………………………………………………………………………… 4 分类 3 ……………………………………………………………………………………………………… 4.1 概述 3 ………………………………………………………………………………………………… 4.2 固定式谱仪 3 ………………………………………………………………………………………… 4.3 便携式谱仪 4 ………………………………………………………………………………………… 5 技术要求 4 ………………………………………………………………………………………………… 5.1 固定式谱仪要求 4 …………………………………………………………………………………… 5.2 便携式谱仪要求 7 …………………………………………………………………………………… 5.3 电气安全 10 …………………………………………………………………………………………… 5.4 环境适应性 10 ………………………………………………………………………………………… 5.5 电磁兼容 11 …………………………………………………………………………………………… 6 试验方法 12 ………………………………………………………………………………………………… 6.1 试验的一般规定 12 …………………………………………………………………………………… 6.2 固定式谱仪 13 ………………………………………………………………………………………… 6.3 便携式谱仪 16 ………………………………………………………………………………………… 6.4 电气安全 18 …………………………………………………………………………………………… 6.5 环境适应性试验 19 …………………………………………………………………………………… 6.6 电磁兼容 20 …………………………………………………………………………………………… 7 检验规则 21 ………………………………………………………………………………………………… 7.1 出厂检验 21 …………………………………………………………………………………………… 7.2 型式检验 21 …………………………………………………………………………………………… 7.3 检验项目 21 …………………………………………………………………………………………… 8 标志、随行文件、运输及贮存 22 …………………………………………………………………………… 8.1 标志 22 ………………………………………………………………………………………………… 8.2 随行文件 23 …………………………………………………………………………………………… 8.3 运输 23 ………………………………………………………………………………………………… 8.4 贮存 23 ………………………………………………………………………………………………… 参考文献 24 …………………………………………………………………………………………………… ⅠGB/T43535—2023 前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国核仪器仪表标准化技术委员会(SCA/TC30)提出并归口。 本文件起草单位:同方威视技术股份有限公司、清华大学、中国计量科学研究院、中国原子能科学研 究院。 本文件主要起草人:李玉兰、李元景、赵崑、何力、付逸冬、张智、宫辉、吴瑶、黄训旺、位红燕、张彤、 张红、梁珺成、郝晓勇、魏可新、于海军、潘洪伟、李秀霞、胡春煊、阙子昂。 ⅢGB/T43535—2023 高纯锗γ谱仪 1 范围 本文件规定了高纯锗γ谱仪(以下简称“谱仪”)的分类、技术要求,描述了试验方法,同时对检验规 则、标志、随行文件、运输及贮存进行了规定。 本文件适用于具有同轴型半导体探测器(以下简称“同轴型”)的高纯锗γ谱仪的生产、销售、管理和 检测等。用于特殊或定制场景的其他类型高纯锗γ谱仪参考使用。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于 本文件。 GB/T191 包装储运图示标志 GB/T2423.56 环境试验 第2部分:试验方法 试验Fh:宽带随机振动和导则 GB/T2900.66—2004 电工术语 半导体器件和集成电路 GB/T2900.97—2016 电工术语 核仪器 物理现象、基本概念、仪器、系统、设备和探测器 GB/T3785.1 电声学 声级计 第1部分:规范 GB/T4208 外壳防护等级(IP代码) GB4793.1 测量、控制和实验室用电气设备的安全要求 第1部分:通用要求 GB/T4960.6—2008 核科学技术术语 第6部分:核仪器仪表 GB/T7167 锗γ射线探测器测试方法 GB/T8993—1998 核仪器环境条件与试验方法 GB/T13306 标牌 GB/T17626.2 电磁兼容 测量技术 静电放电抗扰度试验 GB/T17626.3 电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验 GB/T17626.4 电磁兼容 试验和测量技术 电快速瞬变脉冲群抗扰度试验 GB/T17626.5 电磁兼容 试验和测量技术 浪涌(冲击)抗扰度试验 GB/T17626.8 电磁兼容 试验和测量技术 工频磁场抗扰度试验 GB17799.4 电磁兼容 第4部分:通用标准 工业环境中的发射 JJF1850—2020 锗γ射线谱仪校准规范 3 术语和定义 GB/T2900.66—2004、GB/T2900.97—2016、GB/T4960.6—2008和JJF1850—2020界定的以及 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 杂质 impurity 单元素半导体中的其他元素的原子;化合物半导体中的其他元素的原子或与化合物半导体晶体理 1GB/T43535—2023 想配比成分相比多出或缺少的原子。 [来源:GB/T2900.66—2004,521-02-04] 3.2 电活性杂质 electro-activeimpurity 对材料的电学性质有显著影响的杂质。 3.3 高纯锗 high-puritygermanium;HPGe 在室温下,电活性杂质净浓度稳定且典型值小于3×1010cm-3的锗单晶。 3.4 N型半导体 N-typesemiconductor 导电电子密度超过空穴密度的非本征半导体。 [来源:GB/T4960.6—2008,2.4.5] 3.5 P型半导体 P-typesemiconductor 空穴密度超过导电电子密度的非本征半导体。 [来源:GB/T4960.6—2008,2.4.6] 3.6 同轴型半导体探测器 coaxialsemiconductordetector 其灵敏体积对称环绕中心轴的半导体探测器。 [来源:GB/T4960.6—2008,2.4.27] 3.7 液氮回凝制冷系统 zeroboil-offcryostat 将常规液氮与电气制冷相结合的制冷系统。 注:将容器内气态的氮气冷凝为液氮,很大程度上减少了补充液氮的需求。 3.8 半高宽 fullwidthathalfmaximum;FWHM 在单峰构成的分布曲线上,峰值一半处曲线上两点的横坐标间的距离。 注:如果曲线包含几个峰,则每个峰都有一个半高宽。另外,由此术语还扩展定义了1/10高宽(FW0.1M),1/50 高宽(FW0.02M)等。 [来源:GB/T4960.6—2008,3.2.27,有修改] 3.9 全吸收峰 totalabsorptionpeak 全能峰 在辐射探测器中,能谱响应曲线对应光子能量全吸收的那部分。 注:全吸收峰代表所有相互作用过程所产生的光子能量全被吸收,即:a)光电吸收,b)康普顿效应和c)电子对 生成。 [来源:GB/T2900.97—2016,395-03-94] 3.10 全能峰效率 full-energypeakefficiency 对给定的样品(放射源)-探测器距离,测得的能量为E的γ射线全能峰净面积计数与同一时间间 隔内样品(放射源)发射该能量γ射线数的比值。 [来源:JJF1850—2020,3.1.2] 2GB/T43535—2023