(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210866776.6 (22)申请日 2022.07.22 (71)申请人 宁夏清研高分子新材 料有限公司 地址 753000 宁夏回族自治区石嘴山市经 济技术开发区管理委员会B-2 (72)发明人 于冉　张东宝　徐良　乐泽伟　 陈荣强　张建　邵彩萍　 (74)专利代理 机构 北京众达德权知识产权代理 有限公司 1 1570 专利代理师 甄伟军 (51)Int.Cl. C08L 101/12(2006.01) C08L 27/16(2006.01) C08K 9/06(2006.01) C08K 9/04(2006.01)C08K 3/04(2006.01) C08K 9/10(2006.01) C08K 3/22(2006.01) C08K 3/08(2006.01) (54)发明名称 一种高介电液晶高分子复合材料及其制备 方法 (57)摘要 本发明提供了一种高介电液晶高分子复合 材料及其制备方法， 属于高分子材料技术领域， 所述高介电液晶高分子复合材料主要包括 以下 组分： 液晶聚合物； 聚(偏二氟乙烯 ‑co‑六氟丙 烯)； 改性多壁碳纳米管； 以及改性介电陶瓷。 该 高介电液晶高分子复合材料采用聚(偏二氟乙 烯‑co‑六氟丙烯)、 改性多壁碳纳米管以及改性 介电陶瓷与液晶聚合物进行复合， 不同填料间起 到了明显的协同增强的作用， 得到兼具高介电和 低介电损耗的液晶高分子复合材料， 有效解决了 现有高介电高分子复合材料存在介电损耗高的 技术问题。 权利要求书2页 说明书10页 附图1页 CN 115073932 A 2022.09.20 CN 115073932 A 1.一种高介电液晶高分子复合材料， 其特征在于， 所述高介电液晶高分子复合材料包 括以下组分： 液晶聚合物； 聚(偏二氟乙烯 ‑co‑六氟丙烯)； 改性多壁碳纳米管； 以及改性介 电陶瓷； 以质量份数计， 所述改性多壁 碳纳米管包括以下组分： 多壁碳纳米管0.5～ 2份； 聚乙烯吡咯烷酮1～4份； 硅烷偶联剂1.5～5份； 以质量份数计， 所述改性介电陶瓷包括以下组分： 介电陶瓷10～ 20份； 多巴类化 合物1～2份。 2.根据权利要求1所述的高介电液晶高分子复合材料， 其特征在于， 所述硅烷偶联剂包 括乙烯基甲基二甲氧基硅烷、 3 ‑(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷和3 ‑巯丙基三甲氧基硅 烷中的至少一种。 3.根据权利要求1所述的高介电液晶高分子复合材料， 其特征在于， 所述介电陶瓷包括 钛酸钡、 钛酸锶和钛 酸钙中的至少一种。 4.根据权利要求1所述的高介电液晶高分子复合材料， 其特征在于， 所述多巴类化合物 包括多巴、 多巴胺和盐酸多巴胺中的至少一种。 5.根据权利要求1所述的高介电液晶高分子复合材料， 其特征在于， 所述液晶聚合物为 全芳香族液晶聚合物。 6.根据权利要求1～5任一项所述的高介电液晶高分子复合材料， 其特征在于， 所述液 晶聚合物、 聚(偏二氟乙烯 ‑co‑六氟丙烯)、 改性多壁碳纳米管和改性介电陶瓷的质量比为 (20～35)： (14～16)： (1～4)： (10～ 20)。 7.一种权利要求1～6任一项所述的高介电液晶高分子复合材料的制备方法， 其特征在 于， 所述制备 方法包括： 得到改性多壁 碳纳米管； 得到改性介电陶瓷； 将聚(偏二氟乙烯 ‑co‑六氟丙烯)溶解于第一溶剂中， 得到第一溶 液； 将所述改性多壁 碳纳米管和所述改性介电陶瓷溶解于第二溶剂中， 得到第二溶 液； 将所述第一溶 液加入到所述第二溶 液中搅拌混合， 得到第三溶 液； 将液晶聚合物加入到所述第三溶 液中搅拌混合， 得到第四溶 液； 将所述第四溶液加入到水中进行洗涤， 后干燥、 热压成型， 得到高介电液晶高分子复合 材料。 8.根据权利要求7所述的高介电液晶高分子复合材料的制备方法， 其特征在于， 所述得 到改性多壁 碳纳米管， 具体包括： 将多壁碳纳米管加入到第三溶剂中， 得到第五溶 液； 将聚乙烯吡咯烷酮加入到第四溶剂中， 得到第六 溶液； 将所述第五溶 液加入到所述第六 溶液中， 后室温下密封、 离心分离， 得到第一 沉淀物； 将硅烷偶联剂加入第五溶剂中， 调节pH 至9‑10， 得到第七溶 液； 将所述第一 沉淀物加入到所述第七溶 液中进行搅拌， 后离心分离， 得到第二 沉淀物； 将所述第二 沉淀物进行洗涤， 后干燥、 研磨， 得到改性多壁 碳纳米管。 9.根据权利要求7所述的高介电液晶高分子复合材料的制备方法， 其特征在于， 所述得 到改性介电陶瓷， 具体包括：权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115073932 A 2将介电陶瓷加入到Tris缓冲液中， 得到第八溶 液； 将多巴类化合物加入到所述第八溶液中并调节pH值至8～9， 后冰浴中超声8～15min， 得到第九溶 液； 将所述第九溶液于室温下搅拌10～24h， 后真空抽滤、 洗涤、 干燥， 得到核壳结构的介电 陶瓷； 将所述核壳结构的介电陶瓷分散 于水中， 后冰浴中超声0.5～1h， 得到第十溶 液； 将所述AgNO3溶液加入到所述第十溶液中， 后 经冰浴中搅拌1～2h、 离心分离、 洗涤和干 燥， 得到改性介电陶瓷。 10.根据权利要求7所述的高介电液晶高分子复合材料的制备方法， 其特征在于， 所述 热压成型的工作参数包括： 温度为3 00℃～350℃， 压力为10 MPa～15MPa。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115073932 A 3