(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211257083.3 (22)申请日 2022.10.14 (71)申请人 中国科学院合肥物质科 学研究院 地址 230031 安徽省合肥市蜀山湖路3 50号 (72)发明人 潘旭　万长茂　叶加久　梁政　 徐慧芬　刘国震　 (74)专利代理 机构 合肥市上嘉专利代理事务所 (普通合伙) 34125 专利代理师 郭华俊 (51)Int.Cl. H01L 51/48(2006.01) H01L 51/42(2006.01) H01L 51/00(2006.01) B23K 26/00(2014.01) B23K 26/70(2014.01) (54)发明名称 基于新型剥离方法的光电子器件硬质基底 柔性化迭代工艺 (57)摘要 本发明提供了一种基于新型剥离方法的光 电子器件硬质基底柔性化迭代工艺， 包括如下步 骤： 在硬质基底上涂胶， 将柔性基底贴合在硬质 基底上； 在柔性基底上制备光电子器件； 将附着 有硬质基底的柔性光电子器件放置在电动平移 台上； 布置并预调节准分子激光剥离系统； 调节 电动平移台步进速度； 当电动平移台上的柔性光 电子器件到达目标位置时， 开启准分子激光剥离 系统， 激光自上而下地照射在柔性光电子器件 上， 将硬质基底从柔性光电子器件上脱离。 本发 明利用准分子激光剥离技术对硬质基底与柔性 基底进行分离， 不仅不会损伤柔性光电子器件， 还具有操作简单、 剥离 干净、 工作效率高的优点。 权利要求书1页 说明书8页 附图1页 CN 115458690 A 2022.12.09 CN 115458690 A 1.一种基于新型剥离方法的光电子器件硬质基底柔性化迭代工艺， 其特征在于， 包括 如下步骤： S1、 在硬质基底上涂一层 胶， 将柔性基底贴合在硬质基底上， 待胶体凝固； S2、 在柔性基底上制备光电子器件； S3、 将附着有硬质基底 的柔性光电子器件放置在电动平移台上， 并使硬质基底所在端 朝上； 所述电动平 移台用于将附着有硬质基底的柔 性光电子器件传输 至目标位置； S4、 布置并预调节准分子激光剥离系统； 所述准分子激光剥离系统包括沿光束路径依 次布置的准分子激光器、 光束整 形器、 反射器与聚光透镜； 所述准分子激光剥离发出的准分 子激光光束经所述光束整形器、 反射器与聚光透 镜到达目标位置； S5、 调节电动平 移台步进速度； S6、 当电动平移台上的柔性光电子器件到达目标位置时， 开启准分子激光剥离系统， 激 光自上而下地照射在柔 性光电子器件上， 将硬质基底从柔 性光电子器件上脱离 。 2.根据权利要求1所述的基于新型剥离方法的光电子器件硬质基底柔性化迭代工艺， 其特征在于， 所述步骤S1中， 硬质基底为透明硬质玻璃基底， 柔性基底为透明聚酰亚胺薄 膜。 3.根据权利要求1所述的基于新型剥离方法的光电子器件硬质基底柔性化迭代工艺， 其特征在于， 所述 步骤S1中， 胶为 紫外固化胶。 4.根据权利要求1所述的基于新型剥离方法的光电子器件硬质基底柔性化迭代工艺， 其特征在于， 所述 步骤S2中， 光电子器件为钙钛矿太阳能电池。 5.根据权利要求1所述的基于新型剥离方法的光电子器件硬质基底柔性化迭代工艺， 其特征在于， 所述 步骤S3中， 电动平 移台为一维或二维电动平 移台。 6.根据权利要求1所述的基于新型剥离方法的光电子器件硬质基底柔性化迭代工艺， 其特征在于， 所述步骤S4中， 准分子激光器采用308nm  XeCl准分子激光器； 预调时， 调节激 光脉冲频率设为1～ 2Hz、 脉宽30ns、 光斑尺寸3 0mm×13mm、 能量密度为190mJ/ cm2。 7.根据权利要求1所述的基于新型剥离方法的光电子器件硬质基底柔性化迭代工艺， 其特征在于， 所述步骤S4中， 光束整形器与聚光透镜配合， 用于调节光斑大小， 将准分子激 光器发射出的激光 光斑尺寸调为10 0mm×0.3mm。 8.根据权利要求1所述的基于新型剥离方法的光电子器件硬质基底柔性化迭代工艺， 其特征在于， 所述步骤S4中， 反射器用于改变激光方向， 将准分子激光器发射出的激光射入 到目标位置 。 9.根据权利要求1所述的基于新型剥离方法的光电子器件硬质基底柔性化迭代工艺， 其特征在于， 所述 步骤S5中， 电动平 移台的步进速度调节为0.095～0.191m m/s。 10.根据权利要求1所述的基于新型剥离方法的光电子器件硬质基底柔性化迭代工艺， 其特征在于， 所述步骤S 6中， 激光自硬质基底表面向下穿射， 待到达硬质基底与薄膜交界处 时被薄膜材 料吸收， 使薄膜发生热分解， 实现硬质基底与柔 性基底的分离 。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115458690 A 2基于新型剥离方 法的光电子器件硬质基底柔性化迭代工艺 技术领域 [0001]本发明涉及 柔性光电子器件制备领域， 尤其涉及 一种基于准分子激光剥离技术的 光电子器件硬质基底柔 性化迭代工艺。 背景技术 [0002]目前， 光电子器件已经开始使用柔性基底作为衬底材料。 柔性光电子器件具有轻、 薄、 可弯曲、 耐冲击、 可便携等优良性能， 但在制备柔性光电子器件中， 由于柔性衬底材料本 身的刚性较低， 因此通常要将柔性基底附在硬质衬底材料(如硬质玻璃基底)上， 方便附着 功能器件， 然后再将柔性基底与硬质基底分离， 以完成柔性光电子器件的制造。 因此， 硬质 基底与柔 性基底的剥离是柔 性电子领域极为重要的工艺 步骤。 [0003]对于硬质基底与柔性基底的剥离方法， 目前有物理剥离、 化学剥离和激光剥离三 种。 其中， 物理剥离一般利用机械 设备或是人工剥离， 该法原理简单， 但是操作复杂， 且剥离 效果不佳， 因而应用很少。 化学剥离利用化学腐蚀液达到剥离目的， 虽然不会损伤薄膜， 但 剥离速率慢， 不适合大规模工业生产。 激光剥离是一种利用激光能量来分离硬质基底与柔 性基底的技术， 具有作用时间短、 热影响区域小、 可快速实现剥离等优点， 因此可用于工业 化生产。 然而， 现有的激光剥离方式， 却也存在一定的弊端， 比如 若操作不当， 极其对柔性基 底造成损坏， 或者， 剥离不干净。 发明内容 [0004]本发明所要解决的技术问题在于提供一种基于新型剥离方法的光电子器件硬质 基底柔性化迭代工艺， 其利用准分子激光剥离技术对硬质基底与柔性基底进行分离， 不仅 不会损伤柔 性光电子器件， 还具有操作简单、 剥离 干净、 工作效率高的优点。 [0005]本发明采用以下技 术方案解决上述 技术问题： [0006]一种基于新型剥离方法的光电子器件硬质基底柔 性化迭代工艺， 包括如下步骤： [0007]S1、 在硬质基底上涂一层 胶， 将柔性基底贴合在硬质基底上， 待胶体凝固； [0008]S2、 在柔性基底上制备光电子器件； [0009]S3、 将附着有硬质基底的柔性光电子器件放置在电动平移台上， 并使硬质基底所 在端朝上； 所述电动平 移台用于将附着有硬质基底的柔 性光电子器件传输 至目标位置； [0010]S4、 布置并预调节准分子激光剥离系统； 所述准分子激光剥离系统包括沿光束路 径依次布置的准分子激光器、 光束整 形器、 反射器与聚光透镜； 所述准分子激光剥离发出的 准分子激光光束经所述光束整形器、 反射器与聚光透 镜到达目标位置； [0011]S5、 调节电动平 移台步进速度； [0012]S6、 当电动平移台上的柔性光电子器件到达目标位置时， 开启准分子激光剥离系 统， 激光自上而下地照射在柔 性光电子器件上， 将硬质基底从柔 性光电子器件上脱离 。 [0013]作为本发明的优选方式之一， 所述步骤S1中， 硬质基底为透明硬质玻璃基底， 柔性 基底为透明聚酰 亚胺薄膜(PI膜)。说　明　书 1/8 页 3 CN 115458690 A 3