(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211244108.6 (22)申请日 2022.10.11 (71)申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司 地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区高 新四路18号 (72)发明人 彭杨　陈帮　郭万里　 (74)专利代理 机构 上海思微知识产权代理事务 所(普通合伙) 31237 专利代理师 张亚静 (51)Int.Cl. B23K 26/38(2014.01) B23K 26/70(2014.01) H01L 21/78(2006.01) B23K 101/40(2006.01) (54)发明名称 激光切割装置以及晶圆切割方法 (57)摘要 本发明提供了一种激光切割装置以及晶圆 切割方法， 所述激光切割装置用于对固定于承 载 台上的基板进行切割， 所述激光切割装置包括： 激光器， 所述激光器与所述承 载台之间设置有所 述基板， 所述激光器用于发射第一条件激光和第 二条件激光， 所述第一条件激光作用于所述基 板， 所述第二条件激光作用于所述第一条件激光 作用在所述基板上的位置， 且所述第二条件激光 作用于所述基板上的位置与所述第一条件激光 作用在所述基板上的位置的时间差T大于等于0； 其中， 所述第一条件激光用于切割所述基板， 所 述第二条件激光用于清除所述第一条件激光切 割所述基板时产生的副产物。 本发 明的技术方案 使得在确保高切割效率的同时， 还能提高切割后 的晶圆表面平整度。 权利要求书2页 说明书11页 附图2页 CN 115533338 A 2022.12.30 CN 115533338 A 1.一种激光切割装置， 用于对固定于承载台上的基板进行切割， 其特征在于， 所述激光 切割装置包括： 激光器， 所述激光器与所述承载台之间设置有所述基板， 所述激光器用于发射第一条 件激光和第二条件激光， 所述第一条件激光作用于所述基板， 所述第二条件激光作用于所 述第一条件激光作用在所述基板上的位置， 且所述第二条件激光作用于所述基板上的位置 与所述第一条件激光作用在所述基板上的位置的时间差T大于等于 0； 其中， 所述第一条件激光用于切割所述基板， 所述第二条件激光用于清除所述第一条 件激光切割所述基板时产生的副产物。 2.如权利要求1所述的激光切割 装置， 其特征在于， 所述第 一条件激光的脉宽大于所述 第二条件激光的脉宽且所述第一条件激光作用在所述基板上的范围小于所述第二条件激 光作用在所述基板上 的范围， 以使所述第一条件激光用于切割 所述基板、 所述第二条件激 光用于清除所述第一条件激光切割所述基板时产生的副产物。 3.如权利要求2所述的激光切割 装置， 其特征在于， 所述第 二条件激光作用在所述基板 上的范围比所述第一条件激光作用在所述基板上的范围大1 μm～7 μm。 4.如权利要求1所述的激光切割装置， 其特征在于， 所述激光器至少两个， 所述至少两 个激光器分别用于发射所述第一条件激光和所述第二条件激光。 5.如权利要求4所述的激光切割 装置， 其特征在于， 发射所述第 一条件激光的激光器为 皮秒激光器， 发射所述第二条件激光的激光器为飞秒激光器。 6.如权利要求1所述的激光切割 装置， 其特征在于， 所述激光切割 装置还包括 聚焦分光 单元， 设置于所述基板与所述激光器之间， 所述聚焦分光单元用于调整所述第一条件激光 和所述第二条件激光在发射至所述基板方向上靠近所述基板作用点的路径在水平方向上 之间的距离 。 7.如权利要求6所述的激光切割装置， 其特征在于， 所述激光切割装置还包括聚焦单 元， 设置于所述聚焦分光单元与所述激光器之间， 所述聚焦单元用于将所述第一条件激光 和所述第二条件激光聚焦 在所述聚焦分光单 元上。 8.一种晶圆切割方法， 其特 征在于， 包括： 提供一晶圆， 所述晶圆固定 于承载台上； 提供第一条件激光和第二条件激光， 所述第一条件激光作用于所述晶圆， 所述第二条 件激光作用于所述第一条件激光作用在所述晶圆上的位置， 且所述第二条件激光作用于所 述晶圆上的位置与所述第一条件激光作用在所述晶圆上的位置的时间差T大于等于 0； 其中， 所述第一条件激光用于切割所述晶圆， 所述第二条件激光用于清除所述第一条 件激光切割所述晶圆时产生的副产物。 9.如权利要求8所述的晶圆切割方法， 其特征在于， 所述第 一条件激光的脉宽大于所述 第二条件激光的脉宽且所述第一条件激光作用在所述晶圆上的范围小于所述第二条件激 光作用在所述晶圆上 的范围， 以使所述第一条件激光用于切割 所述基板、 所述第二条件激 光用于清除所述第一条件激光切割所述晶圆时产生的副产物。 10.如权利要求9所述的晶圆切割方法， 其特征在于， 所述第 一条件激光为皮秒激光， 所 述第二条件激光 为飞秒激光。 11.如权利要求8所述的晶圆切割方法， 其特征在于， 所述晶圆包括衬底以及形成于所权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115533338 A 2述衬底上 的介质层， 所述介质层中形成有导电材料； 采用所述第一条件激光和所述第二条 件激光切割所述晶圆上的介质层和导电材 料， 并采用刻蚀工艺切割所述晶圆上的衬底。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115533338 A 3