(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210769010.6 (22)申请日 2022.06.30 (71)申请人 北京量子信息科 学研究院 地址 100193 北京市海淀区中关村软件园 二期国际与区域协同创新中心 A座 (72)发明人 高远飞　袁之良　 (74)专利代理 机构 北京律和信知识产权代理事 务所(普通 合伙) 11446 专利代理师 刘兴　何春晖 (51)Int.Cl. H04L 9/08(2006.01) (54)发明名称 量子密钥分发系统的调制装置及制备稳定 强度状态的方法 (57)摘要 本发明公开了一种用于诱骗态量子密钥分 发系统的调制装置， 包括： 第一分光单元， 配置成 接收入射光脉冲， 并将所述入射光脉冲分为第一 脉冲和第二脉冲； 第一调制单元， 与所述第一分 光单元耦接， 配置成接收所述第一脉冲， 调制后 生成第一干涉脉冲； 第二调制单元， 与所述第一 分光单元耦接， 配置成接收所述第二脉冲， 调制 后生成第二干涉脉冲； 第三调制单元， 与所述第 一调制单元和所述第二调制单元耦接， 配置成接 收所述第一干涉脉冲和所述第二干涉脉冲， 调制 后生成第三干涉脉冲。 本发明所提供的用于诱骗 态量子密钥分发系统的调制装置及使用其制备 稳定强度状态的编码方式， 能够 有效抑制相邻光 脉冲之间的编码记忆效应(pattern  effect)， 确 保了编码脉冲之间的独立 性。 权利要求书3页 说明书13页 附图10页 CN 115333724 A 2022.11.11 CN 115333724 A 1.一种用于诱骗态量子密钥分发系统的调制装置， 其特 征在于， 包括： 第一分光单元， 配置成接收入射光脉冲， 并将所述入射光脉冲分为第一脉冲和第二脉 冲； 第一调制单元， 与所述第 一分光单元耦接， 配置成对所述第 一脉冲进行调制， 以生成第 一干涉脉冲； 第二调制单元， 与所述第 一分光单元耦接， 配置成对所述第 二脉冲进行调制， 以生成第 二干涉脉冲； 第三调制单元， 与所述第一调制单元和所述第二调制单元耦接， 配置成对所述第一干 涉脉冲和所述第二干涉脉冲进行调制， 以生成第三干涉脉冲， 所述第三干涉脉冲具有四个 极值点。 2.如权利要求1所述的调制装置， 其中所述第一调制单 元包括： 第二分光单元， 配置成接收所述第一脉冲， 并将所述第一脉冲分为第三脉冲和第 四脉 冲； 第一波导单元， 包括两条波导， 与所述第二分光单元耦接， 配置成接收所述第 三脉冲和 所述第四脉冲， 使所述第三脉冲和所述第四脉冲分别沿所述两条波导中的一条波导传输； 第一相位调制单元， 与所述第一波导单元耦接， 配置成调制所述第三脉冲和所述第 四 脉冲的相位差； 第一耦合单元， 与所述第一波导单元耦接， 配置成接收调制后的所述第三脉冲和所述 第四脉冲， 并将调制后的所述第三脉冲和所述第四脉冲耦合， 输出 所述第一干涉 脉冲。 3.如权利要求2所述的调制装置， 其中所述第二调制单 元包括： 第三分光单元， 配置成接收所述第二脉冲， 并将所述第二脉冲分为第五脉冲和第六脉 冲； 第二波导单元， 包括两条波导， 与所述第三分光单元耦接， 配置成接收所述第五脉冲和 所述第六脉冲， 使所述第五脉冲和所述第六脉冲分别沿所述第二波导单元的两条波导中的 一条波导传输； 第二相位调制单元， 与所述第二波导单元耦接， 配置成调制所述第五脉冲和所述第六 脉冲的相位差； 第二耦合单元， 与所述第二波导单元耦接， 配置成接收调制后的所述第五脉冲和所述 第六脉冲， 并将调制后的所述第五脉冲和所述第六 脉冲耦合， 输出 所述第二干涉 脉冲。 4.如权利要求3所述的调制装置， 其中所述第三调制单 元包括： 第三波导单元， 包括两条波导， 分别与所述第 一耦合单元和所述第二耦合单元耦接， 配 置成接收所述第一干涉脉冲和所述第二干涉脉冲， 使 所述第一干涉脉冲和所述第二干涉脉 冲分别沿所述第三波导单 元的两条波导中的一条波导传输； 第三相位调制单元， 与所述第三波导单元耦接， 配置成调制所述第一干涉脉冲和所述 第二干涉 脉冲的相位差； 第三耦合单元， 与所述第三波导单元耦接， 配置成接收调制后的所述第一干涉脉冲和 所述第二干涉脉冲， 并将调制后的所述第一干涉脉冲和所述第二干涉脉冲耦合， 输出所述 第三干涉 脉冲。 5.如权利要求3或4所述的调制装置， 其中所述第 一分光单元、 所述第 二分光单元和/或权　利　要　求　书 1/3 页 2 CN 115333724 A 2所述第三分光单 元的分光比均为1:1。 6.如权利要求3或4所述的调制装置， 其中所述第 一波导单元和所述第 二波导单元中的 任一个的两条波导平行排列， 并以铌酸锂材料制成， 所述第一相位调制单元和所述第二相 位调制单 元分别包括： 行波电极， 配置成为相应的两条波导注入射频信号； 直流偏置电极， 配置成为相应的两条波导注入直 流电压。 7.如权利要求6所述的调制装置， 其中所述第一相位调制单元和所述第二相位调制单 元进一步配置成： 通过所述行波电极分别向相应的两条波导注入射频信号， 注入所述相应的两条波导的 射频信号的方向相反。 8.如权利要求7所述的调制装置， 其中所述第一相位调制单元和所述第二相位调制单 元进一步配置成： 通过所述行波电极推挽式向相应的两条波导注入射频信号。 9.如权利要求4所述的调制装置， 其中所述第 三波导单元的两条波导平行排列， 并以铌 酸锂材料制成， 所述第三相位调制单 元包括： 直流偏置电极， 配置成为相应的两条波导注入直 流电压。 10.如权利要求4所述的调制装置， 其中所述第一相位调制单元、 所述第二相位调制单 元和所述第三相位调制单 元配置成： 通过调制所述第 三脉冲和所述第四脉冲的相位差、 所述第五脉冲和所述第六脉冲的相 位差、 所述第一干涉脉冲和所述第二干涉脉冲的相位差， 使所述第三干涉脉冲位于所述极 值点上。 11.如权利要求1 ‑4中任一项所述的调制装置， 其中所述第一调制单元、 所述第二调制 单元和所述第三调制单 元分别包括： 马赫 ‑曾德尔干涉仪 。 12.一种使用 如权利要求1 ‑10中任一项所述的调制装置制备稳定强度状态的方法， 其 特征在于， 所述第一调制单 元进一步包括： 第二分光单元， 配置成接收所述第一脉冲， 并将所述第一脉冲分为第三脉冲和第 四脉 冲； 第一相位调制单 元， 配置成调制所述第三脉冲和所述第四脉冲的相位差； 所述第二调制单 元进一步包括： 第三分光单元， 配置成接收所述第二脉冲， 并将所述第二脉冲分为第五脉冲和第六脉 冲； 第二相位调制单 元， 配置成调制所述第五脉冲和所述第六 脉冲的相位差； 所述第三调制单 元进一步包括： 第三相位调制单 元， 配置成调制所述第一干涉 脉冲和所述第二干涉 脉冲的相位差； 所述方法包括： 通过所述第一相位调制单 元调制所述第三脉冲和所述第四脉冲的相位差为0； 通过所述第二相位调制单 元调制所述第五脉冲和所述第六 脉冲的相位差为0； 通过所述第三相位调制单元调制所述第一干涉脉冲和所述第二干涉脉冲的相位差为权　利　要　求　书 2/3 页 3 CN 115333724 A 3