(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211041657.3 (22)申请日 2022.08.29 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230601 安徽省合肥市经济技 术开发 区空港工业园兴业大道38 8号 (72)发明人 方青春　 (74)专利代理 机构 北京同立钧成知识产权代理 有限公司 1 1205 专利代理师 李艳　刘芳 (51)Int.Cl. H01L 21/67(2006.01) H01L 21/306(2006.01) B08B 1/00(2006.01) B08B 6/00(2006.01) (54)发明名称 半导体制备装置 (57)摘要 本申请提供一种半导体制备装置， 涉及半导 体制造技术领域， 用于解决晶圆的良率低的技术 问题， 该半导体制备装置包括机台和至少一组清 洁组件， 至少一组清洁组件设置在机台上且位于 目标器件的至少一侧； 清洁组件包括刷头和静电 吸附件， 刷头设置在机台上且可绕自身轴线旋 转， 刷头被配置为清洁目标器件， 静电吸附件设 置在刷头背离目标器件的一侧， 静电吸附件被配 置为吸附刷头上的静电颗粒。 本申请能够对刷头 本身进行清洁， 以提高刷头对目标器件表面的清 洁效果， 从而提高目标器件的良率。 权利要求书1页 说明书8页 附图4页 CN 115424956 A 2022.12.02 CN 115424956 A 1.一种半导体制备装置， 其特 征在于， 包括： 机台； 至少一组清洁组件， 设置在所述机台上且位于目标器件的至少一侧； 所述清洁组件包括刷头和静电吸附件， 所述刷头设置在所述机 台上且可绕自身轴 线旋 转， 所述刷头被配置为清洁目标器件； 所述静电吸 附件设置在所述刷头背离所述 目标器件 的一侧， 所述静电吸附件被 配置为吸附所述刷头上的静电颗粒。 2.根据权利要求1所述的半导体制备装置， 其特征在于， 所述清洁组件为两组， 两组所 述清洁组件 对称设置在所述目标器件的相对两侧。 3.根据权利要求2所述的半导体制备装置， 其特征在于， 所述刷头可向靠近或远离所述 静电吸附件的方向移动。 4.根据权利要求3所述的半导体制备装置， 其特征在于， 所述清洁组件还包括第 一驱动 机构， 所述第一驱动机构与所述刷头连接， 以驱动所述刷头 向靠近或远离所述静电吸 附件 的方向移动。 5.根据权利要求1 ‑4中任一项所述的半导体制备装置， 其特征在于， 所述静电吸附件在 所述目标器件上的投影覆盖所述刷头在所述目标器件上的投影。 6.根据权利要求5所述的半导体制备装置， 其特征在于， 所述静电吸附件为向背离所述 目标器件一侧凸出的弧形 结构， 所述弧形 结构与所述刷头的外缘形状相匹配。 7.根据权利要求6所述的半导体制备装置， 其特征在于， 所述静电吸附件为静电陶瓷 壳。 8.根据权利要求1 ‑4中任一项所述的半导体制备装置， 其特征在于， 所述清洁组件还包 括气体管路， 所述气体管路被 配置为抽除所述静电吸附件上吸附的静电颗粒。 9.根据权利要求8所述的半导体制备装置， 其特征在于， 所述静电吸附件上设置有通 孔， 所述气体管路与所述 通孔连通。 10.根据权利要求9所述的半导体制备装置， 其特征在于， 所述气体管路为多个， 多个所 述气体管路在所述静电吸附件上间隔设置， 且所述静电吸附件上的所述通孔与所述气 体管 路一一对应设置 。 11.根据权利要求9所述的半导体制备装置， 其特征在于， 所述气体管路为可抽真空的 气体管路。 12.根据权利要求2所述的半导体制备装置， 其特征在于， 所述清洁组件还包括喷淋头， 所述喷淋头喷出的喷淋液体 被配置为冲洗所述静电吸附件面向所述刷头的表面。 13.根据权利要求12所述的半导体制备装置， 其特征在于， 两组所述清洁组件中的两个 所述喷淋头的喷淋路径交叉设置， 以使得一组所述清洁组件中的所述喷淋头面向另一组所 述清洁组件中的所述静电吸附件。 14.根据权利要求13所述的半导体制备装置， 其特征在于， 所述喷淋头位于所述刷头的 顶部， 且所述喷淋头的喷射角度可调。 15.根据权利要求14所述的半导体制备装置， 其特征在于， 所述清洁组件还包括第 二驱 动机构， 所述第二驱动机构与所述喷淋头连接， 以驱动所述喷淋头， 使 得所述喷淋头的喷射 角度可调。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115424956 A 2半导体制备 装置 技术领域 [0001]本申请涉及半导体制造技 术领域， 尤其涉及一种半导体制备装置 。 背景技术 [0002]化学机械研磨(Chemical  metal planarization， 简称CMP)是半导体集成电路制 造过程中的常用工艺， CMP是通过晶片和研磨 垫之间的相对运动平 坦化晶圆的表面， 其所用 设备通常称为研磨机或抛光机 。 [0003]相关技术中， 在研磨时， 通常需要使用研磨液， 使得研磨液中的化学成分与晶圆的 表面发生化学反应， 将不溶物转换为易溶物， 然后通过研磨头与晶片之间的机械摩擦将易 溶物从被抛光晶片表面去掉， 实现结合机械作用和化学反应将晶片的表面材料去除， 达到 全局平坦化效果。 并通过清洁组件中的刷头对晶圆表面的研磨产物等进行刷洗， 以清洁晶 圆的表面。 [0004]然而， 刷头在与晶圆长期接触清洗过程中， 刷头本身会被研磨副产物等颗粒物所 污染， 随着使用时间的延 长， 刷头上积累的污染颗粒会越来越多， 会影响刷头对晶圆表面的 清洁效果， 从而导 致晶圆的良率低的技 术问题。 发明内容 [0005]鉴于上述问题， 本申请实施例提供一种半导体制 备装置， 能够对刷头本身进行清 洁， 以提高刷头对目标器件表面的清洁效果， 从而提高目标器件的良率。 [0006]为了实现上述目的， 本申请实施例提供如下技 术方案： [0007]本申请实施例提供一种半导体制备装置， 包括： 机台和至少一组清洁组件； 至少一 组清洁组件设置在所述机台上且位于目标器件的至少一侧； 所述清洁组件包括刷头和静电 吸附件， 所述刷头设置在所述机台上且可绕自身轴线旋转， 所述刷头被配置为清洁所述 目 标器件； 所述静电吸 附件设置在所述刷头背离所述 目标器件的一侧， 所述静电吸 附件被配 置为吸附所述刷头上的静电颗粒。 [0008]在一些可选 的实施方式中， 所述清洁组件为两组， 两组所述清洁组件对称设置在 所述目标器件的相对两侧。 [0009]在一些可选的实施方式中， 所述刷头可向靠近或远离所述静电吸附件的方向移 动。 [0010]在一些可选 的实施方式中， 所述清洁组件还包括第一驱动机构， 所述第一驱动机 构与所述刷头连接， 以驱动所述刷头向靠 近或远离所述静电吸附件的方向移动。 [0011]在一些可选的实施方式中， 所述静电吸附件在所述目标器件上的投影覆盖所述刷 头在所述目标器件上的投影。 [0012]在一些可选的实施方式中， 所述静电吸附件为向背离所述目标器件一侧凸出的弧 形结构， 所述弧形 结构与所述刷头的外缘形状相匹配。 [0013]在一些可选的实施方式 中， 所述静电吸附件为静电陶瓷壳。说　明　书 1/8 页 3 CN 115424956 A 3