ICS 31.080 L 40/49 团体 标准 T/CASAS 005—2022 用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体 管动态导通电阻测试方法 Dynamic on-resistance t est method for GaN high electron mobility transistor (HEMT) in hard-switching circuits 版本：V01.00 2022-09-16发布 2022-09-16实施 第三代半导体产业技术创新战略联盟 发布 全国团体标准信息平台 T/CASAS 005—2022 I 目 次 前言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .... III 引言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .... IV 1 范围 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .. 1 2 规范性引用文件 ................................ ................................ ................................ ................................ .............. 1 3 术语和定义 ................................ ................................ ................................ ................................ ...................... 1 4 原理 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .. 2 5 测试条件 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 3 6 测试装置 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 3 7 测试程序 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 4 7.1 测试方法 ................................ ................................ ................................ ................................ ................. 4 7.2 测试流程 ................................ ................................ ................................ ................................ ................. 5 8 数据记录和处理 ................................ ................................ ................................ ................................ .............. 6 9 试验报告 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 6 附录 A（资料性） GaN HEMT 电力电子器件动态导通测试记录表 ................................ .......................... 7 参考文献 ................................ ................................ ................................ ................................ .............................. 8 全国团体标准信息平台 T/CASAS 005—2022 III 前 言 本文件按照 GB/T 1.1—2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟（ CASA）制定发布，版权归 CASA所有，未经 CASA许 可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经 CASA允许；任何单位或个人引用本文 件的内容需指明本文件的标准号。 本文件起草单位： 工业和信息化部电子第五研究所、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、 佛山市联动科技股份有限公司、 珠海镓未来科技有限公司、 东南大学、 英诺赛科 （珠海） 科技 有限公司、 浙江大学、 大连理工大学 、西安电子科技大学、西交利物浦大学 、江南大学 、北京大学、 佛山市国星光 电股份有限公司 、北京大学东莞光电研究院、 中国科学院半导体研究所、 北京第三代半导体产业技术创 新战略联盟 。 本文件主要起草人：贺致远、田飞飞、吴毅锋、李胜、银杉、 吴新科、董泽政、 施宜军、陈媛、刘 斯扬、李凯、陈希辰、刘庆源、黄火林 、李祥东 、刘雯、闫大为、 王茂俊、 袁海龙、王琦、张旭、高伟。 全国团体标准信息平台