(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211013139.0 (22)申请日 2022.08.23 (71)申请人 歌尔微电子股份有限公司 地址 266101 山东省青岛市崂山区科 苑纬 一路1号青岛国际创新园二期F楼 (72)发明人 丁凯文　朱恩成　周汪洋　胡洪　 陈磊　张强　王栋杰　 (74)专利代理 机构 深圳市世纪恒程知识产权代 理事务所 4 4287 专利代理师 涂超群 (51)Int.Cl. H01L 27/10(2006.01) H01L 29/84(2006.01) H01L 29/872(2006.01) G01D 21/02(2006.01) (54)发明名称 集成器件、 电子设备及集成器件的制作方法 (57)摘要 本发明提供一种集 成器件、 电子设备及集成 器件的制作方法， 集成器件包括衬底， 衬底包括 相互连接的第一衬底和第二衬底， 第一衬底上设 置有压力传感器， 压力传感器包括第一电极、 第 一P型重掺杂层和第一P型轻掺杂层， 第一P型重 掺杂层与第一电极连接， 第二衬底上设置有温度 传感器， 温度传感器包括P型二极管。 该集成器件 采用P型二 极管可以使 得温度传感器的制作工艺 与压力传感器的制作工艺相兼容， 能够在压力传 感器的制作工艺台制备温度传感器， 制作P型二 极管时实现工艺兼容， 具有制作工艺简单、 制造 成本低的优点； 并且相较于普通的半导体电阻， 具有更高的灵敏度。 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 CN 115394776 A 2022.11.25 CN 115394776 A 1.一种集成器件， 其特征在于， 包括衬底， 所述衬底包括相互连接的第 一衬底和第 二衬 底， 所述第一衬底上设置有压力传感器， 所述压力传感器包括第一电极、 第一P型重掺杂层 和第一P型轻掺杂层， 所述第一P型重掺杂层与所述第一电极连接， 所述第二衬底上设置有 温度传感器， 所述温度传感器包括P型二极管。 2.根据权利要求1所述的集成器件， 其特 征在于， 所述P型二极管为肖特基二极管。 3.根据权利要求1所述的集成器件， 其特征在于， 所述P型二极管包括第二电极、 第二P 型重掺杂层和 第二P型轻掺杂 层， 所述第二电极的数量为两个， 两个所述第二电极分别与所 述第二P型重掺杂层和所述第二P型 轻掺杂层连接 。 4.根据权利要求1所述的集成器件， 其特征在于， 所述集成器件还包括设置于所述衬底 表面的钝化层， 所述第一电极穿过所述钝化层与第一P型重掺杂 层连接， 两个所述第二电极 均穿过所述钝化层且分别与第二P型重掺杂层和所述第二P型 轻掺杂层连接 。 5.根据权利要求1～4中任一项所述的集成器件， 其特征在于， 所述第一衬底内形成有 空腔。 6.根据权利要求1～4中任一项所述的集成器件， 其特 征在于， 所述衬底为硅衬底。 7.一种电子设备， 其特征在于， 所述电子设备包括权利要求1～6中任一项所述的集成 器件。 8.一种集成器件的制作方法， 其特征在于， 所述集成器件的制作方法用于制作权利要 求1～6中任一项所述的集成器件， 所述 集成器件的制作方法包括以下步骤： 提供一衬底， 在所述衬底 表面形成一缓冲层； 在所述缓冲层上 形成一光刻胶层； 在所述光刻胶层形成第一图形层和第二图形层； 在所述第一图形层的第一区域和所述第二图形层的第一区域通过离子注入在所述衬 底上形成P型重掺杂层； 在所述第一图形层的第二区域和所述第二图形层的第二区域通过 离子注入在所述衬底上 形成P型轻掺杂层； 在所述缓冲层上设置电极。 9.根据权利要求8所述的集成器件的制作 方法， 其特征在于， 所述在所述光刻胶层形成 第一图形层和第二图形层的步骤 包括： 通过黄光 光刻在所述光刻胶层上形成第一图形层和第二图形层。 10.根据权利要求8所述的集成器件的制作方法， 其特征在于， 所述在所述第一图形层 的第一区域通过离子注入在所述衬底上形成第一P型重掺杂层， 同时在所述第二图形层的 第二区域通过离子注入在所述衬底上形成第二P型重掺杂层中， 注入的离子为硼离子、 镓离 子或铟离 子中的至少一种。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115394776 A 2集成器件、 电子 设备及集成器件的制作方 法 技术领域 [0001]本发明涉及集成器件技术领域， 尤其涉及一种集成器件、 电子设备及集成器件的 制作方法。 背景技术 [0002]在单个设备中测试多种环境特性是当今集成器件发展方向之一。 举例来说， 可以 通过单个芯片上集成多个原件来实现测 量压力和温度。 针对压力传感器温漂特性， 需要针 对压力传感器进行温度补偿的应用场景， 因此需要获取准确的集成器件工作温度。 不同集 成器件工艺差异 性较大， 不单纯只是叠加产品工艺， 两种单元还有 材料等兼容要求。 现有的 集成方案是在压力传感器附近集成电阻式/三极管温度传感器。 具体地： [0003]1、 制备掺杂电阻， 优点是制 备工艺兼容性较好， 缺点是该类型集成器件灵敏度较 低， 难以实现对传感器工作温度的准确 测量； [0004]2、 制备三极管温度传感器； 优点： 具有较好的灵敏度， 可以防止衬底高电势带来漏 电； 缺点： 工艺集成较为困难； [0005]上述制程方案是在压力传感器现有的制程的基础上叠加制备温度传感器， 具有 成 本高/灵敏度低等缺点； 并且叠加方案多需要在代工厂进行新的工艺开发和 跨平台制程配 合， 制备过程繁琐的同时增 加制造成本 。 [0006]鉴于此， 有必要提供一种新的集成器件、 电子设备及及集成器件的制作方法， 以解 决或至少缓解上述 技术缺陷。 发明内容 [0007]本发明的主要 目的是提供一种集成器件、 电子设备及集成器件的制作方法， 旨在 解决现有技术中制备温度传感器和压力传感器的集成器件工艺复杂、 制作成本高的技术问 题。 [0008]为实现上述目的， 根据本发明的一个方面， 本发明提供一种集成器件， 包括衬底， 所述衬底包括相互连接的第一衬底和第二衬底， 所述第一衬底上设置有压力传感器， 所述 压力传感器包括第一电极、 第一P型重掺杂 层和第一P型轻掺杂层， 所述第一P型重掺杂 层与 所述第一电极连接， 所述第二衬底上设置有温度传感器， 所述温度传感器包括P型二极管。 [0009]在一实施例中， 所述P型二极管为肖特基二极管。 [0010]在一实施例中， 所述P型二极管包括第二电极、 第二P型重掺杂层和第二P型轻掺杂 层， 所述第二电极的数量为两个， 两个所述第二电极分别与所述第二P型重掺杂层和所述第 二P型轻掺杂层连接 。 [0011]在一实施例中， 所述集成器件还包括设置于所述衬底表面的钝化层， 所述第一电 极穿过所述钝化层与第一P型重掺杂层连接， 两个所述第二电极均穿过所述钝化层且分别 与第二P型重掺杂层和所述第二P型 轻掺杂层连接 。 [0012]在一实施例中， 所述第一衬底内形成有空腔。说　明　书 1/4 页 3 CN 115394776 A 3