(19)国家知识产权局 (12)发明 专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202210849914.X (22)申请日 2022.07.20 (65)同一申请的已公布的文献号 申请公布号 CN 114989466 A (43)申请公布日 2022.09.02 (73)专利权人 潍坊弘润新材 料有限公司 地址 262737 山 东省潍坊市滨海区大家洼 长江西路以南蓝海 路以东绿色化工业 园区新材 料项目区 (72)发明人 曹广文　刘振宾　张范　董鹏　 (74)专利代理 机构 山东华君知识产权代理有限 公司 373 00 专利代理师 李欣 (51)Int.Cl. C08J 5/18(2006.01)C08L 79/08(2006.01) C08G 73/10(2006.01) C08K 3/22(2006.01) C08K 3/34(2006.01) C08K 3/38(2006.01) C08K 7/26(2006.01) C08K 9/06(2006.01) (56)对比文件 JP 2006255565 A,2006.09.28 US 20173 06093 A1,2017.10.26 CN 1793231 A,20 06.06.28 CN 112280036 A,2021.01.2 9 CN 110698857 A,2020.01.17 审查员 张润 (54)发明名称 一种耐电晕聚酰 亚胺薄膜及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及 其制备方法， 属于耐电晕绝缘材料技术领域， 所 述制备方法由以下步骤组成： 制备无机分散液、 制备混合溶液、 制备浆料、 真空负压消泡、 亚胺 化； 所述制备无机分散液的方法为， 将纳米无机 材料与层状无机材料置于极性非质子溶剂中得 到无机混合液， 向无机混合液中加入表面活性 剂， 采用搅拌加超声的方式进行混合分散， 制得 无机分散 液； 本发明的制备方法更有利于工业化 的生产工艺控制， 避免团聚现象的发生， 而且制 备的聚酰亚胺薄膜产品的耐电晕性能指标高， 且 耐电晕性能指标 稳定， 力学性能好。 权利要求书2页 说明书10页 CN 114989466 B 2022.10.21 CN 114989466 B 1.一种耐电晕聚酰亚胺薄膜的制备方法， 其特征在于， 所述制备方法由以下步骤组成： 制备无机分散液、 制备混合溶 液、 制备浆料、 真空负压消泡、 亚胺化； 所述制备无机分散液的方法为， 将纳米无机材料与层状无机材料置于极性非质子溶剂 中得到无机混合液， 向无机混合液中加入表面活性剂， 采用搅拌加超声的方式进行混合分 散， 控制混合分散中的搅拌转速为100 ‑250r/min， 超声波 频率为20kHz， 温度为20℃， 时间为 5h， 混合分散结束， 制得 无机分散液； 所述纳米无机材料占无机混合液的质量分数为3 ‑5%， 所述层状无机材料占无机混合液 的质量分数为1 ‑2%； 所述表面活性剂占纳米无机材 料和层状无机材 料总量的质量分数为0.5 ‑1%； 所述纳米无机材料为纳米氧化铝、 纳米二氧化硅、 纳米二氧化钛中的一种或者纳米氧 化铝与纳米二氧化硅的组合； 当纳米无机材料为纳米氧化铝与纳米二氧化硅的组合 时， 纳米氧化铝与纳米二氧化硅 的重量比为2:2； 所述层状无机材 料为滑石粉与氮化硼中的一种； 所述纳米氧化铝的平均粒径为20 ‑100nm； 所述纳米二氧化硅的平均粒径为3 0nm； 所述纳米二氧化 钛的平均粒径为5 0nm； 所述滑石粉的平均粒径为0.5 ‑0.8 μm； 所述氮化硼的平均粒径为0.5 ‑1 μm； 所述表面活性剂为γ ‑(2， 3‑环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、 γ ‑氨丙基三乙氧基硅烷、 N‑( β‑氨乙基)‑γ‑氨丙基三乙氧基硅烷、 正辛基三乙氧基硅烷、 乙烯基 ‑三(2‑甲氧基乙氧 基)硅烷中的一种； 所述制备混合溶液的方法为， 向无机分散液中加入芳香族二胺， 采用搅拌加超声的方 式进行溶解， 控制溶解中的搅拌转速为100 ‑250r/min， 超声波 频率为20kHz， 时间为2h， 充分 溶解结束， 制得混合溶 液； 所述芳香族二胺为对苯二胺、 4,4 ‑二氨基二苯醚、 间苯二胺中的一种或对苯二胺与4, 4‑二氨基二苯醚的组合； 当芳香族二胺为对苯二胺与4,4 ‑二氨基二苯醚的组合时， 对苯二胺与4,4 ‑二氨基二苯 醚的重量比为18.59:69.1； 所述制备无机分散液步骤中， 极性非质子溶剂与制备混合溶液步骤中芳香族二胺的重 量比为80 0‑850:46.6‑93.3； 所述制备浆料的方法为， 采用四次加入法或五次加入法将芳香族二酐加入混合溶液中 进行搅拌反应， 待芳香族二 酐加入结束， 搅拌反应至粘度出现爬杆现象， 继续搅拌8 h进行充 分反应， 控制搅拌中的转速维持在15 0r/min， 得到浆料； 所述四次加入法的方法为， 将芳香族二酐分4 次加入混合溶液中， 每次加入的间隔时间 为0.5‑1h， 每次芳 香族二酐的加入量的重量比为20 ‑50:20‑30:18‑25:3.2‑6.7； 所述芳香族二酐为1,2,4,5 ‑均苯四甲酸 二酐或3,3＇ ,4,4 ＇‑联苯四甲酸 二酐中的一种； 所述五次加入法的方法为， 先将1,2,4,5 ‑均苯四甲酸二酐分3次加入混合溶液中， 前3 次加入的间隔时间为0.5h， 待加入结束， 间隔0.5h后第4次加入3,3  ＇ ,4,4 ＇  ‑联苯四甲酸权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 114989466 B 2二酐， 然后反应1h后， 第5次加入1,2,4,5 ‑均苯四甲酸 二酐； 所述制备浆料步骤中， 所述五次加入法中， 第1次加入的1,2,4,5 ‑均苯四甲酸二酐、 第2 次加入的1,2,4,5 ‑均苯四甲酸二酐、 第3次加 入的1,2,4,5 ‑均苯四甲酸二酐、 第4次加 入的 3,3 ＇ ,4,4 ＇  ‑联苯四甲酸二酐、 第5次加入 的1,2,4,5 ‑均苯四甲酸二酐的重量比为40: 40:20:2.6 6:9.6； 所述制备浆料步骤中， 芳香族二酐与制备混合溶液步骤中芳香族二胺的摩尔比为 1.02‑1.15:1； 所述真空负压消泡的方法为， 将浆料进行真空负压消泡， 第一阶段的真空压力调至 ‑ 0.02Mpa至 ‑0.05MPa， 搅拌转速50 ‑200r/min， 消泡时间为2h； 第二阶段的真空压力调至 ‑ 0.06MPa至 ‑0.08MPa， 搅拌转速50 ‑200r/min， 消泡时间为2h； 第三阶段的真空压力调压 ‑ 0.095MPa， 搅拌转速 50‑150r/min， 消泡时间为1h， 得到消泡后的浆料； 所述亚胺化的方法为， 对消泡后的浆料进行流涎， 流涎温度控制在120 ‑180℃， 流动风 量控制在1000 ‑8000m³/h； 进行拉伸， 纵向拉伸比控制在1:1.05 ‑1.15， 横向拉伸比控制在1: 1.05‑1.2； 然后进行亚胺化， 亚胺化温度采用阶梯式的加热程序进行， 温度分为12区， 各区 的温度分别为： 一 区： 100℃； 二 区： 125‑150℃； 三 区： 155‑165℃； 四区： 200℃； 五区： 250℃； 六区： 250 ‑270℃； 七区： 280℃； 八区： 320 ‑350℃； 九区： 350 ‑380℃； 十区： 270 ‑320℃； 十一 区： 220℃； 十二区： 15 0℃， 亚胺化结束得到耐电晕聚酰 亚胺薄膜。 2.一种耐电晕聚酰亚胺薄膜， 其特征在于， 采用 如权利要求1所述的制备方法制得， 所 述耐电晕聚酰 亚胺薄膜为单层薄膜， 薄膜厚度为24 ‑25.5 μm。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 114989466 B 3