(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210765066.4 (22)申请日 2022.06.30 (71)申请人 深圳市傲川科技有限公司 地址 518000 广东省深圳市龙华区观澜街 道桂香社区观澜桂花路302号傲川厂 房401 (72)发明人 林刚　农世念　林文虎　黄晓辉　 (74)专利代理 机构 深圳市恒程创新知识产权代 理有限公司 4 4542 专利代理师 戴圆圆 (51)Int.Cl. C08L 83/07(2006.01) C08L 83/05(2006.01) C08L 83/04(2006.01) C08K 3/04(2006.01)C08K 3/38(2006.01) C08K 3/22(2006.01) C08J 5/18(2006.01) C09K 5/14(2006.01) (54)发明名称 一种绝缘高导热薄膜及其制备方法 (57)摘要 本发明公开一种绝缘高导热薄膜及其制备 方法。 所述绝缘高导热薄膜包括基材和石墨烯， 所述基材包括导热粉体、 粉体改性剂、 胶料基体、 含氢硅油、 抑制剂以及催化剂； 其中， 所述基材与 所述导热粉体、 所述粉体改性剂、 所述胶料基体、 所述含氢硅油、 所述抑制剂以及所述催化剂的质 量比为1∶(0.5～0.8)∶(0.01～0.3)∶(0.1～0.3) ∶(0.01～0.5)∶(0.01～0.1)∶(0.01～0.2)。 本发 明提供的绝缘高导热薄膜具有较高的导热性和 较好绝缘性。 权利要求书1页 说明书5页 附图1页 CN 114940828 A 2022.08.26 CN 114940828 A 1.一种绝缘高导热薄膜， 其特征在于， 包括基材和石墨烯， 所述基材包括导热粉体、 粉 体改性剂、 胶料基 体、 含氢硅油、 抑制剂以及催化剂； 其中， 所述基材与所述导热粉体、 所述粉体改性剂、 所述胶料基体、 所述含氢硅油、 所述 抑制剂以及所述催化剂的质量比为1∶(0.5～ 0.8)∶(0.01～ 0.3)∶(0.1～ 0.3)∶(0.01～0.5) ∶(0.01～0.1)∶(0.01～0.2)。 2.如权利要求1所述的绝缘高导热薄膜， 其特征在于， 所述导热粉体和所述石墨烯的质 量比为1∶(1～4)。 3.如权利要求1所述的绝缘高导热薄膜， 其特征在于， 所述粉体改性剂包括硅烷偶联 剂、 3‑氨基丙基乙氧基硅氧烷、 γ ‑缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、 十二烷基三甲氧基硅 烷、 乙烯基三乙氧基硅烷、 钛 酸酯偶联剂、 铝酸酯偶联剂的至少一种。 4.如权利要求1所述的绝缘高导热薄膜， 其特征在于， 所述导热粉体包括氢氧化铝、 氮 化硼、 氮化铝、 硅酸铝以及氧化铝的至少一种。 5.如权利要求1所述的绝缘高导热薄膜， 其特征在于， 所述胶料基体包括二甲基硅油， 乙烯基硅油， 101硅油、 羟基硅油、 苯基硅油的至少一种。 6.如权利要求1所述的绝缘高导热薄膜， 其特征在于， 所述含氢硅油中的含氢量为 (0.1％～1％)。 7.如权利要求1所述的绝 缘高导热薄膜， 其特 征在于， 所述催化剂包括铂金催化剂。 8.如权利要求1所述的绝 缘高导热薄膜， 其特 征在于， 所述抑制剂包括乙炔基环己醇。 9.一种基于权利要求1 ‑8任意一项所述的绝缘高导热薄膜的制备方法， 其特征在于， 包 括以下步骤： 将导热粉体、 粉体改性剂、 胶料基体、 含氢硅油、 抑制剂以及催化剂均匀混合后加入石 墨烯反应， 真空脱泡后得导热胶料； 将所述导热胶料压延成型， 固化得绝 缘高导热薄膜。 10.如权利要求9所述的绝缘高导热薄膜的制备方法， 其特征在于， 所述固化的温度为 120℃～15 0℃。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 114940828 A 2一种绝缘高导热薄膜及其制备方 法 技术领域 [0001]本发明涉及石墨烯材料制备技术领域， 特别涉及 一种绝缘高导热薄膜及其制备方 法。 背景技术 [0002]现代信息技术的进步促使电子器件往智能化， 高频化以及微型化快速发展， 从而 导致电子器件的能量密度增大， 在工作时， 热量迅速积累， 致使工作器件的温度升高， 严重 影响器件元件的使用寿命， 安全性以及用户体验， 其中散热及绝缘性对于电子器件的使用 待解决问题。 目前的技术中， 一般使用氧化石墨烯为原料， 通过涂膜等工艺来制备导热膜方 法， 该工艺涉及惰性气体高温热还原的过程， 能耗较高， 步骤工艺复杂， 同时不良率较高。 [0003]石墨烯导热薄膜具有高效的导热性能， 因此在散热领域具有很大的应用价值， 但 是传统的石墨烯薄膜由于力学性能不佳， 且绝缘性不佳， 不适合汽车行业、 电子行业 发展的 要求。 发明内容 [0004]本发明的主要目的是提出一种绝缘高导热薄膜及 其制备方法， 旨在提供一种具有 较高导热性和较好 绝缘性的高导热薄膜。 [0005]为实现上述目的， 本发明提出一种绝缘高导热薄膜， 所述绝缘高导热薄膜， 包括： 基材和石墨烯， 所述基材包括导热粉体、 粉体改性剂、 胶料基体、 含氢硅油、 抑制剂以及催 化 剂； [0006]其中， 所述基材与所述导热粉体、 所述粉体改性剂、 所述胶料基体、 所述含氢硅油 、 所述抑制剂以及所述催化剂的质量比为1∶(0.5～ 0.8)∶(0.01～ 0.3)∶(0.1～ 0.3)∶(0.01～ 0.5)∶(0.01～0.1)∶(0.01～0.2)。 [0007]可选地， 所述 导热粉体和所述石墨烯的质量比为1∶(1～4)。 [0008]可选地， 所述粉体改性剂包括硅烷偶联剂、 3 ‑氨基丙基乙氧基硅氧烷、 γ ‑缩水甘 油醚氧丙基三甲氧基硅烷、 十二烷基三甲氧基硅烷、 乙烯基三乙氧基硅烷、 钛酸酯偶联剂、 铝酸酯偶联剂的至少一种。 [0009]可选地， 所述导热粉体包括氢氧化铝、 氮化硼、 氮化铝、 硅酸铝以及氧化铝的至少 一种。 [0010]可选地， 所述胶料基体包括二 甲基硅油， 乙烯基硅油， 101硅油、 羟基硅油、 苯基硅 油的至少一种。 [0011]可选地， 所述含氢硅油中的含氢量 为(0.1％～1％)。 [0012]可选地， 所述催化剂包括铂金催化剂。 [0013]本发明还提供基于上述所述的绝 缘高导热薄膜的制备 方法， 包括以下步骤： [0014]将导热粉体、 粉体改性剂、 胶料基体、 含氢硅油、 抑制剂以及催化剂均匀混合后加 入石墨烯反应， 真空脱泡后得导热胶料；说　明　书 1/5 页 3 CN 114940828 A 3